导读:本文包含了二氧化钦薄膜论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:薄膜,二氧化,石墨,磁控溅射,性能,材料,氧化锆。
二氧化钦薄膜论文文献综述
高丹,康洪亮,徐强,佟丽英[1]（2019）在《APCVD制备二氧化硅薄膜工艺研究》一文中研究指出背封技术可以有效防止硅外延过程中造成的自掺杂现象。讨论了APCVD制备二氧化硅膜工艺中膜厚、淀积温度和O_2与SiH_4比例等关系,分析了膜厚均匀性的影响因素和膜表面质量,提出了SiO_2膜淀积的工艺条件及背封前清洗方法。(本文来源于《电子工艺技术》期刊2019年06期）
华千慧,曾彦玮,贺子豪,徐群杰[2]（2019）在《铝合金表面壳聚糖-二氧化锡薄膜的制备及其耐蚀性能的研究》一文中研究指出壳聚糖是一种天然的高分子,其分子中有大量的氨基和羟基,可以很好的吸附在金属上使金属免受腐蚀[1]。而二氧化锡作为一种无机物,具有很好的耐蚀性能。因此,我们采用环保而又简单的喷涂法和水热法在铝合金表面制备了壳聚糖-二氧化锡复合薄膜,并且在酸性条件下0.1M H2SO4和0.001M NaF(pH=3)进行电化学测试。从图1(a)可以看出,我们所制备的二氧化锡薄膜为团簇状的,并且均匀的覆盖在铝合(本文来源于《第十届全国腐蚀大会摘要集》期刊2019-10-24）
蔡文豪,王丽,王立坤,王贵,郁建元[3]（2019）在《二氧化锡–石墨烯复合薄膜的制备及结构和性能》一文中研究指出通过酸化和表面活性剂处理改善了石墨烯的分散稳定性,采用喷雾热解法在玻璃基底上制备了掺杂氟的二氧化锡(FTO)薄膜及其与石墨烯的复合(FTO-G)薄膜。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜分析了薄膜的结构和微观形貌;采用紫外分光光度计、高精度雾度仪和四点探针方阻仪分析了薄膜的光学和电学性能。结果表明:聚乙烯吡咯烷酮(PVP)具有较好的分散稳定效果,石墨烯的加入对FTO的结构和性能产生了显着的影响,并出现花椰菜特征的表面形貌;当酸化石墨烯浓度为0.3 mg/m L时,FTO-G复合薄膜具有最大的择优取向度、最小的方块电阻为5.0?/sq和最大的雾度值为10.53%,品质因数最高为15.51×10-3?-1,综合性能最好。(本文来源于《硅酸盐学报》期刊2019年10期）
彭塞奥,王天齐,金克武,杨扬,李刚[4]（2019）在《溅射功率对二氧化锆薄膜结构及力学性能的影响研究》一文中研究指出为了研究溅射功率对二氧化锆薄膜结构及力学性能的影响,使用射频反应磁控溅射技术在常温下以玻璃为基底使用不同功率镀制了800 nm左右的ZrO_2薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对样品结晶情况,表面和断面形貌进行表征,结果显示镀制的ZrO_2薄膜均为单斜晶体,晶粒尺寸变化不大;随着功率的升高,薄膜从纳米晶结构转变为柱状晶结构。使用纳米压痕仪对薄膜表面进行硬度和弹性模量测试,发现随着功率升高,硬度和弹性模量均出现上升趋势,进一步增加功率出现下降,再上升的变化;在沉积功率为65 W时,可得到厚度为800 nm,弹性恢复量,硬度,弹性模量和塑性指数均最高,分别为88.55%,25.42 GPa,228.6 GPa和0.314的ZrO_2薄膜。不同的溅射功率会镀制出不同结构的二氧化锆薄膜,在常温低功率溅射条件下二氧化锆薄膜结构是影响其力学性能的重要因素。(本文来源于《硅酸盐通报》期刊2019年10期）
