导读:本文包含了硼扩散论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:谐振子,矫顽力,下法,单晶硅,化学,硅片,钕铁硼。
硼扩散论文文献综述
赵阳,杨文昭[1]（2018）在《钕铁硼扩散技术专利分析》一文中研究指出钕铁硼扩散技术具有磁体性能高、成本低、环境友好等优点,得到了广泛的研究。本文以钕铁硼扩散技术为切入点,通过使用专利数据库对关键词和分类号的检索,对该技术的国内外相关专利的扩散元素及元素形态进行梳理和统计分析,并对该技术未来的发展做了分析和预测。(本文来源于《科学技术创新》期刊2018年23期）
唐郡,杨文昭[2]（2018）在《钕铁硼扩散技术专利申请概况》一文中研究指出钕铁硼磁体作为新型功能材料,具有良好的综合性能,是各国功能材料研发的重点之一。本文介绍了钕铁硼磁体扩散技术相关专利申请的基本情况,分析了专利申请的申请量分布情况,为我国相关行业提供参考。(本文来源于《科学技术创新》期刊2018年01期）
赵科巍,刘文超,郭卫[3]（2017）在《基于硼扩散的多晶硅太阳能电池背钝化工艺研究》一文中研究指出本文主要研究一种基于硼扩散的多晶硅太阳能电池背钝化工艺,该工艺可有效的提高多晶电池Uoc可达10 mV。采用硼扩散后形成的硼掺杂层(BSG)作为多晶电池背面钝化工艺。在工艺上采用和磷扩散工艺类似的工艺步骤,通过优化沉积时间,推进氧化过程中的O2,N2流量等,达到最佳的Uoc提升效果,经过优化后的背面钝化工艺可以有效提高多晶电池的转换效率0.5%,从而实现了在多晶电池提高电池效率的目的。(本文来源于《山西能源学院学报》期刊2017年03期）
刘杨,张明亮,季安,王晓东,杨富华[4]（2016）在《基于浓硼扩散层的硅纳米线谐振子制备》一文中研究指出纳机电系统(NMES)由于具有体积小、智能化、可靠性高等优点而被广泛研究。其中纳米线谐振子的本征频率能够达到MHz甚至GHz,可应用于各种高性能的质量传感器、谐振器、滤波器等。但是,要制备形貌规则可控的纳米线谐振子,对加工技术要求很高。目前急需一种工艺简单、重复性好、叁维尺度可控的硅纳米线制备方法。本文重点研究了基于浓硼扩散层的可集成硅纳米线谐振子的制备方法。该方法采用电子束光刻定义可控尺度硅纳米线,并利用TMAH腐蚀自停止效应实现谐振子的释放。文中还采用SEM对所制备的纳米线谐振子进行了表征。实验结果表明,基于浓硼扩散层制备的硅纳米线谐振子形貌规则,结构可控可调。该方法能够实现可控制的大面积、高产率、低成本、可集成的硅纳米线谐振子制备。(本文来源于《影像科学与光化学》期刊2016年03期）
龙腾江,徐冠群,杨晓生,沈辉[5]（2015）在《湿法去除N型硅硼扩散过程形成的富硼层》一文中研究指出硼扩散被广泛应用于n型硅基的p-n结制结工艺,然而硼扩散难免会在硅片表面形成一层很薄的的富硼层,该层由于富集无活性硼原子会严重影响电池性能。本研究制备HF-HNO3化学腐蚀液来去除富硼层,采用该方法去除富硼层后的硅片少子寿命从26.829μs增加到69.106μs;WCT-120测得一个光照下Voc从610mv增加到了625mv,发射极饱和电流密度显着降低;去除富硼层后的方块电阻均匀性表现良好,甚至比采用传统后氧化法更具优势。虽然反射率有细微增加,但是对于镀完氮化硅减反膜后腐蚀所带来的反射率升高只有0.13%,因此,认为该方法可以成功应用到富硼层的去除中。(本文来源于《材料科学与工程学报》期刊2015年01期）
刘剑,宋玲玲[6]（2014）在《乳胶源硼扩散的SENTAURUS模拟》一文中研究指出利用半导体TCAD工具Sentaurus对硅片的乳胶源掺硼扩散工艺进行模拟,用淀积后的退火处理过程替代注入后退火的模拟方案,以多种实测条件为标准,用两种条件进行模拟,并结合实测数据,对模型结果进行比较,找到模拟的最终可行方案,弥补Sentaurus软件功能模块上的不足。(本文来源于《微处理机》期刊2014年05期）
