论文摘要
采用化学气相沉积法（CVD）在云母基片上制备了由高结晶度的纳米片组成的Bi2Se3薄膜。系统研究了基片不同温区、沉积时间及补偿Se对薄膜结构、形貌及热电性能的影响。研究结果表明,在加热温度为520℃、加热时间为30min条件下制备出了由三角形纳米片组成的Bi2Se3薄膜,纳米片边长为10μm,薄膜厚度为1.25μm。在室温时,Bi2Se3薄膜的电导率为0.9S/cm,seebeck系数为-77.8μV/K。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 陈上峰,李爽,王凯,赵国财,仲德晗,孙乃坤
关键词: 薄膜,热电性能
来源: 沈阳理工大学学报 2019年02期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅱ辑,工程科技Ⅰ辑
专业: 无机化工,材料科学,工业通用技术及设备
单位: 沈阳理工大学理学院
基金: 沈阳理工大学国家级大学生创新创业训练计划项目(201710144016),沈阳理工大学校级大学生创新创业训练计划项目(17lx006)
分类号: TQ135.32;TB383.2
页码: 89-94
总页数: 6
文件大小: 1529K
下载量: 94
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