章石赟,殷晨波,杨柳,韩忠俊[5]（2019）在《介孔二氧化锡薄膜的制备及其氢敏性能研究》一文中研究指出以叁嵌段共聚物F127为模板剂,加入浓盐酸抑制水解,通过溶剂挥发诱导自组装,旋涂后在高湿度下干燥制备介孔SnO_2薄膜,并通过掺Pd进一步提高其氢敏性能。利用X射线衍射(XRD)、比表面积与孔径分析和透射电镜(TEM)研究材料的结构与形貌,通过恒流配气法,测试其氢敏性能。结果表明:介孔SnO_2粒径约为6.38 nm,比表面积为84.62 m~2/g,孔容为0.174 cm~3/g,平均孔径为5.6 nm。在200℃,对体积分数2×10~(-3)的H_2灵敏度为76,掺杂Pd后提高至191.6,具有优秀的氢敏性能。(本文来源于《仪表技术与传感器》期刊2019年09期）
赵旸周,袁卫锋[6]（2019）在《纳米二氧化硅/聚偏氟乙烯复合材料薄膜的压电性能》一文中研究指出本研究介绍了纳米二氧化硅/聚偏氟乙烯(SiO_2/PVDF)压电复合材料的制备和性能。为提高材料的压电性能,在PVDF中添加纳米SiO_2颗粒,使用溶液流延法制成薄膜,采用高倍率单轴拉伸的方法增加PVDF材料中β相的含量,之后在薄膜两面涂布导电银浆电极,并在高电压下对材料进行极化。研究中使用悬臂梁振动试验台对压电复合材料薄膜的性能进行了一系列测试,分析了纳米SiO_2颗粒含量以及悬臂梁振动频率对SiO_2/PVDF薄膜开路电压的影响规律,并对悬臂梁-压电膜能量转换系统的电能采集能力进行了评估。结果表明,添加纳米SiO_2颗粒可以显着提高该PVDF复合材料的压电性能。由于SiO_2/PVDF薄膜为柔性材料,因此可以被更方便地应用于环境小能量采集或者自我供能的可穿戴装置。(本文来源于《材料科学与工程学报》期刊2019年04期）
张化福,沙浩,吴志明,蒋亚东,王操[7]（2019）在《太赫兹波段二氧化钒薄膜的研究进展》一文中研究指出在68℃附近,二氧化钒薄膜就能实现低温半导体相和高温金属相之间的一级可逆相变,相变时二氧化钒薄膜的太赫兹透过率和反射率等都会发生急剧的变化。更为重要的是,除了加热之外,其他激励方式,如光照、电场、太赫兹场等也能使二氧化钒薄膜发生相变。这一独特、优异的半导体-金属相变性能使得二氧化钒薄膜在太赫兹开关、调制器等领域具有巨大的应用前景。因此,二氧化钒薄膜已成为太赫兹材料与功能器件方面的一个研究热点。研究工作主要集中在二氧化钒薄膜的制备方法、相变性能及在太赫兹器件领域的应用叁个方面。探究制备高质量二氧化钒薄膜的方法是其获得优异的相变性能及应用的前提条件。在太赫兹波段,二氧化钒薄膜的常用制备方法有脉冲激光沉积法、磁控溅射法及溶胶-凝胶法。脉冲激光沉积法是最早用来研究太赫兹波段二氧化钒薄膜相变性能的薄膜制备方法,该法制备的薄膜质量高、相变性能好。磁控溅射法制备二氧化钒薄膜时,主要采用在氩气/氧气混合气氛下溅射金属钒靶的反应磁控溅射法。然而,利用反应溅射法时,二氧化钒薄膜的成膜条件范围很窄(尤其是氧流量比),不利于薄膜结构及性能的优化。为此,研究者们探索利用二氧化钒陶瓷材料作为溅射靶材来制备二氧化钒薄膜。尽管脉冲激光沉积法和溅射法被广泛应用于制备二氧化钒薄膜,但所需设备复杂且成本高。相比之下,溶胶-凝胶法设备简单、成本低且易于实现掺杂和成分控制,但薄膜附着性差。二氧化钒薄膜的相变性能研究主要包括不同的相变激励方式及相变性能的优化提高两个方面。二氧化钒薄膜的热致相变简单易控,但响应时间长;而光致及电致相变响应快,但实现相变的条件要求高,且调制幅度较小。二氧化钒薄膜相变性能的提高一直颇受关注,优化工艺条件、掺杂及制作超材料结构是目前常用的方法。在应用方面,二氧化钒薄膜主要是被用来制作太赫兹开关和太赫兹线偏振器、可调频滤波器、频率选择表面器及吸收器等太赫兹调制器。本文对近年来太赫兹波段二氧化钒薄膜的制备方法、相变性能以及在太赫兹方面的应用进展进行了综述。(本文来源于《材料导报》期刊2019年15期）
