导读:本文包含了有机聚合物薄膜论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:有机太阳电池,光刻技术,微纳复合结构,表面等离子体-微腔激元
有机聚合物薄膜论文文献综述
王康[1]（2019）在《基于微纳米结构增强有机聚合物薄膜太阳能电池光吸收的研究》一文中研究指出有机薄膜太阳能电池(OSCs)由于轻薄,廉价,柔性等众多优点受到了研究者们的广泛关注。然而,目前有机薄膜太阳能电池的光电转换效率依然很低,这在很大程度上限制了它的发展。因此,如何提高有机薄膜太阳能电池的光电转换效率成为了研究者们的关注重点。通过合理的设计,将不同形貌和图案的微纳米结构引入到有机薄膜太阳能电池中,能够有效的提高有机薄膜太阳能电池的光吸收。本文的主要研究内容主要分为以下叁个方面:1.多形貌多周期微纳米复合结构的制备及表征本文选用传统光刻技术以及双光束干涉光刻技术相结合的方式制备出了形貌和周期可调的微纳米结构。基于传统光刻技术,选用型号为SU-8-2000系列的负性光刻胶作为加工原料,通过设计不同形貌的掩膜板,制备出了条形、矩形点阵、圆形点阵以及六边形点阵等多种形貌的微结构,从而实现了不同形貌微结构的制备;基于激光双光束干涉技术,通过调节两束相干光的角度我们制备出周期为2μm和350 nm的正弦型光栅结构,从而实现了不同周期的微结构的制备;通过将两种工艺相结合的方式,连续两次曝光,我们制备出了形貌和周期都可调的微纳米结构,从而实现了多形貌多周期的微纳复合结构的制备。2.微米光栅结构提高有机聚合物薄膜太阳能电池(OPV)的光电转换效率我们通过传统光刻技术制备了周期为6μm的条形光栅结构,通过控制光刻胶与丙酮的稀释比得到不同高度的光栅结构。将得到的不同高度的微米光栅结构引入到有机聚合物薄膜太阳能电池中。与平板器件结构相比,光栅器件结构由于散射效应使得OPV有源层内部的光吸收效率得到明显的提升,进而有效提升了OPV的光电转换效率。与此同时,随着光栅高度的依次增加,散射效应随之增强。对比发现,光刻胶和丙酮稀释比为1:4、1:2、1:0的光栅器件相对于平板器件,光电转换效率依次提升了9.59%,19.18%和28.77%。3.表面等离子-微腔激元对顶入射有机薄膜太阳能电池(TOSCs)光吸收效率增强的研究我们通过合理的设计,将周期性矩形光栅结构引入到TOSCs中,通过严格耦合波分析(RCWA)以及有限时域差分(FDTD)两个算法,对具有光栅结构的TOSCs理想模型中的表面等离子体激元(SPPs)模式与微腔模式的耦合机制进行了分析。我们通过调节光栅周期的大小以及有源层的厚度,使得复合SPPs模式、微腔模式和有源层材料本征吸收的3个区域重合。由于复合SPPs模式和微腔模式形成了反交叉耦合,其作用成为表面等离子体-微腔激元。表面等离子体-微腔激元局域场的增强作用有效地提高了TOSCs中有源层的光吸收效率,通过计算,在波长470 nm到600 nm范围内的光吸收效率提高了近19%。(本文来源于《华侨大学》期刊2019-05-20）
孙艳梅[2]（2017）在《基于有机聚合物基复合薄膜的忆阻特性研究》一文中研究指出目前,基于互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的传统存储技术逐渐接近其物理极限,计算机存储墙问题日益严重,这严重阻碍着计算机技术的进步和发展。忆阻器是除电阻、电容、电感之外的第四种电路元件,可同时应用于信息存储和逻辑运算,是新型非挥发存储技术的有力竞争者,也是缓解甚至解决计算机存储墙问题的相当有前景的一种新技术。有机聚合物基忆阻器材料具很多优点,如:种类多,分子可设计,柔性等。有机聚合物基复合材料可通过利用基体材料与客体材料间简单而丰富的调制关系控制存储特性。有机聚合物基复合薄膜具有工艺简单、便于通过改变混合比实现电学特性的调整。