导读:本文包含了单粒子论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:粒子,效应,离子,中子,热中子,荧光,航天器。
单粒子论文文献综述
李晓亮,梅博,李鹏伟,孙毅,吕贺[1]（2019）在《高温环境下SRAM器件单粒子锁定效应试验研究》一文中研究指出深空探测任务面临辐射与温度变化综合作用的恶劣环境,易导致作为航天器电子系统主要组成的CMOS集成电路发生单粒子锁定效应。着眼于在轨应用需求,针对体硅工艺SRAM器件进行了高温环境单粒子锁定试验研究,在不同电压和温度条件下开展重离子辐照试验,结果表明,随着器件工作电压的升高,单粒子锁定敏感性增加;随着温度升高,单粒子锁定截面增加,从常温到125℃的增幅约为1个数量级:即高温高电压下更易触发器件单粒子锁定效应。(本文来源于《航天器环境工程》期刊2019年06期）
胡志良,杨卫涛,李永宏,李洋,贺朝会[2]（2019）在《应用中国散裂中子源9号束线端研究65 nm微控制器大气中子单粒子效应》一文中研究指出采用设置和不设置镉中子吸收体两种方式,利用中国散裂中子源9号束线(CSNS-BL09)对65 nm微控制器进行了大气中子单粒子效应辐照测试.测试中探测到的效应主要为单位翻转.测试结果表明,对于该款微控制器,热中子引起的中子单粒子翻转占比约65%;进一步分析表明,热中子与~(10)B反应产生的0.84 MeV~7Li可能是诱发微控制器单粒子翻转的主要因素.(本文来源于《物理学报》期刊2019年23期）
鄂长江,李少甫,齐艺轲[3]（2019）在《单粒子多瞬态诱导的组合电路软错误敏感性评估》一文中研究指出为了评估数字电路的软错误敏感性,研究了一种适于FPGA的单粒子多瞬态(SEMT)诱导的组合电路软错误评估方法.考虑脉冲传输过程中受到的电气屏蔽的影响和辐射粒子入射的随机性,控制不同脉宽的SEMT脉冲对所有SEMT故障位置进行故障注入,统计错误结果.实验结果表明,该方法能对单粒子两个及以上瞬态诱导的组合电路软错误敏感性进行分析,得到各故障位置敏感度信息,供电路设计前端参考改进.(本文来源于《微电子学与计算机》期刊2019年11期）
孙娟娟,胡树,任斌[4]（2019）在《原位电化学暗场光谱监测单粒子氧还原过程》一文中研究指出纳米粒子由于其独特的物理化学性质在催化及能源领域受到广泛关注。不同形貌及组成的粒子具有不同的催化活性。然而通过传统的表征方法获得的是大量催化剂粒子的平均信息,粒子的异质性以及在表面的聚集状态都将显着影响其催化性能,因此实现单粒子尺度的表征则可能获得明确的构效关系,避免复杂的扩散行为对其行为的影响。我们组近期发展的原位暗场电化学技术则可以通过暗场散射谱实现单颗粒的高灵敏表征,因为粒子的形貌组成,电荷密度及介电环境的变化均可引起散射谱明显。我们通过散射谱表征在0.1 M NaOH溶液中单个Au纳米棒的氧还原过程。如图1A所示,当电位从0 V阶跃到-0.7 V(vs SCE)时,散射谱峰蓝移,电位回到0 V时,谱峰红移。这与Mulvaney课题组所观察到的现象类似,但他们将此现象归因于电荷注入的影响1。而我们通过统计电位为-0.7 V时,不同粒子在不同O2浓度下的峰位移量(图1B),发现高氧气浓度下其峰位置蓝移明显增大,因此我们认为负电位区间的谱峰变化更有可能来源于氧还原过程。由于氧还原中间体的寿命短覆盖度低,因此对中间体的表征一直较为困难,而暗场光谱虽然不能直接得到物种的指纹信息,但其检测灵敏度高,即使是微量物种的吸附均可引起谱峰明显的变化。我们进一步研究反应电位下谱峰的精细变化(图1C),发现谱峰先发生明显蓝移,根据文献拉曼光谱的实验结果2,我们认为这是由于超氧物种的吸附引起。接着谱峰逐渐蓝移,这可能是由于某含氧物种的累积。最终,峰位置达到稳定,而此时半峰宽发生不可逆的展宽,这可能是由于物种吸附导致了金表面重构。因此通过单粒子尺度的表征可以区分不同过程的影响,并且与其他手段相结合实现氧还原中间体的表征,最终帮助对反应机理的理解。(本文来源于《第二十届全国光散射学术会议（CNCLS 20）论文摘要集》期刊2019-11-03）
