导读:本文包含了通态压降论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:晶闸管,晶体管,发射极,栅极,功率,时间,半导体器件。
通态压降论文文献综述
马骏超,江全元,赵宇明[1]（2017）在《考虑直流固态断路器通态压降的低压直流配电网最优潮流》一文中研究指出在直流固态断路器的实际应用中发现,其通态压降将对低压直流配电网的系统潮流产生不可忽略的影响。因此,文中对考虑直流固态断路器通态压降的低压直流配电网最优潮流(OPF)问题进行研究,建立了只包含连续变量的直流固态断路器稳态模型,从而可以方便地使用现有方法对该问题进行求解。通过RT-Lab仿真实验和对不同电压等级直流配电网的潮流分析可知,对于低压直流配电网而言,直流固态断路器的通态压降不可忽略,否则将导致较大的电压、功率计算误差,严重时将影响系统运行安全。此外,基于RT-Lab仿真平台,分别在考虑和不考虑断路器通态压降的情况下,对低压直流配电网OPF指令的控制效果给予验证。仿真结果表明,在低压直流配电网OPF中,考虑直流固态断路器的通态压降是必要的,并且所得到的指令可较为可靠地控制系统状态使其维持在可行域范围内。(本文来源于《电力系统自动化》期刊2017年05期）
刘继红,李宫怀[2]（2015）在《如何降低半导体器件通态压降》一文中研究指出在半导体器件应用过程中,器件热击穿是造成失效的主要原因,而热击穿多数是由于器件压降较大造成的,这就需要在器件制造过程中,进行理论分析并采取合理的工艺方法,降低器件的压降,使器件在工作时发热量较小,提高器件工作的可靠性。(本文来源于《电子技术与软件工程》期刊2015年02期）
关艳霞,凌宇[3]（2013）在《N~+缓冲层对PT-IGBT通态压降影响的研究》一文中研究指出N+缓冲层设计对PT-IGBT器件特性的影响至关重要。文中利用Silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行仿真。提取相同电流密度下,不同N+缓冲层掺杂浓度PT-IGBT的通态压降,得到了通态压降随N+缓冲层掺杂浓度变化的曲线,该仿真结果与理论分析一致。对于PT-IGBT结构,N+缓冲层浓度及厚度存在最优值,只要合理的选取可以有效地降低通态压降。(本文来源于《电子设计工程》期刊2013年07期）
关艳霞,姜秀丽[4]（2011）在《栅极宽度对IGBT通态压降的影响》一文中研究指出利用silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行了仿真,在同一电流密度下提取了不同栅极宽度IGBT的通态压降,得到了通态压降随栅极宽度变化的曲线,该仿真结果与理论分析一致。对于相同的元胞尺寸,栅极宽度存在最优值,只要合理地选取,可以有效地降低通态压降。(本文来源于《电子设计工程》期刊2011年22期）
尚超,梁琳,余岳辉,冯仁伟,刘雪青[5]（2011）在《反向开关晶体管开关通态峰值压降的精确测量与研究》一文中研究指出基于反向开关晶体管的特殊工作原理,设计了并联电阻法精确测量RSD的通态峰值压降。介绍了通态峰值压降的测量原理及过程,并确定了电路参数。实验结果表明:直径16mm的单片反向开关晶体管在1.2kA的脉冲电流(脉宽17.5μs)下测得通态峰值压降为8.0V。并且,反向开关晶体管通态峰值压降随换流峰值的增大而增大;改变分压电阻比值对测量结果无明显影响。(本文来源于《电工技术学报》期刊2011年03期）
尚超,余岳辉,陈学川,彭亚斌[6]（2008）在《脉冲功率开关RSD通态压降的研究》一文中研究指出RSD(Reversely Switched Dynistor)是一种晶闸管和晶体管相间排列的多元胞结构高速大功率半导体开关器件,RSD采用控制等离子层触发的开通模式。文章从理论上推导了RSD通态压降的表达式,并给出了该压降与器件结构参数的表达式,根据其解析式,给出了降低器件损耗的方法。(本文来源于《2008中国电工技术学会电力电子学会第十一届学术年会论文摘要集》期刊2008-11-01）