尚磊,杨海丽,吴丽,徐宏[7]（2014）在《熔盐脉冲电沉积渗硼扩散系数与扩散激活能的研究》一文中研究指出选取NaCl-KCl-NaF-Na2B4O7摩尔比为2∶2∶1∶0.04的熔盐通过脉冲电沉积的方法在硅钢表面进行渗硼,通过测定不同沉积温度和沉积时间下的渗硼层厚度,求出熔盐脉冲电沉积渗硼过程中硼的扩散激活能和扩散常数。计算并验证了利用求得的扩散激活能、扩散常数和公式可以准确计算某一温度下熔盐脉冲电沉积过程中硼在硅钢中的扩散系数。与常规渗硼相比,脉冲电沉积渗硼的扩散激活能在数值上与其属于同一数量级,但扩散常数有所提高,进而有效提高了脉冲电沉积渗硼的扩散系数。(本文来源于《热加工工艺》期刊2014年10期）
王春梅,佟丽英,史继祥,王聪[8]（2011）在《硼扩散技术研究》一文中研究指出对硼扩散浓度和扩散深度的控制技术进行了研究。通过采用两步扩散步骤、预扩散采用双面扩散的方式、再分布采用密闭碳化硅管、控制扩散温度和扩散时间,有效地控制了扩散层浓度和结深。(本文来源于《电子工业专用设备》期刊2011年12期）
谭刚,吴嘉丽[9]（2010）在《高浓度硼扩散硅片CMP工艺改进技术》一文中研究指出"叉指式微加速度计"的研制,需要使用高浓度硼扩散硅片,而硅片经过高浓度硼扩散后,硅片双面生长了一层硼硅玻璃,采用原有CMP工艺很难将其去除,不能在高浓度硼扩散层上制作更好的"叉指式微加速度计"结构。针对上述问题,在CMP研磨抛光工艺中,通过改进双面粘片工艺,选择合适的研磨料和抛光料以及研磨盘和抛光盘,系统地考察了压力、转速、抛光垫、浆料、温度等因素对硅晶圆平坦化速率的影响,优化研磨抛光工艺流程及工艺参数,获得表面无划道、无麻坑、无桔皮的高浓度硼扩散硅片,表面粗糙度20A,达到"叉指式微加速度计"工艺用片指标。(本文来源于《机电工程技术》期刊2010年10期）
王春梅,佟丽英,史继祥,王聪[10]（2010）在《硼扩散片弯曲度的控制技术研究》一文中研究指出对硼扩散片弯曲度的控制技术进行了研究。结果发现单面扩散后硅片的弯曲度比双面扩散的弯曲度大,晶锭加工之前的热处理工艺有助于弯曲度的改善。在单面减薄后对硅片进行碱处理工艺,进一步改善了扩散片的弯曲度。通过对硅单晶进行热处理、以及对硅扩散片进行碱处理等一系列措施,使扩散片的弯曲度有了较大幅度的改善。(本文来源于《电子工业专用设备》期刊2010年08期）
硼扩散论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
钕铁硼磁体作为新型功能材料,具有良好的综合性能,是各国功能材料研发的重点之一。本文介绍了钕铁硼磁体扩散技术相关专利申请的基本情况,分析了专利申请的申请量分布情况,为我国相关行业提供参考。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
硼扩散论文参考文献
[1].赵阳,杨文昭.钕铁硼扩散技术专利分析[J].科学技术创新.2018
[2].唐郡,杨文昭.钕铁硼扩散技术专利申请概况[J].科学技术创新.2018
[3].赵科巍,刘文超,郭卫.基于硼扩散的多晶硅太阳能电池背钝化工艺研究[J].山西能源学院学报.2017
[4].刘杨,张明亮,季安,王晓东,杨富华.基于浓硼扩散层的硅纳米线谐振子制备[J].影像科学与光化学.2016
[5].龙腾江,徐冠群,杨晓生,沈辉.湿法去除N型硅硼扩散过程形成的富硼层[J].材料科学与工程学报.2015
[6].刘剑,宋玲玲.乳胶源硼扩散的SENTAURUS模拟[J].微处理机.2014
[7].尚磊,杨海丽,吴丽,徐宏.熔盐脉冲电沉积渗硼扩散系数与扩散激活能的研究[J].热加工工艺.2014
[8].王春梅,佟丽英,史继祥,王聪.硼扩散技术研究[J].电子工业专用设备.2011
[9].谭刚,吴嘉丽.高浓度硼扩散硅片CMP工艺改进技术[J].机电工程技术.2010
[10].王春梅,佟丽英,史继祥,王聪.硼扩散片弯曲度的控制技术研究[J].电子工业专用设备.2010
论文知识图
