导读:本文包含了坩埚下降法论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:坩埚,晶体,生长,光谱,布里,高温,钼酸。
坩埚下降法论文文献综述
陈亚萍,孙志刚,赵艳,廖凡,陈红兵[1]（2019）在《Nd~(3+)∶YCa_4O(BO_3)_3单晶的坩埚下降法生长与光谱性能(英文)》一文中研究指出Nd~(3+)∶YCOB单晶是在激光调制技术上具有重要应用价值的自倍频光学材料。采用高温固相反应合成Nd~(3+)∶YCOB多晶粉体,再通过垂直区熔处理制备出高纯度Nd~(3+)∶YCOB晶粒料,采用坩埚下降法生长出1mol%、2mol%和5mol%Nd~(3+)掺杂比例的系列Nd~(3+)∶YCOB单晶。测试表征了所生长单晶试样的光谱性能,包括吸收光谱、荧光光谱和荧光衰减时间。在808 nm红外光源激发下,Nd~(3+)∶YCOB单晶显示出中心波长1064 nm的强荧光发射,其荧光寿命为157～162μs,证实1064 nm强荧光发射随Nd~(3+)掺杂浓度加大而明显增强。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2019年11期）
徐家跃,申慧,金敏,张彦,田甜[2]（2019）在《坩埚下降法在新材料探索及晶体生长中的应用》一文中研究指出坩埚下降法是一种重要的晶体生长技术,成功用于生长闪烁晶体锗酸铋(Bi_4Ge_3O_(12))、声光晶体氧化碲(TeO_2)、压电晶体四硼酸锂(Li_2B_4O_7)以及新型弛豫铁电晶体等材料,并实现了产业化。坩埚下降法在层状结构晶体、异型晶体、高通量生长等新材料探索中也有巨大的潜力。本文主要介绍我们团队近年来在坩埚下降法生长硒化锡(SnSe)晶体、全无机铅卤基钙钛矿晶体、高温合金、硅酸铋晶体高通量筛选等方面的研究结果。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2019年06期）
韩树军[3]（2017）在《坩埚下降法晶体生长自动化控制》一文中研究指出随着工业化生产的发展,自动化程度的提高,各行各业都在向着机器人时代发展,而人工晶体生长工艺繁琐、设备复杂,想实现机器人替代人工需要一些时间。经过不断探索与试验,在坩埚下降法晶体生长过程中初步实现自动化控制。利用组态监控软件,构建出晶体生长过程的人机互换界面,通过组态与简单的程序编写实现人工晶体生长的自动化控制。本文通过使用MCGS组态软件与PMC、温控仪进行通讯、数据采集与发送指令,实现自动控制。可提高生产效率,降低人工成本,为企业创造更多利润。(本文来源于《工业设计》期刊2017年07期）
金敏,徐家跃,范世骥,申慧,何庆波[4]（2017）在《坩埚下降法生长红外砷化镓晶体的研究》一文中研究指出利用坩埚下降法生长红外砷化镓晶体,坩埚下降炉控温1 260℃,晶体以2.5mm/h速度在温度梯度为10℃/cm的条件下结晶生长.PBN坩埚外壁黏附有气相自发成核、尺寸为1~3mm的砷化镓单晶颗粒.生长的砷化镓晶体直径约50.8mm,总长约140mm.晶体头部放肩阶段存在异相成核,尾部出现多晶.截断后获得的砷化镓单晶长约100mm,成晶率达70%.砷化镓单晶结晶质量良好,头尾平均位错密度分别为868cm-2和1 436cm-2,电阻率达107Ω·cm量级.砷化镓单晶整体红外透过率约为55%,接近最高理论透过率55.8%.满足工业界使用要求.(本文来源于《应用技术学报》期刊2017年01期）
