缓冲层厚度对NiFe/FeMn薄膜静态磁性能的影响

论文摘要

采用直流磁控溅射法沉积了Ta/NiFe/FeMn/Ta薄膜系列样品。通过振动样品磁强计(VSM)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)等检测手段研究了Ta缓冲层厚度对Ni Fe/FeMn薄膜交换偏置场、矫顽力的影响。VSM测试结果表明,交换偏置场He随Ta缓冲层厚度增加而增大,矫顽力Hc随随Ta缓冲层厚度增加有减小的趋势。通过AFM检测了不同厚度Ta缓冲层上生长的Ni Fe层表面均方根粗糙度,发现其随Ta缓冲层厚度的增加而减小,表明NiFe/FeMn界面变得更加均匀,这导致了较大的He和较小的Hc。另外,通过XRD分析,发现随着Ta层厚度的增加Ta由非晶态转化为结晶状态并先后显示出Ta(300)、Ta(200)取向,表明随着Ta缓冲层厚度增加,其织构转变也可能会导致静态磁性的变化。

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文章来源

类型: 期刊论文

作者: 邹延珂,周俊,倪径,郭韦,徐德超

关键词: 薄膜,缓冲层,交换偏置,微结构,静态磁性能

来源: 磁性材料及器件 2019年04期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅱ辑,工程科技Ⅰ辑

专业: 材料科学,工业通用技术及设备

单位: 西南应用磁学研究所

分类号: TB383.2

DOI: 10.19594/j.cnki.09.19701.2019.04.002

页码: 5-6+50

总页数: 3

文件大小: 313K

下载量: 43

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