导读:本文包含了锆钛酸钡论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:压电性能,锆钛酸钡钙,晶粒尺寸效应,优化研究
锆钛酸钡论文文献综述
张钱伟[1]（2019）在《基于氧补偿工程和晶粒尺寸效应的锆钛酸钡钙陶瓷的压电性优化研究》一文中研究指出无铅锆钛酸钡钙陶瓷(Ba_(1-x)Ca_xZr_yTi_(1-y)O_3,BCZT)因其具有可媲美锆钛酸铅的优异压电性而受到广泛关注。为进一步提升其压电性,我们基于氧补偿工程和晶粒尺寸效应开展了BCZT陶瓷压电性能优化研究。采用溶胶-凝胶法和传统烧结制备BCZT陶瓷,通过控制pH值和烧结制度得到了具有超大晶粒尺寸(>50μm)的BCZT陶(本文来源于《第十届国际（中国）功能材料及其应用学术会议、第六届国际多功能材料与结构学术大会、首届国际新材料前沿发展大会摘要集》期刊2019-11-23）
陈小明,周旺,熊俊华,唐云松,杨冬[2]（2019）在《锂掺杂锆钛酸钡钙陶瓷的制备与表征》一文中研究指出采用传统固相法制备了无铅压电陶瓷(Ba_(0.85)Ca_(0.15))(Ti_(0.9)Zr_(0.1))O_3+x%(质量分数)Li_2CO_3(x=0.1,0.3,0.5,0.7,1.0,简写BCTZL-x),通过X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM)等表征手段,研究锂对该陶瓷体系的微结构和电学性能的影响。X射线衍射分析表明,烧结于1 400℃/2 h下的BCTZL-x陶瓷具有典型ABO_3型钙钛矿结构。当增加Li的量,陶瓷经历从正交(O)向四方(T)晶相结构转变。当x≥0.3时,掺锂陶瓷结构变得更为致密。BCTZL-0.3体系陶瓷具有较好的电学性能,d_(33)=456 pC/N,k_p=0.49,ε_r=4 864,tanδ=0.018,Q_m=130。(本文来源于《功能材料》期刊2019年10期）
董子红[3]（2019）在《Gd~(3+)、Nb~(5+)掺杂锆钛酸钡陶瓷结构及介电性能的研究》一文中研究指出实验以分析纯的乙酸钡、硝酸氧锆、钛酸丁酯、NH_3·H_2O(氨水)、Gd_2O_3、Nb_2O_5、Mn(CH_3COO)_2·4H_2O、C_4H_6MgO_4·H_2O为原料,采用溶胶-凝胶法制备Gd~(3+)掺杂Ba(Zr_(0.1)Ti_(0.9))O_3基陶瓷。通过XRD结构测试、SEM形貌测试和介电性能测试。结果表明Gd~(3+)掺杂Ba(Zr_(0.1)Ti_(0.9))O_3陶瓷在常温下仍为钙钛矿型结构,Gd~(3+)掺杂量为0.5 mol%时,常温介电常数最大,介电损耗最小。再以Ba(Zr_(0.1)Ti_(0.9))O_3+0.5 mol%Gd~(3+)陶瓷为基体,掺杂不同比例的Nb~(5+),制备Gd_2O_3、Nb_2O_5复合掺杂Ba(Zr_(0.1)Ti_(0.9))O_3陶瓷。通过XRD晶体结构测试、SEM形貌测试和介电性能测试实验,得出Gd~(3+)掺杂量为0.5 mol%、Nb~(5+)掺杂量为0.75 mol%时,复合掺杂BZT陶瓷的介电性能为最优。(本文来源于《陶瓷》期刊2019年09期）
