论文摘要
利用经典分子动力学方法,通过对单层MoS2力学行为进行单轴拉伸仿真模拟,研究空位缺陷对结构力学性能的影响。结合第一性原理计算,初步探索了单层MoS2的宏观力学行为与其微观电子结构变化的关联影响。模拟结果表明:空位缺陷使单层MoS2的力学性能严重劣化,且其影响程度随空位缺陷类型的不同而存在差异,与VS相比,VS2对上述力学性能的影响更为显著,浓度为0.4%的VS及VS2缺陷可使MoS2断裂极限下降10%和23%,且降幅随缺陷浓度的增加而增加。此外,单轴拉伸与VS、VS2等空位缺陷的存在,均可显著降低单层MoS2的禁带宽度,这可能与拉伸和空位缺陷均能引起Mo-d和S-p轨道杂化强度与Mo-S键键强的减弱有关。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 潘妍宏,张铭,林申晔,崔艳雷,张威
关键词: 空位缺陷,力学性能,分子动力学
来源: 材料科学与工程学报 2019年02期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅰ辑
专业: 无机化工
单位: 北京工业大学材料科学与工程学院
基金: 国家自然科学基金资助项目(11774017),北京市创新团队资助项目(IDHT20170502)
分类号: TQ136.12
DOI: 10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2019.02.014
页码: 238-243
总页数: 6
文件大小: 2244K
下载量: 148
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