传导冷却高功率半导体激光器单巴器件CW工作模式下的热加速寿命试验

传导冷却高功率半导体激光器单巴器件CW工作模式下的热加速寿命试验

论文摘要

可靠性是高功率半导体激光器(HLD)的一个重要性能。热加速寿命试验是HLD寿命评价和可靠性分析的重要技术。在本文中,我们在高温测试平台上对铟焊料封装的18个中心波长为808 nm的传导冷却型HLD单巴器件在恒定电流60 A条件下进行55,65,80℃3组热沉温度下的热加速寿命试验。根据器件输出功率在加速寿命测试期间的降低趋势,得到该批HLD器件的寿命分别为1 022,620,298 h,再根据Arrhenius公式得到该器件的激活能为0.565 41 eV,从而外推得到器件在室温下的寿命为5 762 h。可见55℃下器件寿命加速了5倍,而在65℃下寿命加速了8.5倍,80℃下寿命加速17倍。此外,我们还分析了器件热加速寿命试验后的性能。

论文目录

  • 1 引 言
  • 2 器件结构及性能
  • 3 CS器件热加速寿命试验
  • 4 缺陷及退化分析
  • 5 结 论
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 聂志强,王明培,孙玉博,李小宁,吴迪

    关键词: 高功率半导体激光器,热加速寿命测试,可靠性,退化

    来源: 发光学报 2019年09期

    年度: 2019

    分类: 基础科学,信息科技

    专业: 物理学,无线电电子学

    单位: 中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术重点实验室,中国科学院大学,西安炬光科技股份有限公司

    基金: 国家自然科学基金(61334010)资助项目~~

    分类号: TN248.4

    页码: 1136-1145

    总页数: 10

    文件大小: 8324K

    下载量: 51

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