导读:本文包含了基体偏压论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:a-C,Al,基体负偏压,膜基结合力
基体偏压论文文献综述
彭雅利,代明江,郭朝乾,林松盛,石倩[1]（2019）在《基体负偏压对高功率脉冲磁控溅射a-C:Al薄膜性能的影响》一文中研究指出已知掺Al的类金刚石(a-C:Al)复合薄膜可改善类金刚石薄膜的综合性能,调控薄膜的内应力,增强膜基结合力。与此同时,高功率脉冲磁控溅射是一种新的溅射沉积技术,与传统磁控溅射技术相比其具有放电稳定,溅射材料离化率高,所制备的薄膜结构致密均匀,膜基结合力好等特点。本文在不同的基体偏压(0V～-400V)下通过高功率脉冲磁控溅射制备了掺A1的类金刚石(a-C:Al)薄膜。通过扫描电子显微镜,原子力显微镜,X射线光电子能谱和拉曼光谱对a-C:Al薄膜的形貌,微观结构和化学组成进行了表征。通过应力测试仪,纳米压痕,划痕测试仪,圆盘球式摩擦计和3D表面轮廓仪研究了a-C:Al膜的力学性能和摩擦学行为。结果表明,a-C:Al薄膜的沉积速率随偏压的增加呈先升后降的现象,且薄膜中Al含量的原子百分比约为5%,受基体偏压影响较小;当基体负偏压处于-200V～-300V时,薄膜的力学性能较好,其硬度为16GPa左右,磨损率大约为4×10~(-8)mm~3·N~(-1)·m~(-1);而在无偏压和偏压过高的条件下,薄膜的硬度较低,摩擦系数和磨损率偏高。(本文来源于《第叁届粤港澳大湾区真空科技创新发展论坛暨2019年广东省真空学会学术年会论文集》期刊2019-11-28）
郭朝乾,林松盛,石倩,韦春贝,李洪[2]（2019）在《基体负偏压及占空比对电弧离子镀CrN薄膜表面大颗粒和厚度的影响》一文中研究指出采用电弧离子镀技术在Si基体上沉积了CrN薄膜。利用扫描电镜观察薄膜的表面和截面形貌,通过Image-Pro Plus图像处理软件统计扫描电镜图像中大颗粒所占比例及密度。研究了基体负偏压和脉冲占空比对CrN薄膜表面大颗粒和厚度的影响。结果表明,基体负偏压从零升高至500 V时,薄膜表面大颗粒的占比和密度均不断下降,沉积速率降低;脉冲占空比从15%升高至75%时,薄膜表面大颗粒的占比先增加,而后在一定范围内波动,大颗粒密度则先增加后下降。脉冲占空比为15%时,大颗粒占比和密度均较低;脉冲占空比为75%时,大颗粒在薄膜表面的占比最高,但密度最低,表明此时大颗粒的尺寸较大。(本文来源于《电镀与涂饰》期刊2019年13期）
王建伟,薛玉君,蔡海潮,杜叁明[3]（2019）在《基体偏压对磁控溅射制备CrAlN薄膜摩擦学性能的影响》一文中研究指出通过分析不同基体偏压下磁控溅射(PVD)CrAlN薄膜的结构特征、硬度规律及磨痕形貌,研究基体偏压对CrAlN薄膜的结构、硬度及摩擦磨损性能的影响。借助扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察CrAlN薄膜的表面形貌及叁维形貌。采用纳米压痕仪对CrAlN薄膜的硬度进行测定。利用球盘式摩擦磨损试验机测定CrAlN薄膜的摩擦系数,并观察薄膜的磨痕形貌,分析薄膜的磨损机理。结果表明:当基体偏压低于150V时,薄膜表面颗粒的平均尺寸随偏压增大而逐渐减小;当基体偏压超过150V时,薄膜表面出现有明显的缺陷。随着基体偏压的增大,薄膜的硬度呈先升高后降低的趋势,并在基体偏压约为150V时达到最大值为27.5GPa;薄膜的摩擦系数呈先减小后增大的趋势,并在基体偏压约为150V时达到最小值0.25;磨痕呈不同程度的犁沟状,在基体偏压为150V时磨痕形貌平整且犁沟最小。当基体偏压为150V时,CrAlN薄膜的表面缺陷最小、硬度最大、摩擦系数低和综合性能最好,薄膜的磨损机理为磨粒磨损。(本文来源于《工具技术》期刊2019年06期）
