论文摘要
针对体硅的加工应用,开展皮秒紫外激光三维刻蚀单晶硅工艺研究。通过工艺实验,得出在激光脉冲能量6μJ,固定XY点间距4μm,在单晶硅上刻蚀600μm×600μm方槽,单次去除的深度在1μm,单次加工用时0.5 s,加工的侧壁在14°,可以获得较好的200μm深度的三维结构。皮秒紫外激光体硅加工在工艺流程上更为简洁,加工效率高,对环境污染小,设备成本小。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 骆公序,荆超,汪于涛,王丽,沈佳俊
关键词: 激光应用,体硅工艺,激光直接加工,紫外皮秒激光
来源: 应用激光 2019年06期
年度: 2019
分类: 信息科技,基础科学
专业: 物理学,无线电电子学
单位: 上海市激光技术研究所,上海市激光束精细加工重点实验室
基金: 上海市科委资助项目(项目编号:18560730900,19511130400)
分类号: TN249;TN304.12
DOI: 10.14128/j.cnki.al.20193906.1002
页码: 1002-1005
总页数: 4
文件大小: 1361K
下载量: 108
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