王贺伟[5]（2016）在《CTGS压电单晶的坩埚下降法生长及振动传感应用基础研究》一文中研究指出高温压电晶体及传感器件在航空航天、核电能源、石油勘测和化学工业等领域有着重要的应用,但目前商业化的石英、铌酸锂等晶体,由于高温介电和压电性能不稳定,难以满足实际应用需求。硅酸镓镧(La3Ga5SiOi4,LGS)构型晶体具有较高的熔点(1450℃～1510℃),室温到熔点无相变、硬度适中、容易生长,是一类重要的高温压电晶体材料。在LGS构型晶体当中,结构有序的Ca3TaGa3Si2O14(CTGS)晶体拥有较高的电阻率和机械品质因子,综合性能较同构型其它晶体更为优良,因此有着光明的应用前景。为探讨该晶体在高温压电传感技术中的应用,本论文研究了CTGS晶体的坩埚下降法生长工艺,尝试了压电振动传感元器件的研制。主要的研究工作和结果如下：(1)设计了CTGS晶体生长用双温区坩埚下降炉,通过调整发热体(硅钼棒)在炉腔内的放置,获得了适合CTGS单晶生长的温梯结构,纵向温度梯度10~20℃/cm。(2)通过改进多晶制备工艺,获得了物相单一的CTGS多晶原料,提高了单晶生长质量。研究并获得了适合CTGS单晶生长的工艺制度：晶体放肩速率0.25mm/h,晶体等径生长速率0.35mm/h。沿x方向成功生长了质量良好的CTGS晶体,尺寸为Φ25mm×80mm。沿Y和Y偏-Z轴30°方向(记作Y(-30°)方向)分别生长了尺寸为ΦP25mm×60mm和Φ25mm×50mm的CTGS晶体,但晶体质量有待提高。(3)研究并表征了晶体的生长质量和生长缺陷。通过高分辨x射线衍射技术测量了晶体内部不同位置的摇摆曲线,结果显示,所生长的CTGS晶体具有良好的摇摆曲线峰形,半峰宽数值小于50",说明晶体内部没有孪晶界,晶格完整度较高。利用扫描电镜EDS分析了晶体表面的元素比例,结果表明在晶体表面缺陷处存在Ca元素的缺失和O元素的富集,认为与晶体生长过程中微小气泡的聚集有关。利用X射线光电子能谱(XPS)分析了晶体尾部的晶区和杂质区的元素变化。结果表明,尾部晶区中存在Ta元素的富集和Ga元素的缺失,而尾部杂质区中存在Ga和si元素的缺失,分析认为Ga元素的挥发导致了晶区和杂质区Ga元素含量的偏离。(4)利用阻抗法研究了生长晶体的介电、弹性、机电耦合系数和压电常数的温度依赖性,以及特殊晶体切型的频率温度特性。研究表明,坩埚下降法生长的晶体不同部位的晶体切型随温度变化一致,表明晶体整体电弹性能均一稳定。在室温到900℃范围内,介电常数εt11、弹性柔顺系数SE22、机电耦合系数K12和压电系数D12均随温度升高而逐渐升高,其中k12变化率<30%,d12变化率<21%。特别地,当温度高于600℃时晶体的介电损耗明显增加(>5%)。与提拉法生长的晶体相比,下降法生长的晶体在介电性能上差异较大,其介电常数随温度升高至600℃以后逐渐增加,900℃变化率为12%,而提拉法介电常数变化率更加稳定<4%。并且600℃之后下降法生长的晶体介电损耗增加较快,900℃损耗为2.3,相比之下,提拉法生长的CTGS晶体介电损耗较小仅为0.8,我们认为这与晶体生长质量有关。对沿特殊方向Y(-30°)生长的CTGS晶体,进行了频率温度依赖性测试。结果表明,垂直于生长方向加工的压电晶片,其频率温度拐点出现在250℃附近,一阶频率温度系数为17ppm/℃,二阶频率温度系数为-38ppb/℃2,与提拉法生长晶体的YXl(-30°)晶片的测试结果相一致,从而确定得到的CTGS晶体是沿Y偏-z轴30°进行生长的,没有发生角度的偏离。(5)基于对CTGS晶体电弹性能研究,设计了压缩式和剪切式振动传感器原型器件,利用搭建的高温振动测试平台,测试了器件在室温到200℃、10-1000Hz范围内的振动传感性能。