面阵探测器论文_葛鹏,郭静菁,尚震

导读:本文包含了面阵探测器论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译,主要关键词:探测器,缺陷,激光,阵列,电路,芯片,图像。

面阵探测器论文文献综述

葛鹏,郭静菁,尚震[1](2019)在《基于面阵单光子探测器的激光叁维成像》一文中研究指出单光子探测器具有光子能量水平响应灵敏度、纳秒级别时间分辨率,将极大提升激光雷达探测距离、成像效率等性能,在遥感领域具有广泛应用前景。本文基于盖革雪崩光电二极管(APD)阵列的面阵单光子探测器,搭建了激光叁维成像实验装置,通过有效提取激光回波信号,实现了室外300米目标叁维成像。(本文来源于《电子技术与软件工程》期刊2019年16期)

孙朝明,葛继强,孙凯华[2](2018)在《数字射线面阵探测器校正的优化技术》一文中研究指出数字射线探测器的校正效果很大程度上影响到射线检测的图像质量,为避免图像质量出现不可控或严重劣化问题,对数字射线面阵探测器的校正及其优化技术进行了研究。分析了射线探测器的校正程序、射线探测器的信号转换过程,在此基础上,改变射线能量、射线强度,进行探测器的校正试验。实验结果表明:经有效校正处理后,探测器各像元间的不一致情况明显得到抑制,图像灰度值达到较均匀状态。探测器校正时,接收的射线强度高,可获得更高的图像信噪比,从而有利于提高图像质量。探测器校正时使射线能量与射线检测时的能量相同,可在射线检测时获得良好校正输出。通过试验分析可知,优化数字射线探测器校正方法的关键在于选取适合的校正因子;而对于图像质量已劣化的数字射线探测器输出,仍可采取措施使输出的图像质量得到改善,即先将劣化图像还原为特定射线辐照下探测器的响应,然后使用合适的校正因子对还原后的探测器响应进行校正。(本文来源于《核技术》期刊2018年09期)

侯治锦,傅莉,鲁正雄,司俊杰,王巍[3](2018)在《用于识别面阵探测器相连缺陷元的新型光学滤光片(英文)》一文中研究指出相连缺陷元识别一直是面阵探测器研究难点。面阵探测器相连缺陷元的光电信号与正常元基本相同,因此采用现有面阵测试方法无法识别相连缺陷元。提出了一种新型光学滤光片来识别面阵探测器中的相连缺陷元。在提出的滤光片结构中,有两种不同透光率、且交错排列的阵列组成。采用该滤光片后,相连缺陷元的响应电压值是正常单元响应电压的50%,面阵探测器相连缺陷元可以被显着识别。(本文来源于《红外与激光工程》期刊2018年07期)

侯治锦,傅莉,鲁正雄,司俊杰,王巍[4](2018)在《InSb面阵探测器铟柱缺陷成因与特征研究》一文中研究指出通过基于正性光刻胶的不同像元尺寸铟柱阵列及器件制备,研究In Sb面阵探测器铟柱缺陷成因与特征.分别研制了像元尺寸为50μm×50μm、30μm×30μm、15μm×15μm的面阵探测器的铟柱阵列,并制备出In Sb面阵探测器,利用高倍光学显微镜和焦平面测试系统对制备的芯片表面形貌、器件连通性及性能进行了检测与分析.研究结果表明:当像元尺寸为50μm×50μm时,芯片表面形貌和器件连通性测试结果较好;随着像元尺寸减小,芯片表面会出现铟柱相连或铟柱缺失缺陷,器件连通性测试结果与表面形貌相吻合.铟柱相连缺陷是由光刻剥离时残留铟渣引起的铟相连造成;铟柱缺失缺陷是由光刻时残留光刻胶底膜引起的铟柱缺失造成.器件相连缺陷元的响应电压与正常元基本相同,缺失缺陷元的响应电压基本为0,其周围最相邻探测单元响应电压相比正常元增加了约25%.器件缺陷元的研究结果,对通过优化探测器制作水平提升其性能具有重要参考意义.(本文来源于《红外与毫米波学报》期刊2018年03期)