赵彦辉,赵升升,任玲,V.V.Denisov,N.N.Koval[4]（2018）在《基体脉冲偏压对TiN/Cu纳米复合薄膜组织结构、力学及耐磨性能的影响（英文）》一文中研究指出采用轴向磁场增强电弧离子镀在高速钢基体上沉积了Ti N/Cu纳米复合薄膜,研究了基体脉冲偏压幅值对薄膜成分、结构、力学性能及耐磨性能的影响。结果表明,薄膜中铜含量随着脉冲偏压幅值的增加先增加而后降低,在一个较低的范围内(1.3 at%～2.1 at%)。X射线衍射结果表明所有的薄膜均出现Ti N相,并未观察到Cu相。薄膜的择优取向随着脉冲偏压幅值的增加而改变。薄膜的最高硬度为36 GPa,是在脉冲偏压幅值为-200 V时得到的,对应了1.6 at%的Cu含量。与纯的Ti N薄膜相比,Cu的添加明显增强了薄膜的耐磨性能。(本文来源于《稀有金属材料与工程》期刊2018年11期）
唐明,代明江,韦春贝,邱万奇,林松盛[5]（2018）在《基体偏压对AlCrSiN涂层结构及力学性能的影响》一文中研究指出AlCrSiN涂层因具有高硬度、优异的耐磨损性及抗高温氧化性而备受关注。为提高AlCrSiN涂层的性能,采用电弧离子镀技术制备了AlCrSiN涂层,研究了基体偏压对AlCrSiN涂层微观组织及力学性能的影响。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、显微硬度计、划痕仪及球-盘式摩擦磨损试验机对AlCrSiN涂层的表面形貌、物相组成和力学性能进行表征。研究结果表明:不同基体偏压的AlCrSiN涂层具有B1-NaCl晶体结构和无柱状晶结构;适当提高基体偏压,可细化AlCrSiN涂层的晶粒,提高涂层的表面质量及致密性,从而提高涂层的性能;基体偏压为150V的涂层致密性最好,具有更高的硬度(3 430HV)、结合力(76N)及更好的耐磨损性能。(本文来源于《材料导报》期刊2018年18期）
石志锋,郑志雯,宁成云,王迎军[6]（2018）在《基体偏压对直流非平衡磁控溅射氮化硅薄膜生长特性的影响》一文中研究指出采用高纯硅靶和氮气,以直流非平衡磁控溅射技术在单晶硅表面制备氮化硅薄膜。借助台阶仪、原子力显微镜、红外光谱和X射线光电子能谱考察了基体偏压(-50~-200 V)对氮化硅薄膜沉积速率、表面形貌及元素化学态的影响。结果表明:所得氮化硅薄膜表面光滑,连续致密,均匀。随着样品负偏压的提高,薄膜的生长速率逐渐降低,但当偏压超过-150 V时,薄膜的沉积速率又升高。当基体偏压从-50 V提高到-200 V时,薄膜中Si 2p的峰位向高能端移动了0.41 eV。基片偏压为-150 V时,薄膜生长较为缓慢,但致密,Si─N键含量高。(本文来源于《电镀与涂饰》期刊2018年13期）
张姣姣,王铁钢,阎兵,刘源,姜肃猛[7]（2018）在《直流基体偏压对Al-Cr-Si-N涂层结构和力学性能的影响》一文中研究指出采用电弧离子镀技术在不同直流偏压下沉积Al-Cr-Si-N涂层,研究基体偏压对涂层成分、微观结构和性能的影响。结果表明:Al-Cr-Si-N涂层以密排六方结构和面心立方结构的AlN相为主,随着基体负偏压增加,涂层的衍射峰整体向小角度方向偏移:涂层内残余压应力逐渐增加,最大值为-0.77 GPa;涂层硬度和摩擦系数变化不明显。当基体负偏压为-40V时,Al-Cr-Si-N涂层的特征参数H/E和H~3/E~(*2)均达最大值,分别为0.15和0.37GPa,此时涂层具有最佳的耐磨性能,摩擦系数亦最低。(本文来源于《稀有金属材料与工程》期刊2018年07期）