张月[4]（2019）在《锆钛酸钡钙纤维-聚偏氟乙烯复合介质的制备与储能性能》一文中研究指出在推动新兴能源发展的背景下,电介质材料的研发对实现电能存储与转换器件的集成化、智能化、微型化和轻量化发展具有重要意义。介质储能因其较高的功率密度,逐渐成为功率脉冲电容器中的重要组成部分,介质在电场下的极化与退极化过程分别代表器件的充电与放电过程。近期,铁电聚合物作为高介质储能电容器材料的研究引起了众多科技工作者的关注。尽管关于铁电聚合物基复合介质储能性能的研究日渐增多,但仍存在以下问题:复合介质的极化强度和击穿场强较低,难以获得高的储能密度;介质内部非弹性极化和高场损耗诱导的能量损耗严重,因此介质储能效率较低。针对这些问题,本文从复合材料的组成:基体、填充相与有机-无机界面叁个角度展开研究,并对填充相的形态和填充相在基体中的分布状态加以调控。在基体调控方面,利用线性电介质聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)缓解铁电聚合物弛豫现象的出现、降低铁电聚合物自身的能量损耗和提高铁电聚合物的储能效率。分析PMMA对铁电聚合物全有机复合介质结晶度、介电性能、击穿失效行为、极化行为和储能性能的影响机制。当PMMA质量含量为7wt.%时,在330 kV/mm的电场强度下,P(VDF-TrFE-CFE)(PVTC)+7 wt.%PMMA全有机复合介质的放电能量密度约为7.0 J/cm~3,其充放电效率约为71.9%。在填充相调控方面,引入0.5Ba(Zr_(0.2)Ti_(0.8))O_3-0.5(Ba_(0.7)Ca_(0.3))TiO_3锆钛酸钡钙无机纳米纤维(BZCT NFs)至铁电聚合物聚偏氟乙烯(PVDF)基体中,通过调节无机纳米纤维在前驱体胶液中的含量、复合介质静电纺丝过程中的纺丝顺序和膜层浓度梯度的循环周期,制备基于无机填充相成分梯度分布的PVDF基复合介质。获得具有优异极化强度、击穿强度和储能性能的纤维成分梯度结构0-10-0 BZCT-PVDF复合介质,在外电场强度310 kV/mm时,其放电能量密度约为9.8 J/cm~3,充放电效率约为52.0%。在填充相取向调控方面,通过调节纳米纤维在聚合物介质中的排布状态,设计并制备无规则排布BZCT NFs-PVDF和取向排布BZCT NFs-PVDF复合介质。当BZCT纤维体积含量为3 vol.%时的取向排布BZCT-PVDF复合介质具有优良的储能性能,在电场强度400 kV/mm时,其放电能量密度约为8.9J/cm~3,充放电效率约为57.6%。在有机-无机界面调控方面,通过对BZCT NFs进行SiO_2绝缘壳层的包裹,合成具有核壳结构的BZCT@SiO_2 NFs复合纳米纤维;并采用定向纺丝技术将BZCT@SiO_2 NFs与铁电聚合物PVDF进行复合,制备取向排布BZCT@SiO_2-PVDF复合介质。系统研究复合无机纳米纤维BZCT@SiO_2填充含量和分布形态对复合介质微观结构和电学性能的影响规律及作用机制。详细分析SiO_2绝缘壳层对复合介质电导率、介电损耗、击穿失效行为以及漏电流行为等作用机理。当复合纳米纤维BZCT@SiO_2的体积含量为3 vol.%时,取向排布BZCT@SiO_2-PVDF复合介质在电场强度560 kV/mm时,其放电能量密度约为18.9 J/cm~3,充放电效率约为53.3%;且3 vol.%取向排布的BZCT@SiO_2-PVDF复合介质的面内热导率高达0.29 W/(m·K)。综合可控工艺参数,选用具有双壳层结构的BZCT@Al_2O_3@SiO_2复合纳米纤维作为填充相,同时Al_2O_3和SiO_2的双壳结构作为界面过渡层;且选取高介电常数PVTC和线性电介质PMMA共混介质作为基体;制备复合纳米纤维呈现叁维分布(平行或正交排布)的BZCT@Al_2O_3@SiO_2-PVTC+PMMA复合介质。当复合纳米纤维的体积含量为3 vol.%时,正交排布BZCT@Al_2O_3@SiO_2⊥PVTC+PMMA复合介质在440 kV/mm的电场强度下,其放电能量密度约为20.1 J/cm~3,充放电效率约为58.6%;且3 vol.%双壳层纤维呈现叁维分布的复合介质的面内热导率可达0.33 W/(m·K)。本文主要研究具有优异储能性能的无机纳米纤维-铁电聚合物复合材料,探究复合介质储能密度和充放电效率的影响因素,阐明调控因素对性能的影响机制,促进铁电聚合物基复合介质在新能源领域的应用。(本文来源于《哈尔滨理工大学》期刊2019-06-01）