李静[5](2018)在《微纳CT面阵CCD探测器数据采集与传输系统研制》一文中研究指出近年来,随着工业CT应用范围的不断扩大,CT系统精度需求不断提高,特别是在生物结构、材料微观结构等方面对空间分辨率要求达到微米甚至纳米级。高分辨率的微纳CT(Micro-nano CT)是当前的研究热点。高分辨率面阵探测器是微纳CT系统关键部件,探测器性能直接影响系统指标。本文对以高分辨率面阵CCD为核心部件的探测器开展研究,开发和设计了探测器采集与传输系统,并完成了硬件制作和相应软件设计。论文主要工作内容和创新点如下:首先,本文对用于低能X射线的面阵CCD探测器结构以及工作原理进行了分析。研究了系统的控制方案和数据传输方案,并完成了系统总体方案的设计。其次,具体分析了满足设计需求的KAF-8300面阵CCD器件的参数和性能。分别设计了以集成功率芯片、分立器件为核心的探测器驱动电路和以运算放大器电压跟随电路和稳压电源芯片为核心的电压供给电路;设计了信号调理电路,使KAF-8300芯片的输出电压和A/D芯片的输入电压能够互相匹配;分析了A/D芯片WM8214的功能与特性,并完成了相关电路设计;设计了FPGA芯片的配置电路和外围电路;重点研究了Camera Link接口技术,设计了Camera Link接口的配置电路;研究了NI PCIE-1427图像采集卡的特性、LabVIEW编程的方法和上位机显示技术。然后,根据驱动方案和电源供给方案,对各个模块进行测试和分析比较优化;本文探测器系统的核心控制器件来自ALTERA公司的EP3C5E144I7型号的FPGA。KAF-8300的驱动电压信号时序、A/D芯片的相关双采样时序和寄存器配置、Camera Link接口协议驱动时序。结果证明本文方案满足设计需求。综上,本文在分析了闪烁体光纤耦合面阵CCD的X射线探测器工作原理基础上,完成了探测器系统方案设计和核心器件选型。完成了面阵CCD芯片的驱动电路、A/D转换电路、采集与传输电路及时序电路硬件设计与实现,软件编程与调试。实验结果表明,本文设计方案合理可行,同时验证了采用的Camera Link接口技术和LabVIEW上位机技术,让数据采集传输系统的设计更便利。(本文来源于《重庆大学》期刊2018-04-01)

胡凯[6](2017)在《基于InGaAs面阵探测器的FM/cw激光雷达读出电路的设计技术研究》一文中研究指出基于调频连续波(FM/cw)测距原理的激光成像雷达对信号处理电路的带宽和速度要求较低,在系统高集成度、小型化和低功耗上具有明显优势。读出电路作为激光雷达系统的重要组成部分,是影响和提高探测器性能的重要因素。FM/cw激光雷达采用的探测器是一种光电自混频器件,具有与常规探测器不同的工作原理和寄生效应,这对读出电路的设计提出了新的要求和挑战。本文基于InGaAs 64×64面阵自混频探测器,开展了CMOS读出电路的设计技术的研究工作,主要内容如下:1、根据自混频探测器的工作原理和器件结构特征,探索了探测器的混频特性与主要外在影响因素之间的关系。基于肖特基势垒二极管的隧道效应和半导体光电效应,从理论上进一步阐述了自混频探测器的混频机制。通过完善探测器的等效电路模型,有效提取出影响读出电路性能的主要寄生参数。2、分别基于0.35μm CMOS和0.18μm RF CMOS工艺,设计了两种用于选通射频本振信号的多路选择器。仿真和测试结果表明,当负载为面阵探测器时,前者实现了5 Vpp的输出电压摆幅,带宽约100 MHz;后者实现了约300 MHz的带宽,电压摆幅约2.6 Vpp;二者的隔离度在以上带宽内均大于40 dB。3、探测器的寄生高频大信号引起了CMOS放大器的非线性失真,从而导致了模拟放大电路的输出信号发生中心电平漂移现象。为解决该问题,提出了一种优化的模拟放大读出电路。通过优化电路参数,采用多级滤波电路,有效抑制了中心电平漂移,并准确提取出了探测器的有效输出信号。4、受寄生衬底耦合和空间耦合的影响,由跨阻和电压放大器级联组成的模拟放大电路在高增益下易发生自激振荡现象。本论文提出了一种稳定性仿真模型,集合了这两种寄生对稳定性的影响,能够较为准确地评价电路的稳定性。同时,提出了一种电容补偿方法,不仅提高了电路的稳定性,而且较好地保持了电路原有的带宽和增益。测试结果验证了以上仿真模型和补偿方法的有效性。5、完成了读出电路与面阵探测器的集成小型化封装组件,测试结果表明:基于0.18μm CMOS工艺的1×32阵列模拟放大电路在140 dB?跨阻增益下的带宽约为1 MHz,最高增益可达160 dB?@300 kHz。该器件已应用于FM/cw激光成像雷达系统中,并实现了对目标叁维图像和灰度图像的获取。(本文来源于《天津大学》期刊2017-11-01)