薛晨[8]（2018）在《基体负偏压对MoS_2-Ti及MoS_2-Ti/TiN复合薄膜结构与性能影响的研究》一文中研究指出MoS2作为一种性能优良的固体润滑材料,被广泛应用于机械加工、电子及航空航天等领域。但纯MoS2薄膜因易发生湿态氧化失去润滑性使其应用受到了限制,目前主要通过磁控溅射共沉积掺杂金属制备MoS2基复合薄膜来解决这一问题。在磁控溅射沉积薄膜过程中,基体负偏压对薄膜的成分和组织有显着的影响。因此,本文以具有良好综合性能的MoS2-Ti复合薄膜为基础,通过改变基体负偏压及添加TiN中间层制备了 MoS2-Ti及MoS2-Ti/TiN复合薄膜,研究了基体负偏压对复合薄膜微观组织结构、力学及摩擦学性能的影响以及TiN中间层对MoS2-Ti/TiN复合薄膜结构与性能的影响。研究结果表明:随着基体负偏压的增加,MoS2-Ti复合薄膜由晶态转变为非晶态,当基体负偏压值为30V时,所制备的MoS2-Ti复合薄膜中存在MoS2纳米晶断续的镶嵌在非晶组织中,当负偏压值大于50V时,MoS2-Ti复合薄膜完全转变为非晶结构;随着负偏压的增加,MoS2-Ti复合薄膜中S/Mo逐渐降低,由负偏压值为30V时的1.7降至负偏压值为110V时的1.3;MoS2-Ti复合薄膜的厚度由3.82μm逐渐减小到3.26μm。MoS2-Ti复合薄膜中的Ti原子一部分取代了 MoS2中的Mo原子形成了 TiS2,另一部分进入了 MoS2的层状结构之间。MoS2-Ti/TiN复合薄膜由厚度约400nm的TiN柱状晶层和组织致密的MoS2-Ti非晶层组成。MoS2-Ti及MoS2-Ti/TiN复合薄膜的硬度均随负偏压的增加而增大,MoS2-Ti复合薄膜的硬度由负偏压值30V时的8.8GPa增至负偏压值110V时的9.8GPa,MoS2-Ti/TiN复合薄膜的硬度由负偏压值30V时的9GPa增至负偏压值90V时的10.3GPa。室温条件下,当负偏压值在30V～90V时,MoS2-Ti及MoS2-Ti/TiN复合薄膜的摩擦系数均较小,其值分别稳定在0.05～0.10和0.03～0.06,且复合薄膜的摩擦系数均在负偏压值为70V时达到最小值,分别为0.05和0.03;在350℃高温环境中,不同基体负偏压下制备的MoS2-Ti复合薄膜的摩擦系数较室温环境中的摩擦系数均有显着降低,TiN中间层的添加使复合薄膜的摩擦学性能得到改善;不同温度下MoS2-Ti及MoS2-Ti/TiN复合薄膜的磨损机制均以磨粒磨损和黏着磨损为主。(本文来源于《西安理工大学》期刊2018-06-30）
王丽,郭鹏,左潇,张栋,黄美东[9]（2018）在《基体偏压对HiPIMS制备非晶碳膜结构和光电性能的影响》一文中研究指出采用高功率脉冲磁控溅射(Hi PIMS)工艺在单晶硅和石英基体上沉积a-C膜,研究了基体偏压对其结构和光电性能的影响。结果表明,基体偏压的变化能显着改变薄膜的微观结构。在偏压为0~-300 V条件下制备的a-C膜,sp~2的含量均为(52.5±1.5)%,基本不变。偏压为-50 V时sp~2团簇的尺寸达到最大值(约1.93 nm),薄膜的光学带隙(0.15 e V)和电阻率(0.32Ω·cm)达到最小值;偏压继续提高则sp~2团簇的尺寸先减小后增加,光学带隙和电阻率先增加后减小,符合非晶碳膜的团簇模型。HiPIMS工艺制备的非晶碳薄膜,其sp~2团簇的尺寸决定了薄膜光学和电性学能。薄膜sp~2团簇尺寸越大,则光学带隙和电阻率越小。(本文来源于《材料研究学报》期刊2018年04期）