余韵[8]（2019）在《钼掺杂二氧化钒薄膜生长及器件制备》一文中研究指出在氧化钒系列中,二氧化钒(VO_2)由于其优异的相变性能,而且可以掺杂适当的离子来改变VO_2相变温度,通过制备薄膜和纳米结构形式的VO_2并在这些材料中掺杂离子,可以在不同温度下诱导各种光学和电学转换。而研究如何将离子掺入VO_2材料中,并对其相变温度起到调控作用,是具有重要意义的。本论文根据VO_2薄膜研究发展方向和应用方面的需求,以MoO_3和V_2O_5粉末为反应源,通过掺杂Mo离子来调控VO_2的相变温度,并详细的研究了掺杂离子对VO_2形貌、结构、相变性能的影响,以及在光电响应性能上的研究。本文创新地使用蒸汽-固体法(VS)生长Mo掺杂的VO_2薄膜,通过SEM、XRD进行表征,纳米薄膜沿着[110]方向择优生长,是一种高纯度的单晶薄膜。通过设置对照组改变掺杂浓度,测试了在不同掺杂浓度下VO_2薄膜电阻随温度变化曲线。测试结果表明,当Mo的掺杂浓度为9%时,VO_2薄膜的相变温度降至49℃。很显然,利用Mo离子掺杂,能有效降低VO_2相变温度。基于掺杂VO_2薄膜光电响应性能测试,研究了薄膜在532nm、635nm、780nm、808nm不同波长激光器照射下的响应特性,结果表明,Mo掺杂的VO_2薄膜表现出优异的光电行为和良好的再现性。光电流显示出对辐照功率密度的强烈依赖性。随着功率密度的增加,光电流相应地增加。设计了一种以掺杂VO_2薄膜为导电沟道的场效应晶体管(MOSFET)器件,通过光刻、刻蚀、电子束蒸发、磁控溅射沉积等工艺,来完成器件的制备。进行了I_(DS)-V_G传输特性测试、I_(DS)-V_(DS)输出特性测试及可见光、红外光响应特性测试,电学特性表明,改变栅极电压(V_G)的大小,可实现对沟道电阻的调控。光电研究表明,通过增加栅极负电压,可缩短光电流响应时间,且响应速度更快,同时证实了所制备的MOSFET器件具有较高灵敏度和快速响应能力。(本文来源于《东华理工大学》期刊2019-06-14）
党秀洁[9]（2019）在《二氧化硅—肉桂醛抗菌微胶囊及其可降解薄膜的制备与表征》一文中研究指出食品腐败会导致人体食源性感染,因此需要寻找一种新型、高效且安全的防止食品腐败变质的抗菌剂。肉桂醛(CA)是肉桂精油的主要成分,具有广谱抗菌性,可用于食品调味和防腐,但因易挥发、易降解等不稳定性的影响而限制了其应用。微胶囊技术能够将肉桂醛包裹在壁材内部,使之免受光、热及氧的降解。本课题利用溶胶-凝胶微胶囊化包埋天然抗菌剂肉桂醛制备二氧化硅-肉桂醛(SiO2-CA)微胶囊,并研究缓释规律;在此基础上利用自动涂膜机制备PBAT/SiO2-CA抗菌薄膜,研究结果如下:(1)采用溶胶-凝胶法和水包油法制备了以肉桂醛为芯材,二氧化硅为壁材的SiO2-CA微胶囊。通过单因素试验和正交试验探究出微胶囊的最佳制备工艺为:正硅酸乙酯0.7 mL,乙醇与水体积比0.59,氨水体积1.5 mL,表面活性剂质量0.09g,肉桂醛体积0.1 mL,转速700 r/min。最佳工艺制备的微胶囊包埋率为58.33%,且微胶囊形态呈规则的球状,粒径范围在540nm-760nm之间,透射电镜观察到SiO2-CA微胶囊的“壳-核”结构,壳厚约40nm。SiO2-CA微胶囊的抑菌圈实验表明微胶囊对单核细胞增生李斯特菌和大肠杆菌均具有抑菌性,其浓度为90 mg/mL的抑菌圈分别为13.95 mm和11.99 mm。(2)研究了不同温度和不同湿度条件下SiO2-CA微胶囊中肉桂醛在15 d的释放规律,结果发现在40℃、23℃和4℃下其最终释放率分别为87.46%、74.46%和56.58%;在90%RH、70%RH和50%RH下其最终释放率为87.46%、84.4%和77.87%。