孟超,司乐飞,张晓玲,孟庆端[7](2017)在《背减薄过程中面阵探测器形变研究》一文中研究指出为提高Insb面阵探测器的探测率,需要借助背减薄工序把Insb光敏元芯片从300tzm减薄到10μm,这一过程通常决定了面阵探测器的成品率。为了解面阵探测器在背减薄工序中的形变规律,针对典型器件结构,借助ANSYS软件,基于等效建模思路,建立了适用于Insb面阵探测器的叁维结构模型,调整Insb光敏元芯片厚度,模拟探测器形变特征及分布随背减薄工艺实施过程的变化规律。模拟结果表明:当InSb光敏元芯片较厚时,面阵探测器的整体形变以弯曲变形为主,其中心区域上凸明显;随着InSb光敏元芯片逐步减薄,其中心区域的上凸变形逐步弱化,当InSb光敏元芯片厚度减薄到12μm时,探测器上表面屈曲变形占优,且随着Insb光敏元芯片厚度的减小而愈加清晰可见,此时探测器整体弯曲变形很弱。(本文来源于《航空兵器》期刊2017年02期)

侯治锦,傅莉,司俊杰,王巍,吕衍秋[8](2017)在《面阵探测器相连缺陷元识别定位》一文中研究指出面阵探测器相连缺陷元的光电信号与正常元基本相同,因此采用现有面阵测试方法无法识别相连缺陷元.针对相连缺陷元的特点,提出了借助改变面阵探测器光电响应的方法来实现相连缺陷元的识别定位.实验结果表明,该方法使面阵探测器分为两个不同透过率探测单元,多元相连缺陷元响应电压是相对应的两个不同透过率探测单元响应电压之和的平均值.采用MATLAB软件对测试数据进行分析处理,分析结果清晰给出缺陷元诸如个数、形状和位置等详细信息.采用本方法面阵探测器相连缺陷元可以被显着识别定位.研究结果为今后的面阵探测器评测与可靠性提高提供了参考.(本文来源于《红外与毫米波学报》期刊2017年02期)

李彦涛[9](2017)在《长波HgCdTe红外探测器面阵的结区光电功能表征与分析》一文中研究指出红外焦平面探测器因为具有较高的分辨率、较强的抗干扰性能和较强的穿透能力,已经被广泛应用于军事和民用领域。碲镉汞(HgCdTe)材料具有带隙连续可调、高量子效率和高电子迁移率等优点,因此可用于生产高性能红外焦平面探测器(FPA),然而,干法刻蚀引起的HgCdTe材料表面的损伤严重制约了红外焦平面探测阵列的性能。本文采用具有高信噪比和高空间分辨率的光电流面扫描方法(SPCM)来表征Hg空位p型Hg_(1-x)Cd_xTe(x=0.22)材料刻蚀损伤器件(具有四个不同刻蚀温度区域)。最后发现,SPCM的峰值信号随着刻蚀温度的降低而减小,说明我们可以采取不同的刻蚀温度来调控干法刻蚀诱导的材料表面反型程度,我们的工作为在制作大规模红外焦平面过程中寻找最优的刻蚀工艺提供了有效参考。然后,我们也采用SPCM方法和Sentaurus TCAD软件对B+离子注入形成的n-on-p结进行了研究。最后,我们基于这两项研究获得了一些创新性结果:1.基于SPCM方法,制备了干法刻蚀HgCdTe样品,并提取得到不同刻蚀温度区域(273K、223K、173K和123K)的材料表面n型扩展区的大小分别为2.6mm,2.1mm,1.6mm和1.2mm。在n型反型区不同的电子浓度下,模拟得到的SPCM信号和实验所得到的SPCM信号比较一致,说明SPCM信号的峰值信号随着刻蚀温度的降低而减小的现象主要是由n型反型区不同的电子浓度造成的,并且n型反型区的厚度随着刻蚀温度的增加而增大。2.对于中波(x=0.30)HgCdTe器件,低温和高温下具有相近的SPCM信号,说明该中波HgCdTe器件在制作过程中引入的缺陷较少,同时,扩展区的大小和温度以及像元大小都没有直接的关系。3.结转变:对于长波(x=0.22)HgCdTe器件,低温下的长波器件为n-on-p结构,中间温度(100K-150K)下的长波器件为n-on-n-结构,较高温度(150K-290K)下的长波器件为n--on-n-on-n-结构。随着温度的升高,B+离子注入区的少子扩散长度逐渐减小,这是因为随着温度升高B+离子注入区中的复合中心被激活,导致少子寿命减小。根据实验结果模拟拟合得到陷阱能级为37.63me V,77K下,组分为0.22的HgCdTe材料的禁带宽度约为0.1272e V,因此陷阱能级约占了带隙的叁分之一。(本文来源于《中国科学院大学(中国科学院上海技术物理研究所)》期刊2017-04-01)