但一些关键的问题还没有澄清和解决,尤其是阻变转换机制尚未明确,需要进一步的探索研究。此外,目前的忆阻性能还无法满足技术发展和应用的需求,仍需全方位的深入研究,尤其是关键的忆阻特性,如参数的均一性、操作电流电压的一致性、元件的可靠性、多态阻变存储能力都有待进一步细致研究。本文利用旋转涂膜法制备了基于有机聚合物复合材料的纳米薄膜,并制备出ITO/有机聚合物基复合薄膜/Al叁明治结构的忆阻元件,研究了元件的忆阻特性。对提高聚乙烯咔唑基Flash存储稳定性和可重复性进行了研究。通过控制不同的旋涂速度和时间,制备了不同厚度的薄膜,并对薄膜厚度对忆阻特性的影响进行了研究。依据复合薄膜的吸收光谱数据,结合双对数坐标系中I-V曲线斜率的分析对ITO/聚乙烯咔唑施主和恶二唑受主复合薄膜/Al忆阻元件的忆阻机理进行了分析,利用关态电流与薄膜厚度间的关系验证了关态载流子传输模型。咔唑施主与恶二唑受主之间的场致电荷转移效应有效的提高了元件的稳定性和可重复性。对聚氨酯基Flash存储元件的忆阻特性进行了研究。利用旋涂法制备了含恶二唑与不含恶二唑的两种元件,并对两种元件的忆阻特性进行了分析与对比。实验结果表明:在聚氨酯中添加恶二唑可有效降低关态电流,从而可有效增大开关态电流比。分别利用聚氨酯薄膜和恶二唑溶液的吸收光谱和循环伏安数据,计算出能带的HOMO和LUMO,利用聚氨酯、恶二唑以及上下电极材料的能带图,结合双对数坐标系下I-V曲线分析,对基于该复合材料的忆阻机制进行了分析。对聚乙烯苯酚基非挥发型存储特性转换进行了研究。利用旋涂法制备了同一厚度不同恶二唑含量的聚乙烯苯酚与恶二唑复合薄膜,并对基于该复合薄膜的忆阻特性进行了研究。随着恶二唑含量的变化基于该复合薄膜的忆阻元件展现了不同的存储类型,包括:可再写的Flash存储特性;WORM存储特性以及绝缘特性。并对恶二唑在复合材料中的含量对关态电流、开关态电流比以及开启电压的影响进行了研究。利用开、关态电阻对温度的依赖关系、复合溶液吸收光谱结合双对数坐标系中I-V曲线斜率的拟合,对该元件的忆阻机制进行了分析。对聚乙撑二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸盐基WORM特性及其电阻比的调制进行了研究。利用透射电镜对碳纳米管的微观结构进行了表征,利用红外光谱对碳纳米管中存在的化学键进行了表征,利用透射电镜和扫描电镜对复合薄膜进行了表征,还利用热重分析法对该复合材料的热学特性进行了表征,并对复合薄膜的初始电导率进行了测试。利用旋涂法制备了不同碳纳米管含量的复合薄膜。通过改变复合材料中碳纳米管的含量,研究了碳纳米管在基体中的含量对特性的影响。在该材料中发现了擦一次读多次的WORM特性。利用双对数坐标系中I-V曲线斜率的拟合,对ITO/PEDOT:PSS与碳纳米管复合薄膜/Al元件的忆阻机制进行了分析。对甲基丙烯酸环氧树脂基多电平Flash存储特性进行了研究。利用旋转涂抹法制备了基于甲基丙烯酸环氧树脂与碳纳米管复合材料薄膜,在基于该薄膜的忆阻元件中发现了新型的多电平阻变存储特性,该器件展现了可再写的非挥发型Flash特性。而且,基于该复合材料的存储元件展现了多电平的导电态,在外加电压的激励下中间态能保持稳定。通过设置不同的限制电流和复合材料中不同的碳纳米管含量,可实现多电平的开态和关态。发现多电平的阻变特性中不同的电阻态之间具有稳定的电阻比。(本文来源于《黑龙江大学》期刊2017-05-20）