并利用零级动力学模型,一级动力学模型、Higuchi模型以及Korsmeyer-Peppas模型拟合Si02-CA微胶囊的缓释机理,结果表明不同条件下微胶囊的释放规律均与一级动力学模型有较高的相关系数(R2>0.94);而在低温(4℃)和较低湿度条件下(50%RH和70%RH)Si02-CA微胶囊的释放还与Korsmeyer-Peppas模型有较高的相关系数(R2>0.92)。(3)利用自动涂膜机制备Si02-CA微胶囊添加量为0.5%、2.5%和4.5%的PBAT/SiO2-CA抗菌薄膜。PBAT/SiO2-CA抗菌薄膜抑菌率实验表明:不同SiO2-CA微胶囊添加量的抗菌薄膜对大肠杆菌和李斯特菌的抑菌率均>95%。微胶囊的添加增加了薄膜刚性,降低了薄膜韧性,在Si02-CA添加量为2.5%时,拉伸强度为13.58MPa,达到最大值;PBAT/Si02-CA抗菌薄膜的阻湿性能分析表明,添加量为2.5%的微胶囊能提高薄膜阻湿性能;原子力显微镜结果分析表明,2.5%的微胶囊添加量能降低薄膜表面粗糙度。PBAT/Si02-CA抗菌薄膜的热性能分析表明,SiO2-CA微胶囊可增加薄膜结晶程度以及晶片完善程度,进一步解释了薄膜拉伸强度、阻湿性提高的原因。(本文来源于《广西大学》期刊2019-06-01）
韩明轩[10]（2019）在《石墨烯/二氧化锰复合薄膜材料的制备及其电化学性能研究》一文中研究指出超级电容器作为一种新型的绿色能源存储和转化装置,具有充放电速率快、功率密度高和循环稳定性好等特点。然而,超级电容器的能量密度(特别是体积能量密度)仍然很低,这在某种程度上极大地限制了其商业化的应用。碳材料具有很高的比表面积,丰富的孔道结构以及优异的导电性,是目前为止商业应用最广泛的电极材料。但是碳材料主要以双电层的形式来进行存储电荷,而表观密度比较低(~0.5 g cm~(-3)),导致其比容量(尤其是体积比容量)也很低。因此通过调节材料结构和改善制备工艺以提高碳材料的比容量,已成为本领域的研究热点方向之一。本论文以高体积能量密度的致密体石墨烯/金属氧化物复合薄膜材料作为电极,进行了一系列的研究。通过在石墨烯的层间引入支撑材料以及在石墨烯的表面进行造孔的方法,来改善电解液离子在致密体石墨烯材料的内部扩散情况,使材料内部形成叁维的离子扩散通道。与此同时,通过与金属氧化物的复合,利用氧化还原反应来增加赝电容,进而提升复合材料的电化学性能。具体的研究内容包括如下两个大方面:首先,采用化学刻蚀的方法在石墨烯的表面制造均匀的孔洞,制备出多孔石墨烯(porous graphene nanosheets,PGNs);用水热法制备二氧化锰纳米线(MnO_2nanowires,MnO_2 NWs),并将其与多孔石墨烯进行叁维的空间组装,最终获得致密的多孔石墨烯/二氧化锰纳米线复合薄膜(PGNs-MnO_2 NWs)材料。对石墨烯表面进行孔道设计以及在石墨烯层间引入支撑体能够将石墨烯层间的二维离子扩散模式有效地转化为叁维离子扩散模式。无论是垂直于石墨烯片层的纵向方向上,还是平行于石墨烯片层的横向方向上,都明显地缩短了电解液离子在致密体中的扩散距离,解决了石墨烯基材料因致密化而导致的电解液离子扩散阻力增大的问题。穿插于多孔石墨烯层间的MnO_2纳米线起到抑制多孔石墨烯片层的团聚、引入赝电容提升复合薄膜比容量的作用。研究结果表明,PGNs-MnO_2 NWs复合薄膜材料拥有快速的离子扩散通道和致密的空间结构(密度为1.25 g cm~(-3)),且在1 mol L~(-1) Na_2SO_4的叁电极体系下作为整体薄膜电极,其质量比容量在扫描速度为5 mV s~(-1)时可达165 F g~(-1),相应的体积比容量则可达206 F cm~(-3)。