吕小莉,钟小荣,王景,朱慧文,王泽勇[10]（2018）在《基体负偏压对TiC涂层形貌和摩擦学性能的影响》一文中研究指出文章采用电弧离子镀技术,选取AISI304为基材,以纯Ti为靶材,在Ar/CH4气氛中沉积Ti-C涂层,所用偏压分别为-200 V、-400 V和-600 V。通过扫描电子显微镜(SEM)、显微硬度计、球-盘式摩擦磨损试验机以及表面轮廓仪研究涂层的表面形貌、硬度和摩擦学性能。实验结果表明:基体偏压为-200 V时,涂层的硬度值最小(2 010 HV0.1),涂层表面熔滴较多,当偏压增大为-400 V和-600 V时,涂层表面熔滴数量减少,硬度提高,分别为2 336 HV0.1、2 756 HV0.1。当偏压为-200 V时,摩擦系数波动较大,平均值为0.54,磨损率为0.0696×10-3 mm3/(Nm);在偏压为-400 V和-600 V时,涂层的摩擦系数平均值分别为0.62、0.58,磨损率分别为0.0332×10-3 mm3/(Nm)、0.0142×10-3 mm3/(Nm)。随着基体偏压的增强,涂层的耐磨性提高,磨损机理均为磨粒磨损。(本文来源于《企业技术开发》期刊2018年04期）
基体偏压论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
采用电弧离子镀技术在Si基体上沉积了CrN薄膜。利用扫描电镜观察薄膜的表面和截面形貌,通过Image-Pro Plus图像处理软件统计扫描电镜图像中大颗粒所占比例及密度。研究了基体负偏压和脉冲占空比对CrN薄膜表面大颗粒和厚度的影响。结果表明,基体负偏压从零升高至500 V时,薄膜表面大颗粒的占比和密度均不断下降,沉积速率降低;脉冲占空比从15%升高至75%时,薄膜表面大颗粒的占比先增加,而后在一定范围内波动,大颗粒密度则先增加后下降。脉冲占空比为15%时,大颗粒占比和密度均较低;脉冲占空比为75%时,大颗粒在薄膜表面的占比最高,但密度最低,表明此时大颗粒的尺寸较大。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
基体偏压论文参考文献
[1].彭雅利,代明江,郭朝乾,林松盛,石倩.基体负偏压对高功率脉冲磁控溅射a-C:Al薄膜性能的影响[C].第叁届粤港澳大湾区真空科技创新发展论坛暨2019年广东省真空学会学术年会论文集.2019
[2].郭朝乾,林松盛,石倩,韦春贝,李洪.基体负偏压及占空比对电弧离子镀CrN薄膜表面大颗粒和厚度的影响[J].电镀与涂饰.2019
[3].王建伟,薛玉君,蔡海潮,杜叁明.基体偏压对磁控溅射制备CrAlN薄膜摩擦学性能的影响[J].工具技术.2019
[4].赵彦辉,赵升升,任玲,V.V.Denisov,N.N.Koval.基体脉冲偏压对TiN/Cu纳米复合薄膜组织结构、力学及耐磨性能的影响（英文）[J].稀有金属材料与工程.2018
[5].唐明,代明江,韦春贝,邱万奇,林松盛.基体偏压对AlCrSiN涂层结构及力学性能的影响[J].材料导报.2018
[6].石志锋,郑志雯,宁成云,王迎军.基体偏压对直流非平衡磁控溅射氮化硅薄膜生长特性的影响[J].电镀与涂饰.2018
[7].张姣姣,王铁钢,阎兵,刘源,姜肃猛.直流基体偏压对Al-Cr-Si-N涂层结构和力学性能的影响[J].稀有金属材料与工程.2018
[8].薛晨.基体负偏压对MoS_2-Ti及MoS_2-Ti/TiN复合薄膜结构与性能影响的研究[D].西安理工大学.2018
[9].王丽,郭鹏,左潇,张栋,黄美东.基体偏压对HiPIMS制备非晶碳膜结构和光电性能的影响[J].材料研究学报.2018
[10].吕小莉,钟小荣,王景,朱慧文,王泽勇.基体负偏压对TiC涂层形貌和摩擦学性能的影响[J].企业技术开发.2018