何上恺[5]（2019）在《锆钛酸钡钙基弛豫铁电薄膜的制备及能量储存与电卡效应研究》一文中研究指出铁电薄膜较其块体陶瓷材料具有更优的电学性能,在电容器储能、固态电卡制冷以及位移驱动器等领域中有着广泛的应用。在本文中,以Ba(Zr0.2Ti0.8)O3-(Ba0.7Ca0.3)TiO3体系的伪二元固溶体相图中的立方相、四方相和叁方相叁相共存成分点0.68BZT-0.32BCT(简写为纯BCZT)为基准,使用溶胶凝胶法制备了[(Ba0.904Ca0.096)0.9775+xLa0.015(Zr0.136Ti0.864)O3,x = 0.0075,0.075 and 0.15](简写为La-doped BCZT)介电弛豫薄膜电容器。系统研究了A位过量程度、底电极种类和顶电极大小对纯BCZT和La-doped BCZT薄膜的微观结构和储能性能的影响。此外,挑选出综合储能性能最为优异的La-doped BCZT(x=0.0075)薄膜(简写为BCLZT)与Pb0.8Ba0.2ZrO3薄膜(简写为PBZ)进行复合,制备了 BCLZT/PBZ多层薄膜,研究了底电极种类对BCLZT/PBZ多层薄膜的微观结构和电卡效应的影响。结果表明:(1)沉积在LaNiO3/Pt复合底电极上的La-doped BCZT(x = 0.0075)弛豫薄膜电容器具有大的储能密度值15.5 J/cm3,高的储能效率93.7%,同时具有良好的温度稳定性:储能密度在20℃～260℃范围内及储能效率在20℃～140℃范围内变化率都在5%以内。La-doped BCZT(x=0.0075)薄膜电容器优异的储能性能归功于叁相共存点(Ba0.904Ca0.096)(Zr0.136Ti0.864)O3附近纳米团簇结构的多样性,和LaNiO3/Pt复合底电极的使用。顶电极面积与薄膜性能之间的关系表示,当沉积在LaNi03/Pt复合底电极的La-doped BCZT(x= 0.0075)薄膜的Pt顶电极面积高达约7.079 mm2时,薄膜的储能密度为0.7 J/cm3,效率高达约91.4%,并且其储能性能会随着顶电极质量的优化得到进一步提高。(2)沉积在Pt底电极和LaNi03/Pt复合底电极上BCLZT/PBZ多层薄膜均为纯的钙钛矿结构。LaNi03/Pt复合底电极的使用提高了BCLZT/PBZ多层薄膜的介电性能和电卡效应。当外加电场为756kV/cm时,沉积在Pt底电极和LaNi03/Pt复合底电极上BCLZT/PBZ多层薄膜在室温处的最大△T值分别为6.6K和20.4K。(本文来源于《广西大学》期刊2019-06-01）
徐源[6]（2019）在《锆钛酸钡陶瓷的制备及改性研究》一文中研究指出介电陶瓷是电子元件材料中较重要的一种,由于其具有抗腐蚀、耐高温、易制造和造价低等优点被广泛研究。长期以来含铅元素的电子材料具备优良的介电性、铁电性和压电性,在电子材料领域占据着统治地位。然而含有铅元素材料的使用会对环境带来不可逆转的危害,世界各国相继加大对含铅器件的监管和控制。“绿水青山就是金山银山”的理念,追求器件绿色、环保和节能是我国乃至全球科技发展的方向。所以无铅器件的开发和应用尤为重要,被誉为“电子陶瓷工业支柱”的钛酸钡材料成为炙手可热的研究焦点。本研究首先通过固相反应法制备出掺杂Zr~(4+)离子的BaTiO_3陶瓷,控制Zr~(4+)离子在BaTiO_3陶瓷中的含量,研究Zr~(4+)离子对BaTiO_3陶瓷物理性能的影响。其次,固相反应过程中需要提供超高的温度环境,超高温环境势必会造成巨大的能源浪费。