郑媛[7]（2006）在《功率MOS场效应晶体管的通态压降一定比普通双极晶体管的大吗?》一文中研究指出由于功率MOSFET(MOS场效应晶体管)体内没有引入电导调制机制,其基区电阻得不到注入电流的调制。特别是它的通态电阻RDSon随其耐压的2.5次方成比例急剧增大。所以,人们通常认为,功率MOSFET的通态压降比同电压等级的普通双极晶体管要大,甚至大得多(本文来源于《电气技术》期刊2006年07期）
叶俊龙,梁建锋,张少云,简亚平[8]（2004）在《压焊方式对肖特基器件通态压降的影响》一文中研究指出在半导体器件的后部封装工艺中,不同的压焊方式会导致不同的铝丝和肖特基结接触面积,从而导致不同的接触电阻,最终影响肖特基器件的通态压降。根据肖特基器件的电流鄄电压关系式,用MATLAB曲线拟合的方式求出了不同压焊方式下的接触电阻。通过实验选取合理的压焊方式,可极大地提高器件的合格率。(本文来源于《电力电子技术》期刊2004年05期）
何维,林理彬,卢勇,陈军,朱佳政[9]（1999）在《双束质子辐照降低快速晶闸管通态压降的研究》一文中研究指出在分析晶闸管通态压降产生的机理的基础上， 从协调开关时间与通态压降关系入手提出了采用双束质子辐照晶闸管。对ＫＫ２００Ａ 半成品晶闸管进行能量３．５ＭｅＶ 和５．０ＭｅＶ 注量为２．５×１０１１ｐ／ｃｍ ２ 的单束质子辐照晶闸管所得的晶闸管的电学参数与先用５．０ＭｅＶ 后用３．５ＭｅＶ 能量注量都为２．５×１０１１ｐ／ｃｍ ２ 的双束质子辐照的晶闸管所得的电学参数进行了对比， 发现双束质子辐照不仅能有效地缩短晶闸管的开关时间， 而且在降低快速晶闸管的通态压降方面比单束质子辐照的晶闸管优越(本文来源于《半导体技术》期刊1999年06期）
徐静平,余岳辉,彭昭廉,陈涛[10]（1995）在《新型低损耗快速薄发射极晶闸管关断时间和通态压降的分析》一文中研究指出本文利用非对称ｐｉｎ二极管模型，对新型多晶硅接触薄发射极晶闸管关断时间和通态压降之间的折衷关系进行了较为详细的理论分析和实验研究，并与常规结构进行了比较，数值计算和实验结果表明，在合适的薄发射区厚度和杂质总量下，不但关断时间较常规结构缩短约１．５倍的因子，而且通态压降也低于常规结构；更有意义的是，当ｎＢ基区少子寿命减小到合适值时，关断时间进一步缩短到常晶闸管的１／２．５～１／３，而通态特性没有恶化。(本文来源于《电子学报》期刊1995年08期）
通态压降论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
在半导体器件应用过程中,器件热击穿是造成失效的主要原因,而热击穿多数是由于器件压降较大造成的,这就需要在器件制造过程中,进行理论分析并采取合理的工艺方法,降低器件的压降,使器件在工作时发热量较小,提高器件工作的可靠性。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
通态压降论文参考文献
[1].马骏超,江全元,赵宇明.考虑直流固态断路器通态压降的低压直流配电网最优潮流[J].电力系统自动化.2017
[2].刘继红,李宫怀.如何降低半导体器件通态压降[J].电子技术与软件工程.2015
[3].关艳霞,凌宇.N~+缓冲层对PT-IGBT通态压降影响的研究[J].电子设计工程.2013
[4].关艳霞,姜秀丽.栅极宽度对IGBT通态压降的影响[J].电子设计工程.2011
[5].尚超,梁琳,余岳辉,冯仁伟,刘雪青.反向开关晶体管开关通态峰值压降的精确测量与研究[J].电工技术学报.2011
[6].尚超,余岳辉,陈学川,彭亚斌.脉冲功率开关RSD通态压降的研究[C].2008中国电工技术学会电力电子学会第十一届学术年会论文摘要集.2008
[7].郑媛.功率MOS场效应晶体管的通态压降一定比普通双极晶体管的大吗?[J].电气技术.2006
[8].叶俊龙,梁建锋,张少云,简亚平.压焊方式对肖特基器件通态压降的影响[J].电力电子技术.2004
[9].何维,林理彬,卢勇,陈军,朱佳政.双束质子辐照降低快速晶闸管通态压降的研究[J].半导体技术.1999
[10].徐静平,余岳辉,彭昭廉,陈涛.新型低损耗快速薄发射极晶闸管关断时间和通态压降的分析[J].电子学报.1995
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