姬庆刚,刘杰,李东青,刘天奇,叶兵[5]（2019）在《电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子翻转敏感性的影响》一文中研究指出电离总剂量(TID)与单粒子效应(SEE)是纳米SRAM器件在航天应用中的主要威胁。随着CMOS工艺的进步,两种辐射效应在纳米SRAM器件中的协同效应出现了一些新现象,有必要进一步开展深入研究。利用γ射线以及不同种类重离子对两款纳米SRAM器件开展了辐照实验,研究了不同辐照参数、测试模式以及数据图形条件下,电离总剂量对单粒子翻转(SEU)敏感性的影响。研究结果表明,γ射线辐照过后,存储单元中反相器开关阈值减小,漏电流增大,导致SRAM存储单元抗翻转能力降低,SEU截面有明显增大;未观察到"印记效应",数据图形对测试结果没有明显影响;多位翻转(MBU)比例无明显变化。(本文来源于《原子核物理评论》期刊2019年03期）
于庆奎,曹爽,张洪伟,梅博,孙毅[6]（2019）在《SiC器件单粒子效应敏感性分析》一文中研究指出新一代航天器需要使用耐高压、功率损耗低的第3代半导体SiC器件,为了给器件选用和抗辐射设计提供依据,以SiC MOSFET和SiC二极管为对象,进行单粒子效应敏感性分析。重离子试验发现,在较低电压下,重离子会在SiC器件内部产生永久损伤,引起漏电流增加,甚至单粒子烧毁。SiC MOSFET和SiC二极管试验结果类似。试验结果表明SiC器件抗单粒子能力弱,与器件类型关系不大,与SiC材料有关。为了满足空间应用需求,有必要进一步开展SiC器件辐射效应机理、试验方法和器件加固技术等研究。(本文来源于《原子能科学技术》期刊2019年10期）
高丽娟,白彩艳[7]（2019）在《静态随机存储器单粒子翻转效应截面的蒙特卡罗模拟》一文中研究指出单粒子翻转(SEU)效应是离子入射静态随机存储器(SRAM)使其逻辑状态发生改变的一种效应.依据地面单粒子翻转实验数据构建合适的模型可以对器件的在轨运行错误率进行预估.文章主要针对0.15μm工艺的SRAM,基于蒙特卡罗软件Geant4,构建经验模型,模拟其单粒子翻转效应截面,并将模拟结果与实验结果进行对比,结果表明该经验模型可以应用于亚微米器件单粒子翻转效应的模拟.(本文来源于《山西师范大学学报(自然科学版)》期刊2019年03期）
管明,郭红霞,陈哲浩,赵江涛,王铁山[8]（2019）在《单粒子效应的物理过程模拟》一文中研究指出假定离子入射导致器件温度升高,部分电子被激发成为自由电子,当器件收集的自由电子的总电量超过其临界电荷量时,即会发生单粒子翻转现象,从而建立了一个新的单粒子效应物理模型。通过编写程序求解热扩散方程,得到了不同LET的离子入射下,硅材料的温度分布,并根据此温度分布,得到了硅材料内激发的自由电子数目。根据实验数据,使用威布尔函数拟合了LET与器件翻转截面之间的关系式,建立了自由电子数目与器件翻转截面之间的关系式。程序模拟结果表明,入射离子的LET相同时,器件初始温度越高,在器件中所激发出的自由电子数目越多,导致器件翻转截面越大。该模型解释了单粒子效应中随着器件温度升高,单粒子效应截面增加的现象。(本文来源于《现代应用物理》期刊2019年03期）