此外,过高的烧结温度还会使陶瓷样品介电性、铁电性和压电性等性能大幅度降低,不利于发挥材料应有的优异特性,研究陶瓷的烧结工艺参数也极其重要。最后对优化后的陶瓷材料进行改性,改性后的陶瓷材料更进一步提升BZT陶瓷在电子陶瓷行业的应用价值,针对以上得出以下结论:1)通过固相反应法将Zr~(4+)离子掺杂在BaTiO_3陶瓷中,即Ba(Zr_xTi_(1-x))O_3(BZT)。控制Zr~(4+)离子在BaTiO_3陶瓷中的浓度(0~50%),研究Zr~(4+)离子含量对BZT陶瓷的晶体结构、微观形貌、密度、介电性和铁电性等物理性能的影响。结果表明,当Zr~(4+)离子含量增加至15%时介电常数达到最大值,然后随Zr~(4+)离子含量的增加介电常数逐渐减小。居里温度随Zr~(4+)离子含量的增加逐渐降低,当Zr~(4+)离子含量为20%时居里温度接近室温。2)通过传统固相反应法制备出Ba(Zr_(0.2)Ti_(0.8))O_3陶瓷,改变陶瓷制备过程中烧结工艺参数,寻找该陶瓷最优烧结点。当烧结温度达到1305℃时,样品结晶度和致密度较佳介电常数达到最大值。3)改变Ba(Zr_(0.2)Ti_(0.8))O_3陶瓷烧结工艺参数,通过烧结工艺参数的控制调整BZT陶瓷的晶粒尺寸,研究晶粒尺寸对该陶瓷物理性能的影响。当晶粒尺寸为5μm时,结晶度、密度和介电性到达最佳,随晶粒尺寸继续增大介电性能又逐渐降低。4)通过使用MgO做为改性剂,对Ba(Zr_(1.5)Ti_(0.85))O_3陶瓷微掺杂改性。控制MgO在BZT陶瓷中的含量,研究MgO微量添加后对该陶瓷物理性能的影响。微量MgO掺杂降低了烧结温度,同时提高了介电性。在MgO掺杂量为0.25 mol%时,居里温度从75℃附近降至室温。(本文来源于《陕西理工大学》期刊2019-06-01）
张钱伟,蔡苇,何海峰,王凤起,李清婷[7]（2019）在《烧结温度对锆钛酸钡钙陶瓷微结构及储能特性的影响》一文中研究指出采用溶胶-凝胶法制备锆钛酸钡钙粉体,通过常压烧结制备锆钛酸钡钙陶瓷(Ba_(0.85)Ca_(0.15)Ti_(0.90)Zr_(0.10)O_3),借助XRD、扫描电镜、阻抗分析仪、铁电综合测试仪等表征手段系统研究了烧结温度对其微结构、电性能以及储能特性的影响。结果表明:较高的烧结温度有利于获得致密性好、晶粒尺寸较大的锆钛酸钡钙陶瓷;相对于1330℃,1430℃下制备的锆钛酸钡钙陶瓷的剩余极化强度、相对介电常数均更高,而介电损耗更低,但烧结温度为1330℃时制备的锆钛酸钡钙陶瓷的储能密度以及储能效率均优于烧结温度为1430℃时制备的样品。(本文来源于《电子元件与材料》期刊2019年02期）
路浩为[8]（2019）在《Tb掺杂的锆钛酸钡钙陶瓷及薄膜的铁电和压电性能研究》一文中研究指出压电陶瓷及薄膜是当前发展极为迅速的重要功能材料,可用于传感器、驱动器和谐振器等多种电子元器件,应用涉及军事通讯,航空航天,信号处理等诸多高新技术领域。传统含铅陶瓷具有优异的性能,但铅是易挥发的有毒元素,为了满足绿色发展的需求,开发性能优异的环境友好型无铅陶瓷势在必行。(BaCa)(ZrTi)O_3基无铅陶瓷的相对介电常数(ε_r)大,剩余极化强度(P_r)高,介电损耗低,压电性能可与Pb(Zr_(1-x)-x Ti_x)O_3(PZT)材料相媲美,因而被认为是最有潜力取代含铅材料的陶瓷体系之一。但该体系陶瓷同时也存在着诸如烧结温度过高(通常>1500℃),居里温度偏低(T_c≈90℃),性能对温度依赖高等问题,阻碍了该体系陶瓷的实用化。另外,随着微电子行业的发展,制备高性能的无铅压电薄膜材料可满足市场对于电子元器件小型化及高集成化的应用需求,是当前无铅压电材料领域的研究热点,有着重要的实用意义。