导读:本文包含了反对称态论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:对称,量子,论文,InGaAs,InAlAs。
反对称态论文文献综述
仇志军,桂永胜,崔利杰,曾一平,黄志明[1]（2004）在《掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中电子对称态和反对称态磁输运研究》一文中研究指出利用变温Hall测量研究了重掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中二维电子气 ,发现在量子阱中由于存在电子对称态和反对称态导致纵向电阻出现拍频现象。通过分析拍频节点位置 ,得到电子对称态和反对称态之间的能级间距为 4meV。此外 ,通过迁移率谱方法和多载流子拟合过程研究了不同迁移率电子的浓度和迁移率随温度的变化关系 .(本文来源于《红外与毫米波学报》期刊2004年05期）
反对称态论文开题报告
反对称态论文参考文献
[1].仇志军,桂永胜,崔利杰,曾一平,黄志明.掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中电子对称态和反对称态磁输运研究[J].红外与毫米波学报.2004
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