李桐[3]（2015）在《有机聚合物非线性光学薄膜制备及特性研究》一文中研究指出非线性光学材料在电光器件及全光信息处理和特殊光功能模块方面具有重要的应用价值。传统的光电子器件主要以无机非线性光学材料为主,但是有机非线性光学材料具有非线性光学系数高、非线性光学响应时间快、光学透明性好、介电常数低等无机非线性材料所无法比拟的优点,因此有机非线性光学材料及应用成为近年来光学材料领域的一个研究热点。本文根据Zyss等提出D-π-A型有机分子设计理念,设计合成了两类有机聚合物,对以聚酰亚胺(polyimide, PI)作为分散剂的有机聚合物薄膜的制备与线性光学特性和非线性光学特性测量进行了较为深入的理论与实验研究。论文的主要工作如下：(1)根据布格-朗伯-比尔定律推导了有机聚合物非线性光学材料线性吸收系数,根据薄膜的多光束干涉原理分析了线性折射率系数的计算公式。根据高斯分解法(Gaussian Decomposition简称GD)理论模型分析Z扫描实验中叁阶非线性吸收系数拟合公式和叁阶非线性折射率系数的拟合公式。(2)在山西忻州师范大学的帮助下,根据D-π-A型有机分子设计理念设计合成了两类有机低分子化合物,即二茂铁衍生物和苯并噻唑-咔唑衍生物的有机低分子化合物。其中二茂铁衍生物有两种分别定义为1号化合物和2号化合物,苯并噻唑-咔唑衍生物有两种定义为3号化合物和4号化合物,通过长时间超声分别将有机聚合物均匀混合于PI溶液中,用直接涂膜法将混合溶液均匀涂在硅片上,然后对其高温热亚胺化制成不同质量分数有机化合物/PI薄膜。(3)通过紫外-可见分光光度计测得机聚合物薄膜的线性特性,在1064nm波长下,通过Z扫描技术测得有机聚合物薄膜的非线性折射率以及非线性的吸收系数,得出1号化合物/PI薄膜叁阶非线性极化率为z‘3)=1.038×10-11esu。2号化合物/PI薄膜叁阶非线性极化率为X(3)=3.884×10-12esu。3号化合物/PI薄膜叁阶非线性极化率为X(3)=1.788×10-12esu。4号化合物/PI薄膜叁阶非线性极化率为X(3)=7.932×10-12esu。(本文来源于《北京交通大学》期刊2015-01-15）
高松[4]（2014）在《ZnO纳米颗粒薄膜与有机聚合物材料复合电致发光研究》一文中研究指出摘要：作为一种宽禁带的半导体材料,ZnO因其稳定的理化性质和优异的光电性能受到人们越来越多的关注。ZnO具备发射蓝光、紫外光的条件优势,在短波长发光二极管、高密度存储等领域的应用前景十分诱人。然而,P型ZnO的制备困难始终是限制ZnO紫外电致发光研究进展的一个瓶颈。近年来,随着有机半导体的快速发展和ZnO纳米结构的不断丰富,许多课题组利用ZnO纳米阵列与有机材料来制备有机无机复合电致发光器件。本课题组利用水浴法合成的ZnO纳米棒阵列与有机物聚合物MEH-PPV复合,实现了ZnO的近紫外电致发光。然而,水浴法生长的ZnO纳米棒阵列存在阵列表面不整齐,纳米棒顶端的MEH-PPV有机层容易被击穿,器件稳定性不高等问题。针对以上问题,本人采用溶胶-凝胶法,制备了ZnO纳米颗粒薄膜与有机聚合物材料复合的ZnO电致发光二极管,实现了ZnO的近紫外电致发光,并对其发光机理进行了研究。首先,采用溶胶-凝胶法制备了ZnO纳米颗粒薄膜,并研究了ZnO纳米颗粒薄膜的制备条件和光电性能。在ITO上采用溶胶-凝胶法制备出了粒径比较均匀、表面比较平整的ZnO纳米颗粒薄膜。SEM表征显示,ZnO纳米颗粒粒径约30nm,均匀分布,纳米颗粒薄膜表面平整。这样有利于采用旋涂法在纳米颗粒薄膜表面制备均匀无针孔的有机薄膜。光致发光光谱表明,ZnO纳米颗粒薄膜的光致发光中心在393nm附近,来源于ZnO的带边激子发射,且缺陷发光较弱,这样有利于实现ZnO纳米颗粒薄膜器件的近紫外电致发光。其次,制备了ZnO纳米颗粒薄膜/MEH-PPV异质结的近紫外电致发光二极管,并研究了有机层与ZnO纳米颗粒薄膜厚度变化对该结构器件电致发光性能的影响。采用旋涂的方法在ZnO纳米颗粒薄膜表面制备了MEH-PPV有机层,构造出结构为ITO/ZnO纳米颗粒薄膜/MEH-PPV/LiF/A1的器件。实验结果表明,以3500r/min的转速旋涂有机层制备的器件能够得到较强的ZnO近紫外电致发光,且MEH-PPV发光很微弱。当ZnO纳米颗粒薄膜厚度约为60nm时,所制备的器件稳定性较强且ZnO缺陷发光很微弱。最后,首次尝试制备了ZnO纳米颗粒薄膜/PMMA结构的紫外电致发光器件,并研究了该器件的紫外电致发光性能。实验结果表明,该结构的器件能够实现较强的ZnO近紫外电致发光。并讨论了ZnO与有机材料复合电致发光的机理,认为电子隧穿是ZnO与有机材料构成的复合器件实现近紫外电致发光的关键。(本文来源于《北京交通大学》期刊2014-05-01）