因此,针对上述(BaCa)(ZrTi)O_3系材料实用化进程中有待解决的问题,本论文研究了通过离子掺杂和液相助烧对陶瓷压电、铁电及烧结性能进行改善,探讨其性能变化的物理化学机制;同时摸索高性能压电薄膜材料的制备条件,研究掺杂、缓冲层及退火处理对于(BaCa)(ZrTi)O_3薄膜结构与性能的影响,对于该体系无铅材料的发展有着一定的的科研意义和实用价值。选用Tb_4O_7来调节(BaCa)(ZrTi)O_3的相结构,从而改善陶瓷的压电性能和铁电性能的温度依赖性。利用传统的固相反应法制备0.47(Ba_(0.7)Ca_(0.3))TiO_3–0.53Ba(Zr_(0.2)Ti_(0.8))O_3+x mol%(x=0.1~0.5)Tb陶瓷(BCZT-x Tb)。研究了BCZT-x Tb陶瓷的相变、介电、铁电及压电性能。Tb为变价元素,Tb~(3+)可占据陶瓷ABO_3结构中的A位,Tb~(4+)可占据B位;随Tb掺入浓度的增加可逐渐降低陶瓷正交相与四方相过渡的相变温度(T_(O-T))。Tb掺杂组分为0.2 mol%的样品具有最佳的室温铁电和压电性能;而当x>0.3 mol%时,在20~90℃的温度区间内,Tb的掺杂可明显减小陶瓷的铁电正温特性最大偏离值(dP_r)_M~+,铁电温度稳定性得到改善。使用CaCl_2作为助烧剂对综合电学能最佳0.2 mol%Tb掺杂的BCZT陶瓷进行助烧改性,研究了烧结温度及掺杂浓度对陶瓷结构、组织形貌、介电、铁电及压电性能的影响,发现适量的CaCl_2可在各烧结温度下明显提高陶瓷的致密度和压电、铁电性能。1410℃烧结时,0.2 mol%Tb和0.2 wt%CaCl_2共掺样品的相对致密度为96%,其剩余极化强度P_r和逆压电系数d_(33)*分别可达11.4μC/cm~2和720 pm/V,较纯BCZT的值分别提高了约39%和32%。介温测试表明0.1~0.3 wt%CaCl_2的掺入可将陶瓷的居里温度T_C提高约10℃,扩宽了陶瓷的应用温度范围。利用固相反应法制备的陶瓷作为靶材,继而,在Pt(111)/Si基底上,采用PLD技术制备了BCZT-x Tb薄膜,研究Tb_4O_7的引入对于薄膜结构与性能的影响。结果表明,Tb掺杂可增加薄膜晶化程度及晶粒尺寸,降低薄膜的漏电流密度,改善其铁电和压电性能。其中0.4 mol%Tb掺杂的薄膜具有最佳综合电学性能,与纯BCZT薄膜相比,其漏电流密度下降近1个数量级;P_r从3.6μC/cm~2增加到6.4μC/cm~2;d_(33)*从52 pm/V增至63 pm/V。接下来,本文选择BCZT-0.4Tb薄膜进行退火处理,研究不同退火温度对薄膜结构与性能的影响,结果表明经800℃退火处理3小时的薄膜具有最佳的铁电性及压电性能,其P_r=9.8μC/cm~2,E_c=26.6 kV/cm,d_(33)*=74 pm/V。采用PLD技术先在Pt(111)/Si基底生长出约200 nm厚的SrTiO_3(STO)作为缓冲层,继而选择性能最佳的0.4 mol%Tb掺杂组分制备BCZT-0.4Tb/STO/Pt(111)/Si铁电薄膜。研究了薄膜的介电与铁电性能,分析其变化规律,探讨薄膜性能改善的物理机制。结果发现缓冲层可促进薄膜晶粒生长,增加(100)取向,改善其铁电性能。BCZT-0.4Tb/STO/Pt(111)/Si的P_r为9.0μC/cm~2,较不含缓冲层薄膜的P_r提高了约40%。(本文来源于《哈尔滨理工大学》期刊2019-03-01）