在100Hz、500Hz和1000Hz条件下,测得压缩式振动传感器件的灵敏度分别为0.36±0.03pC/g、0.36±0.03pC/g和0.32±0.02pC/g: 剪切式传感器件的灵敏度分别为0.44±0.02pC/g、0.45±0.02pC/g和0.46±0.02pC/g:,在室温到200℃范围内,压缩式和剪切式振动传感器件的灵敏度变化率分别低于8.5%和4.5%。说明剪切式传感器件具有比压缩式传感器件更好的温度稳定性。结合对CTGS电弹性能的测试结果,我们认为,压电常数d11的温度漂移是造成压缩式传感器灵敏度变化的主要原因。通过计算热灵敏度漂移,得到在100Hz条件下,压缩式振动传感器的热灵敏度漂移最大为0.1%,剪切式振动传感器热灵敏度漂移最大为0.02%,表现了良好的灵敏度温度稳定性。整个温度范围内,压缩式振动传感器的非线性误差最大为3.5%,剪切式传感器的非线性误差最大为3.2%。综合来看,剪切式CTGS振动传感器件的性能更为优良。(本文来源于《山东大学》期刊2016-04-07）
王敏刚,叶斌,魏冉,胡旭波,戴世勋[6]（2015）在《Er~(3+)∶CaMoO_4单晶的坩埚下降法生长与光谱性能》一文中研究指出采用高温固相反应法合成Er3+∶Ca Mo O4多晶料,通过坩埚下降法生长出1mol%Er3+掺杂Ca Mo O4单晶;应用X射线粉末衍射证实了晶体材料的结晶物相,测试了退火前后单晶试样的透射光谱、吸收光谱、上转换荧光光谱和近红外荧光光谱,应用Judd-Ofelt理论计算了Er3+∶Ca Mo O4晶体的光谱性能参数。研究表明,在980 nm激发光源作用下,从单晶试样获得较强的上转换绿色荧光发射,且呈现以1535 nm为中心波长的较宽荧光发射;经空气氛退火处理单晶试样的光学透过性得以改善,其上转换荧光发射和近红外荧光发射也得以明显增强。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2015年10期）
徐家跃,王冰心,金敏,房永征[7]（2015）在《GaAs晶体坩埚下降法生长及掺杂效应》一文中研究指出作为第二代半导体材料,Ga As晶体自60年前被发现以来已广泛应用于激光、通讯和显示等领域,并发展出液封提拉法、水平布里奇曼法、垂直梯度凝固法等多种生长工艺。本文总结了Ga As晶体的最新研究进展,探讨了各种生长方法的特点及其应用,重点报道了Ga As晶体坩埚下降法生长的研究成果。坩埚下降法具有一炉多产、易操作、低成本等优点,已成为Ga As晶体产业化的重要途径。掺杂不仅能调节Ga As晶体的性能,还会对晶体生长产生重要影响。本文还给出了Bi、Si、Zn等掺杂Ga As晶体生长结果,探讨了它们的性能、缺陷以及在不同领域里的应用。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2015年10期）
[8]（2015）在《《坩埚下降法晶体生长》出版》一文中研究指出晶体材料在现代工业中占有极其重要的作用,甚至可以说是高技术产业的基石。比如,集成电路建立在硅、砷化镓、碳化硅等半导体单晶基础上,移动通信通常需要大量石英和铌酸锂晶体,LED则少不了蓝宝石、氮化镓等晶体,激光器更是肇始于钛宝石晶体。人工晶体是我国少有的几个在国际上具有技术优势和学科特色的领域之一。我国科学家研制的闪烁晶体(BGO、PWO、PbF_2)、非线性光学晶体(BBO、LBO、KDP、KBBO)、(本文来源于《人工晶体学报》期刊2015年09期）