杨迎国,郑官豪杰,季庚午,冯尚蕾,李晓龙[5]（2014）在《有机聚合物P3HT/PCBM薄膜的同步辐射掠入射X射线衍射》一文中研究指出以聚己基噻吩(poly(3-hexyl-thiophene),P3HT)为电子给体材料和富勒烯的衍生物([6,6]-phenyl C61-butyric acid methyl ester,PCBM)为电子受体材料的有机光伏器件,其活性层中P3HT的结构有序性是制约器件光电转换性能的重要因素。本文采用同步辐射掠入射X射线衍射(Grazing Incidence X-ray Diffraction,GIXRD)方法,研究有机聚合物P3HT/PCBM薄膜经过不同的温度退火后P3HT在薄膜中不同深度处的微结构变化。一维面外GIXRD实验结果表明:退火处理使大量的PCBM分子扩散至薄膜表层,从而增大了薄膜表层P3HT分子edge-on结构的层间距和改善了晶粒倾斜程度;退火处理使得薄膜内部P3HT分子edge-on结构结晶性和有序性得到明显改善。然而,退火处理并没有明显增加薄膜表层和薄膜/衬底界面处的P3HT分子edge-on结构的结晶性。二维GIXRD实验结果表明:退火处理可以明显增加薄膜中P3HT分子edge-on结构结晶性、有序性以及晶粒取向的广泛分布;退火处理也使薄膜沿面内方向出现了结晶性较好的face-on结构。以上结果揭示出退火处理有利于薄膜表面、内部以及薄膜/衬底界面处形成更多且更有序的微相异质节和二维电荷传输通道,大大增强光生激子的分离效率和载流子沿P3HT分子链的迁移速率,这对理解退火处理提高P3HT/PCBM薄膜光伏器件的光电转换性能具有重要意义。(本文来源于《核技术》期刊2014年02期）
王龙德,张彤,张晓阳,李若舟,汪鲁宁[6]（2013）在《有机聚合物薄膜波导温度传感器(英文)》一文中研究指出基于棱镜耦合衰减全反射和波导材料热光效应,利用聚合物薄膜平板波导作为温度传感器,论证了影响温度传感器灵敏度的各种因素.结合理论分析及实验验证,温度传感器灵敏度不仅与平板波导上包层及芯层厚度、聚合物材料光学损耗有关,而且与波导的导波模式阶数有关.结果表明,反映温度传感器反射率与温度关系灵敏度的斜率在反射率为零的某阶TE模式下,其值最高.因此,为提高传感器的灵敏度,传感器的入射光外角应选择在反射率为零的某阶TE模式下工作.该聚合物薄膜波导温度传感器具有灵敏度高、结构简单及易制作等特点.(本文来源于《Journal of Southeast University(English Edition)》期刊2013年02期）
高宇,廖进昆,杨亚培,刘永智[7]（2006）在《有机聚合物薄膜光波导传输损耗的测量方法》一文中研究指出文章综述了测量非线性光学(NLO)聚合物薄膜材料光波导传输损耗的叁种新方法及原理,分别给出了典型的实验装置结构图,并对它们的特点进行了比较。(本文来源于《激光与红外》期刊2006年09期）
范希智[8]（2004）在《掺杂分散红73的有机聚合物PMMA薄膜全光极化的研究》一文中研究指出制备了以分散红73为客体的PMMA掺杂型有机聚合物薄膜样品,对之进行了全光极化特性的研究,极化使薄膜产生二阶非线性,种子光的强度越大,其二阶非线性极化率达到饱和值越快;种子光的位相差、相对强度比、光场强度比等因素影响薄膜的二阶非线性的优劣。(本文来源于《光学仪器》期刊2004年05期）