陈歌,吉祥,王传彬,沈强,张联盟[9]（2018）在《水热温度对溶胶-凝胶-水热法合成锆钛酸钡钙纳米粉体的影响》一文中研究指出针对传统固相反应或溶胶-凝胶制备锆钛酸钡钙(BCZT)粉体时易引入杂质、导致成分偏析和煅烧温度过高等问题,首次采用了溶胶-凝胶-水热法合成BCZT纳米粉体,重点研究了水热温度对合成粉体结构和形貌的影响。结果表明,在80～180℃的温度范围内,成功合成出物相较纯的BCZT纳米粉体,而且随着水热合成温度的升高,其结晶性提高,颗粒尺寸变大。基于XRD、FTIR、SEM、EDS、TEM和XPS的测试结果,确定了适宜的水热合成温度为180℃,远低于传统固相反应或溶胶-凝胶方法的制备温度。在此温度下,获得的BCZT粉体的平均粒径约为70 nm,粉体结晶性良好,成分和粒度均匀,化学计量比准确,并在室温下呈现出叁方相与四方相共存的准同型相界(MPB)结构。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2018年12期）
张钱伟,蔡苇,何海峰,王凤起,徐瑞成[10]（2018）在《锆钛酸钡钙压电陶瓷的晶粒尺寸效应研究进展》一文中研究指出锆钛酸钡钙无铅压电陶瓷具有可与锆钛酸铅媲美的压电性能,受到国内外广泛关注。晶粒尺寸是影响锆钛酸钡钙陶瓷电性能的重要因素,其晶粒尺寸效应已成为研究的热点。为此,综述了粉体制备方法、烧结方法、烧结温度和保温时间对锆钛酸钡钙陶瓷的晶粒尺寸及其电性能的影响,并提出了研究中亟待解决的问题。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2018年12期）
锆钛酸钡论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
采用传统固相法制备了无铅压电陶瓷(Ba_(0.85)Ca_(0.15))(Ti_(0.9)Zr_(0.1))O_3+x%(质量分数)Li_2CO_3(x=0.1,0.3,0.5,0.7,1.0,简写BCTZL-x),通过X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM)等表征手段,研究锂对该陶瓷体系的微结构和电学性能的影响。X射线衍射分析表明,烧结于1 400℃/2 h下的BCTZL-x陶瓷具有典型ABO_3型钙钛矿结构。当增加Li的量,陶瓷经历从正交(O)向四方(T)晶相结构转变。当x≥0.3时,掺锂陶瓷结构变得更为致密。BCTZL-0.3体系陶瓷具有较好的电学性能,d_(33)=456 pC/N,k_p=0.49,ε_r=4 864,tanδ=0.018,Q_m=130。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
锆钛酸钡论文参考文献
[1].张钱伟.基于氧补偿工程和晶粒尺寸效应的锆钛酸钡钙陶瓷的压电性优化研究[C].第十届国际（中国）功能材料及其应用学术会议、第六届国际多功能材料与结构学术大会、首届国际新材料前沿发展大会摘要集.2019
[2].陈小明,周旺,熊俊华,唐云松,杨冬.锂掺杂锆钛酸钡钙陶瓷的制备与表征[J].功能材料.2019
[3].董子红.Gd~(3+)、Nb~(5+)掺杂锆钛酸钡陶瓷结构及介电性能的研究[J].陶瓷.2019
[4].张月.锆钛酸钡钙纤维-聚偏氟乙烯复合介质的制备与储能性能[D].哈尔滨理工大学.2019
[5].何上恺.锆钛酸钡钙基弛豫铁电薄膜的制备及能量储存与电卡效应研究[D].广西大学.2019
[6].徐源.锆钛酸钡陶瓷的制备及改性研究[D].陕西理工大学.2019
[7].张钱伟,蔡苇,何海峰,王凤起,李清婷.烧结温度对锆钛酸钡钙陶瓷微结构及储能特性的影响[J].电子元件与材料.2019
[8].路浩为.Tb掺杂的锆钛酸钡钙陶瓷及薄膜的铁电和压电性能研究[D].哈尔滨理工大学.2019
[9].陈歌,吉祥,王传彬,沈强,张联盟.水热温度对溶胶-凝胶-水热法合成锆钛酸钡钙纳米粉体的影响[J].人工晶体学报.2018
[10].张钱伟,蔡苇,何海峰,王凤起,徐瑞成.锆钛酸钡钙压电陶瓷的晶粒尺寸效应研究进展[J].人工晶体学报.2018