在上述研究的基础上,通过水浴法在碳纳米管(carbon nanotube,CNT)上原位生长二氧化锰纳米粒(MnO_2 nanoparticles,MnO_2 NPs),并将其与多孔石墨烯进行叁维的空间组装,获得致密的多孔石墨烯/碳纳米管&二氧化锰纳米粒复合薄膜(PGNs-CNT&MnO_2 NPs)材料。多孔石墨烯表面的孔道能够缩短电解液离子在垂直于石墨烯片层方向上的扩散距离;支撑在多孔石墨烯层间的碳纳米管&二氧化锰纳米粒起到抑制多孔石墨烯片层团聚的作用,同时碳纳米管能增强复合薄膜的力学性能以及导电性能;在碳纳米管上生长的MnO_2纳米粒,可以通过氧化还原反应产生赝电容,进而提高复合薄膜的比容量。研究结果表明,PGNs-CNT&MnO_2 NPs复合薄膜材料具有快速的离子扩散通道以及致密的空间结构(密度为0.86 g cm~(-3)),且在1 mol L~(-1) Na_2SO_4的叁电极体系中,其质量比容量最高可达320 F g~(-1)(在电流密度为1 A g~(-1)时),体积比容量则可达275 F cm~(-3)。此外,将多孔石墨烯和碳纳米管也进行叁维的空间组装,制备成多孔石墨烯/碳纳米管复合薄膜(PGNs-CNT)材料,并以此为负极,以PGNs-CNT&MnO_2 NPs复合薄膜材料为正极,组装成非对称超级电容器PGNs-CNT&MnO_2 NPs//PGNs-CNT,其在1 mol L~(-1) Na_2SO_4的两电极体系下,质量能量密度最高可达26.43Wh kg~(-1),体积能量密度则可达22.73 Wh L~(-1)。(本文来源于《吉林化工学院》期刊2019-06-01）
二氧化钦薄膜论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
壳聚糖是一种天然的高分子,其分子中有大量的氨基和羟基,可以很好的吸附在金属上使金属免受腐蚀[1]。而二氧化锡作为一种无机物,具有很好的耐蚀性能。因此,我们采用环保而又简单的喷涂法和水热法在铝合金表面制备了壳聚糖-二氧化锡复合薄膜,并且在酸性条件下0.1M H2SO4和0.001M NaF(pH=3)进行电化学测试。从图1(a)可以看出,我们所制备的二氧化锡薄膜为团簇状的,并且均匀的覆盖在铝合
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
二氧化钦薄膜论文参考文献
[1].高丹,康洪亮,徐强,佟丽英.APCVD制备二氧化硅薄膜工艺研究[J].电子工艺技术.2019
[2].华千慧,曾彦玮,贺子豪,徐群杰.铝合金表面壳聚糖-二氧化锡薄膜的制备及其耐蚀性能的研究[C].第十届全国腐蚀大会摘要集.2019
[3].蔡文豪,王丽,王立坤,王贵,郁建元.二氧化锡–石墨烯复合薄膜的制备及结构和性能[J].硅酸盐学报.2019
[4].彭塞奥,王天齐,金克武,杨扬,李刚.溅射功率对二氧化锆薄膜结构及力学性能的影响研究[J].硅酸盐通报.2019
[5].章石赟,殷晨波,杨柳,韩忠俊.介孔二氧化锡薄膜的制备及其氢敏性能研究[J].仪表技术与传感器.2019
[6].赵旸周,袁卫锋.纳米二氧化硅/聚偏氟乙烯复合材料薄膜的压电性能[J].材料科学与工程学报.2019
[7].张化福,沙浩,吴志明,蒋亚东,王操.太赫兹波段二氧化钒薄膜的研究进展[J].材料导报.2019
[8].余韵.钼掺杂二氧化钒薄膜生长及器件制备[D].东华理工大学.2019
[9].党秀洁.二氧化硅—肉桂醛抗菌微胶囊及其可降解薄膜的制备与表征[D].广西大学.2019
[10].韩明轩.石墨烯/二氧化锰复合薄膜材料的制备及其电化学性能研究[D].吉林化工学院.2019
论文知识图