侯阿临,张洪波,雷仁方,崔占臣,刘运涛[9]（2004）在《基于法-珀腔的有机聚合物薄膜的电光测量》一文中研究指出选用在甲基丙烯酸甲酯和甲基丙烯酸缩水甘油酯的共聚物(PMMA-GMA)中掺杂分散红(DR1)形成的主客掺杂型有机聚合体系作为研究对象,调节高真空下溅射铝的时间,在玻璃表面上分别制作低反射镜面(LRM)和高反射镜面(HRM),将有机聚合物材料在低反射镜面上旋涂成膜,电晕极化后倒置在高反射镜面上构成不对称法布里-帕罗(AFP)腔。利用多光束干涉效应,将相位调制转换成幅度调制,用正面入射式电光检测系统测量其电光调制信号,并对系统的工作原理进行了理论分析。结果表明,用不对称法布里-帕罗干涉原理设计的正面入射式电光检测系统可以有效地检测有机聚合物薄膜的非线性光学效应。(本文来源于《大珩先生九十华诞文集暨中国光学学会2004年学术大会论文集》期刊2004-06-30）
罗锻斌,严崐,佘卫龙,吴水珠[10]（2004）在《毫秒有机聚合物薄膜全光开关》一文中研究指出用聚甲基丙烯酸甲酯 (PMMA)和偶氮染料DR1以一定的比例混合 ,制成各向同性均匀薄膜样品。用经斩波器调制的线偏振氩离子激光 (5 14nm ,CW )作用样品产生光致双折射。作为探测光的线偏振氦氖激光 (6 33nm ,CW)经过样品 ,在与其原来偏振方向垂直的检偏器后的透射光强强度受控制光的调制作用 ,实现了光控光的全光开关效应。通过改变控制光的光功率及薄膜样品的温度 ,对样品的开关响应速度和开关调制深度进行了研究。在一定的实验条件下 ,用毫瓦量级的控制光功率实现了几个毫秒的开关响应速度和 6 0 %以上的开关调制深度(本文来源于《中国激光》期刊2004年01期）
有机聚合物薄膜论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
目前,基于互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的传统存储技术逐渐接近其物理极限,计算机存储墙问题日益严重,这严重阻碍着计算机技术的进步和发展。忆阻器是除电阻、电容、电感之外的第四种电路元件,可同时应用于信息存储和逻辑运算,是新型非挥发存储技术的有力竞争者,也是缓解甚至解决计算机存储墙问题的相当有前景的一种新技术。有机聚合物基忆阻器材料具很多优点,如:种类多,分子可设计,柔性等。有机聚合物基复合材料可通过利用基体材料与客体材料间简单而丰富的调制关系控制存储特性。有机聚合物基复合薄膜具有工艺简单、便于通过改变混合比实现电学特性的调整。但一些关键的问题还没有澄清和解决,尤其是阻变转换机制尚未明确,需要进一步的探索研究。此外,目前的忆阻性能还无法满足技术发展和应用的需求,仍需全方位的深入研究,尤其是关键的忆阻特性,如参数的均一性、操作电流电压的一致性、元件的可靠性、多态阻变存储能力都有待进一步细致研究。本文利用旋转涂膜法制备了基于有机聚合物复合材料的纳米薄膜,并制备出ITO/有机聚合物基复合薄膜/Al叁明治结构的忆阻元件,研究了元件的忆阻特性。对提高聚乙烯咔唑基Flash存储稳定性和可重复性进行了研究。通过控制不同的旋涂速度和时间,制备了不同厚度的薄膜,并对薄膜厚度对忆阻特性的影响进行了研究。依据复合薄膜的吸收光谱数据,结合双对数坐标系中I-V曲线斜率的分析对ITO/聚乙烯咔唑施主和恶二唑受主复合薄膜/Al忆阻元件的忆阻机理进行了分析,利用关态电流与薄膜厚度间的关系验证了关态载流子传输模型。咔唑施主与恶二唑受主之间的场致电荷转移效应有效的提高了元件的稳定性和可重复性。对聚氨酯基Flash存储元件的忆阻特性进行了研究。利用旋涂法制备了含恶二唑与不含恶二唑的两种元件,并对两种元件的忆阻特性进行了分析与对比。