陈德章,张华,冷杰,高建波,路英宾[10](2017)在《基于APD面阵探测器的非扫描激光主动成像雷达》一文中研究指出为了获得目标区域的高精度3-D距离图像,采用自研带读出电路的雪崩光电二极管(APD)面阵探测器组件,研制了一台非扫描激光主动成像雷达。雷达采用波长1.064μm脉冲激光泛光照射目标区域,APD面阵探测器组件接收目标漫反射激光回波信号,经信息处理获得目标区域3-D距离图像,对典型目标开展了3-D成像实验研究。结果表明,所研制的非扫描激光主动成像雷达可获得较好的目标区域3-D距离图像,成像距离达1.2km,距离分辨率为0.45m,成像帧频为20Hz。基于APD面阵探测器组件的非扫描激光主动成像雷达技术取得突破。(本文来源于《激光技术》期刊2017年06期)

面阵探测器论文开题报告

(1)论文研究背景及目的

此处内容要求:

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例:

数字射线探测器的校正效果很大程度上影响到射线检测的图像质量,为避免图像质量出现不可控或严重劣化问题,对数字射线面阵探测器的校正及其优化技术进行了研究。分析了射线探测器的校正程序、射线探测器的信号转换过程,在此基础上,改变射线能量、射线强度,进行探测器的校正试验。实验结果表明:经有效校正处理后,探测器各像元间的不一致情况明显得到抑制,图像灰度值达到较均匀状态。探测器校正时,接收的射线强度高,可获得更高的图像信噪比,从而有利于提高图像质量。探测器校正时使射线能量与射线检测时的能量相同,可在射线检测时获得良好校正输出。通过试验分析可知,优化数字射线探测器校正方法的关键在于选取适合的校正因子;而对于图像质量已劣化的数字射线探测器输出,仍可采取措施使输出的图像质量得到改善,即先将劣化图像还原为特定射线辐照下探测器的响应,然后使用合适的校正因子对还原后的探测器响应进行校正。

(2)本文研究方法

调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

面阵探测器论文参考文献

[1].葛鹏,郭静菁,尚震.基于面阵单光子探测器的激光叁维成像[J].电子技术与软件工程.2019

[2].孙朝明,葛继强,孙凯华.数字射线面阵探测器校正的优化技术[J].核技术.2018

[3].侯治锦,傅莉,鲁正雄,司俊杰,王巍.用于识别面阵探测器相连缺陷元的新型光学滤光片(英文)[J].红外与激光工程.2018

[4].侯治锦,傅莉,鲁正雄,司俊杰,王巍.InSb面阵探测器铟柱缺陷成因与特征研究[J].红外与毫米波学报.2018

[5].李静.微纳CT面阵CCD探测器数据采集与传输系统研制[D].重庆大学.2018

[6].胡凯.基于InGaAs面阵探测器的FM/cw激光雷达读出电路的设计技术研究[D].天津大学.2017

[7].孟超,司乐飞,张晓玲,孟庆端.背减薄过程中面阵探测器形变研究[J].航空兵器.2017

[8].侯治锦,傅莉,司俊杰,王巍,吕衍秋.面阵探测器相连缺陷元识别定位[J].红外与毫米波学报.2017

[9].李彦涛.长波HgCdTe红外探测器面阵的结区光电功能表征与分析[D].中国科学院大学(中国科学院上海技术物理研究所).2017

[10].陈德章,张华,冷杰,高建波,路英宾.基于APD面阵探测器的非扫描激光主动成像雷达[J].激光技术.2017

论文知识图

迈克尔逊干涉技术成像原理面阵探测器绝对式轴角编码原理...实验过程图结构光检测原理图X一射线面阵探测器检测系统示意...1/4面阵探测器偏置锥束扫描原理

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面阵探测器论文_葛鹏,郭静菁,尚震
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