空位缺陷对单层MoS2力学性能的影响

空位缺陷对单层MoS2力学性能的影响

论文摘要

利用经典分子动力学方法,通过对单层MoS2力学行为进行单轴拉伸仿真模拟,研究空位缺陷对结构力学性能的影响。结合第一性原理计算,初步探索了单层MoS2的宏观力学行为与其微观电子结构变化的关联影响。模拟结果表明:空位缺陷使单层MoS2的力学性能严重劣化,且其影响程度随空位缺陷类型的不同而存在差异,与VS相比,VS2对上述力学性能的影响更为显著,浓度为0.4%的VS及VS2缺陷可使MoS2断裂极限下降10%和23%,且降幅随缺陷浓度的增加而增加。此外,单轴拉伸与VS、VS2等空位缺陷的存在,均可显著降低单层MoS2的禁带宽度,这可能与拉伸和空位缺陷均能引起Mo-d和S-p轨道杂化强度与Mo-S键键强的减弱有关。

论文目录

  • 1 引 言
  • 2 模型与计算
  • 3 结果与讨论
  •   3.1 晶格畸变
  •   3.2 缺陷形成能
  •   3.3 单轴拉伸力学行为研究
  •   3.4 缺陷浓度效应
  • 4 结 论
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 潘妍宏,张铭,林申晔,崔艳雷,张威

    关键词: 空位缺陷,力学性能,分子动力学

    来源: 材料科学与工程学报 2019年02期

    年度: 2019

    分类: 工程科技Ⅰ辑

    专业: 无机化工

    单位: 北京工业大学材料科学与工程学院

    基金: 国家自然科学基金资助项目(11774017),北京市创新团队资助项目(IDHT20170502)

    分类号: TQ136.12

    DOI: 10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2019.02.014

    页码: 238-243

    总页数: 6

    文件大小: 2244K

    下载量: 148

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