于庆奎,张洪伟,孙毅,梅博,李晓亮[9]（2019）在《MOS电容器单粒子介质击穿导致GaN功率放大器失效分析》一文中研究指出为验证一款GaN功率放大器抗空间辐射效应能力,对其进行了重离子单粒子效应试验研究。被试样品是由GaN HEMT、MOS电容器和电感器等组成的混合电路。试验源为加速器产生的锗离子(Ge+13,能量205 MeV),线性能量传输(LET)值为37.4 MeV·cm~2/mg。试验结果是:GaN HEMT性能未出现变化;MOS电容器发生了介质击穿失效,造成功率放大器功能失效。经验公式计算的单粒子介质击穿电压,与重离子试验结果基本吻合,得出MOS电容器单粒子介质击穿导致GaN功率放大器失效。研究表明,混合电路中无源的MOS电容器也会发生单粒子介质击穿失效,应用于空间环境时应进行单粒子效应评估。(本文来源于《航天器环境工程》期刊2019年05期）
张寅超,姚娇娇,杜宪炟,陈和,郭磐[10]（2019）在《64通道单粒子荧光光谱数据采集系统》一文中研究指出为了提高微弱荧光信号的探测能力,获取高分辨光谱信息,通过2套32通道光电倍增管(PMT)阵列,结合激光诱导荧光技术,搭建了64通道荧光光谱数据采集系统,并使用LabVIEW对数据采集系统进行软件控制,实现光谱数据的高速采集与处理。实验结果表明该采集系统光谱分辨率为4.69nm,能够对微流控芯片内通过的单粒子样品溶液进行荧光光谱采集,实现计数功能。(本文来源于《光学技术》期刊2019年05期）
单粒子论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
采用设置和不设置镉中子吸收体两种方式,利用中国散裂中子源9号束线(CSNS-BL09)对65 nm微控制器进行了大气中子单粒子效应辐照测试.测试中探测到的效应主要为单位翻转.测试结果表明,对于该款微控制器,热中子引起的中子单粒子翻转占比约65%;进一步分析表明,热中子与~(10)B反应产生的0.84 MeV~7Li可能是诱发微控制器单粒子翻转的主要因素.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
单粒子论文参考文献
[1].李晓亮,梅博,李鹏伟,孙毅,吕贺.高温环境下SRAM器件单粒子锁定效应试验研究[J].航天器环境工程.2019
[2].胡志良,杨卫涛,李永宏,李洋,贺朝会.应用中国散裂中子源9号束线端研究65nm微控制器大气中子单粒子效应[J].物理学报.2019
[3].鄂长江,李少甫,齐艺轲.单粒子多瞬态诱导的组合电路软错误敏感性评估[J].微电子学与计算机.2019
[4].孙娟娟,胡树,任斌.原位电化学暗场光谱监测单粒子氧还原过程[C].第二十届全国光散射学术会议（CNCLS20）论文摘要集.2019
[5].姬庆刚,刘杰,李东青,刘天奇,叶兵.电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子翻转敏感性的影响[J].原子核物理评论.2019
[6].于庆奎,曹爽,张洪伟,梅博,孙毅.SiC器件单粒子效应敏感性分析[J].原子能科学技术.2019
[7].高丽娟,白彩艳.静态随机存储器单粒子翻转效应截面的蒙特卡罗模拟[J].山西师范大学学报(自然科学版).2019
[8].管明,郭红霞,陈哲浩,赵江涛,王铁山.单粒子效应的物理过程模拟[J].现代应用物理.2019
[9].于庆奎,张洪伟,孙毅,梅博,李晓亮.MOS电容器单粒子介质击穿导致GaN功率放大器失效分析[J].航天器环境工程.2019
[10].张寅超,姚娇娇,杜宪炟,陈和,郭磐.64通道单粒子荧光光谱数据采集系统[J].光学技术.2019
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