实验结果表明:在聚氨酯中添加恶二唑可有效降低关态电流,从而可有效增大开关态电流比。分别利用聚氨酯薄膜和恶二唑溶液的吸收光谱和循环伏安数据,计算出能带的HOMO和LUMO,利用聚氨酯、恶二唑以及上下电极材料的能带图,结合双对数坐标系下I-V曲线分析,对基于该复合材料的忆阻机制进行了分析。对聚乙烯苯酚基非挥发型存储特性转换进行了研究。利用旋涂法制备了同一厚度不同恶二唑含量的聚乙烯苯酚与恶二唑复合薄膜,并对基于该复合薄膜的忆阻特性进行了研究。随着恶二唑含量的变化基于该复合薄膜的忆阻元件展现了不同的存储类型,包括:可再写的Flash存储特性;WORM存储特性以及绝缘特性。并对恶二唑在复合材料中的含量对关态电流、开关态电流比以及开启电压的影响进行了研究。利用开、关态电阻对温度的依赖关系、复合溶液吸收光谱结合双对数坐标系中I-V曲线斜率的拟合,对该元件的忆阻机制进行了分析。对聚乙撑二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸盐基WORM特性及其电阻比的调制进行了研究。利用透射电镜对碳纳米管的微观结构进行了表征,利用红外光谱对碳纳米管中存在的化学键进行了表征,利用透射电镜和扫描电镜对复合薄膜进行了表征,还利用热重分析法对该复合材料的热学特性进行了表征,并对复合薄膜的初始电导率进行了测试。利用旋涂法制备了不同碳纳米管含量的复合薄膜。通过改变复合材料中碳纳米管的含量,研究了碳纳米管在基体中的含量对特性的影响。在该材料中发现了擦一次读多次的WORM特性。利用双对数坐标系中I-V曲线斜率的拟合,对ITO/PEDOT:PSS与碳纳米管复合薄膜/Al元件的忆阻机制进行了分析。对甲基丙烯酸环氧树脂基多电平Flash存储特性进行了研究。利用旋转涂抹法制备了基于甲基丙烯酸环氧树脂与碳纳米管复合材料薄膜,在基于该薄膜的忆阻元件中发现了新型的多电平阻变存储特性,该器件展现了可再写的非挥发型Flash特性。而且,基于该复合材料的存储元件展现了多电平的导电态,在外加电压的激励下中间态能保持稳定。通过设置不同的限制电流和复合材料中不同的碳纳米管含量,可实现多电平的开态和关态。发现多电平的阻变特性中不同的电阻态之间具有稳定的电阻比。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
有机聚合物薄膜论文参考文献
[1].王康.基于微纳米结构增强有机聚合物薄膜太阳能电池光吸收的研究[D].华侨大学.2019
[2].孙艳梅.基于有机聚合物基复合薄膜的忆阻特性研究[D].黑龙江大学.2017
[3].李桐.有机聚合物非线性光学薄膜制备及特性研究[D].北京交通大学.2015
[4].高松.ZnO纳米颗粒薄膜与有机聚合物材料复合电致发光研究[D].北京交通大学.2014
[5].杨迎国,郑官豪杰,季庚午,冯尚蕾,李晓龙.有机聚合物P3HT/PCBM薄膜的同步辐射掠入射X射线衍射[J].核技术.2014
[6].王龙德,张彤,张晓阳,李若舟,汪鲁宁.有机聚合物薄膜波导温度传感器(英文)[J].JournalofSoutheastUniversity(EnglishEdition).2013
[7].高宇,廖进昆,杨亚培,刘永智.有机聚合物薄膜光波导传输损耗的测量方法[J].激光与红外.2006
[8].范希智.掺杂分散红73的有机聚合物PMMA薄膜全光极化的研究[J].光学仪器.2004
[9].侯阿临,张洪波,雷仁方,崔占臣,刘运涛.基于法-珀腔的有机聚合物薄膜的电光测量[C].大珩先生九十华诞文集暨中国光学学会2004年学术大会论文集.2004
[10].罗锻斌,严崐,佘卫龙,吴水珠.毫秒有机聚合物薄膜全光开关[J].中国激光.2004
标签：有机太阳电池; 光刻技术; 微纳复合结构; 表面等离子体-微腔激元;