HWCVD法掺氧氢化非晶硅(a-SiOx:H)钝化n-Cz-Si研究

HWCVD法掺氧氢化非晶硅(a-SiOx:H)钝化n-Cz-Si研究

论文摘要

HIT电池高效率核心技术之一为本征非晶硅薄膜钝化硅片。本文采用热丝化学气相沉积(HWCVD)法制备a-SiOx:H,采用SintonWCT-120少子寿命测试仪、光谱型椭偏仪及傅里叶红外光谱测试仪分析样品性能,以期获得高质量a-SiOx:H的工艺参数并分析微观机理。结果表明:①随热丝电流增加,沉积a-SiOx:H膜的样品少子寿命先增加后减小,22.5 A时钝化效果最好,少子寿命高达2530μs,表面复合速率降至3.6 cm/s;②本实验结果中,a-SiOx:H钝化效果明显优于a-Si:H,少子寿命最高分别为2530和547μs;③a-SiOx:H薄膜中SiH、SiH2相对含量与薄膜钝化性能无直接关联。

论文目录

  • 1 薄膜沉积制备
  • 2 结果与分析
  • 3 结论
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 何玉平,袁贤,刘宇,刘宁,黄海宾

    关键词: 热丝化学气相沉积,少子寿命

    来源: 真空科学与技术学报 2019年06期

    年度: 2019

    分类: 工程科技Ⅱ辑,工程科技Ⅰ辑

    专业: 材料科学,工业通用技术及设备,电力工业

    单位: 南昌工程学院理学院,南昌大学光伏研究院

    基金: 江西省教育厅科学技术研究项目(GJJ171010),江西省青年科学基金项目(20171BAB216014)

    分类号: TB383.2;TM91

    DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2019.06.13

    页码: 519-523

    总页数: 5

    文件大小: 678K

    下载量: 45

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