单向复合材料C/SiC纳米刻划实验研究

单向复合材料C/SiC纳米刻划实验研究

论文摘要

为了进一步研究纤维增韧陶瓷基复合材料的磨削机理,设计制备了单向C/SiC模型复合材料,然后将复合材料在3个典型方向进行刻划。通过刻划实验研究分析了单颗金刚石磨粒作用下复合材料的界面失效机制及微观材料去除机理。结果表明:在单颗金刚石磨粒刻划作用下,脆性断裂是C/SiC复合材料的主要去除方式,复合材料的破坏形式主要是基体开裂、界面失效、纤维断裂的综合模式。其材料去除难易程度符合规律:法向<纵向<横向。此外,研究结果为C/SiC刻划材料去除机理研究提供了实验提导,并为陶瓷基复合材料磨削机理的揭示提供了实验基础。

论文目录

  • 1 实验设计
  •   1.1 实验仪器与试样制备
  •   1.2 实验方案
  • 2 实验结果分析
  •   2.1 刻划深度曲线分析
  •   2.2 磨粒载荷作用下材料界面失效机制
  • 3 结论
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 张立峰,王盛,李战,王涛

    关键词: 陶瓷基复合材料,刻划实验,界面失效,金刚石磨粒

    来源: 热加工工艺 2019年04期

    年度: 2019

    分类: 工程科技Ⅰ辑

    专业: 材料科学

    单位: 中国民航大学航空工程学院

    基金: 中国民航大学科研启动基金项目(2017QD08S)

    分类号: TB332

    DOI: 10.14158/j.cnki.1001-3814.2019.04.029

    页码: 117-120

    总页数: 4

    文件大小: 1162K

    下载量: 160

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