[9]（2015）在《《坩埚下降法晶体生长》出版》一文中研究指出晶体材料在现代工业屮占有极其重要的作用,甚至可以说是高技术产业的基石。比如,集成电路建在硅、砷化镓、碳化硅等半导体单晶基础上,移动通信通常需要大量石英和铌酸锂晶体,LED则少不了蓝宝石、氮化镓等晶体,激光器更是肇始于钛宝石晶体。人(本文来源于《人工晶体学报》期刊2015年08期）
于法鹏,王贺伟,侯帅,陈菲菲,赵显[10]（2015）在《CTGS高温压电晶体的坩埚下降法生长和性能表征》一文中研究指出Ca_3TaGa_3Si_2O_(14)(CTGS)属于结构有序型硅酸镓镧系列晶体,具有比硅酸镓镧更加优异的高温压电性能。为开发该晶体在高温压电传感技术领域中的应用,本工作采用坩埚下降法进行了单晶生长,沿〈100〉方向和(120〉方向定向生长得到了优质CTGS单晶(直径2.5cm,长6.0cm),摇摆曲线半峰宽数值小于50角秒。测算并研究了CTGS晶体在20℃至900℃的温度区间内电弹性能的温度稳定性,结果表明,在整个温度范围内,压电常数d_(11)的变化率低于30%,电弹常数s_(22)的变化率小于10%。特别地,沿Y(-30°)定向生长的CTGS单晶,晶圆在20℃~600℃区间内具有良好的频率温度稳定性,其一阶频率温度系数为17ppm/℃,二阶频率温度系数为-38ppb/℃~2,高温传感应用研究正在进行中。(本文来源于《第十七届全国晶体生长与材料学术会议摘要集》期刊2015-08-11）
坩埚下降法论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
坩埚下降法是一种重要的晶体生长技术,成功用于生长闪烁晶体锗酸铋(Bi_4Ge_3O_(12))、声光晶体氧化碲(TeO_2)、压电晶体四硼酸锂(Li_2B_4O_7)以及新型弛豫铁电晶体等材料,并实现了产业化。坩埚下降法在层状结构晶体、异型晶体、高通量生长等新材料探索中也有巨大的潜力。本文主要介绍我们团队近年来在坩埚下降法生长硒化锡(SnSe)晶体、全无机铅卤基钙钛矿晶体、高温合金、硅酸铋晶体高通量筛选等方面的研究结果。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
坩埚下降法论文参考文献
[1].陈亚萍,孙志刚,赵艳,廖凡,陈红兵.Nd~(3+)∶YCa_4O(BO_3)_3单晶的坩埚下降法生长与光谱性能(英文)[J].人工晶体学报.2019
[2].徐家跃,申慧,金敏,张彦,田甜.坩埚下降法在新材料探索及晶体生长中的应用[J].人工晶体学报.2019
[3].韩树军.坩埚下降法晶体生长自动化控制[J].工业设计.2017
[4].金敏,徐家跃,范世骥,申慧,何庆波.坩埚下降法生长红外砷化镓晶体的研究[J].应用技术学报.2017
[5].王贺伟.CTGS压电单晶的坩埚下降法生长及振动传感应用基础研究[D].山东大学.2016
[6].王敏刚,叶斌,魏冉,胡旭波,戴世勋.Er~(3+)∶CaMoO_4单晶的坩埚下降法生长与光谱性能[J].人工晶体学报.2015
[7].徐家跃,王冰心,金敏,房永征.GaAs晶体坩埚下降法生长及掺杂效应[J].人工晶体学报.2015
[8]..《坩埚下降法晶体生长》出版[J].人工晶体学报.2015
[9]..《坩埚下降法晶体生长》出版[J].人工晶体学报.2015
[10].于法鹏,王贺伟,侯帅,陈菲菲,赵显.CTGS高温压电晶体的坩埚下降法生长和性能表征[C].第十七届全国晶体生长与材料学术会议摘要集.2015
论文知识图
