导读:本文包含了光致荧光谱论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:荧光,量子,卟啉,空穴,材料,半导体材料,激光器。
光致荧光谱论文文献综述
马楠,邓军,史衍丽,沈光地[1]（2009）在《多量子阱红外探测材料的光致荧光谱》一文中研究指出在多量子阱红外探测器外延材料制备中,由于器件响应波长对量子阱的阱宽和垒高变化敏感,因此对外延材料的制备有很高的要求。本文中我们利用光致荧光谱(PL)对GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器材料进行了测量和计算,从而在器件工艺前,快速确定器件的探测波长。以光致荧光光谱对GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器材料进行测试,通过理论计算,得到多量子阱红外探测器探测波长。计算得到的理论响应波长与实际器件的响应波长有良好的一致性,证明用光荧光谱对外延材料进行测量并计算,能够更加有效地开展器件研究工作。同时,我们在低温下测量了外加偏压下器件暗电流情况,以及液氮温度下,500K黑体辐射情况时,信号噪声比达到235.3。(本文来源于《功能材料与器件学报》期刊2009年02期）
丁武昌,郑军,左玉华,成步文,余金中[2]（2008）在《磁控溅射掺Er SiN薄膜的光致荧光谱》一文中研究指出采用磁控溅射法生长了掺Er SiN薄膜,在高温退火后测试了薄膜的光致荧光谱。薄膜在可见光区域以及红外光区域都表现出了很强的光致发光,观察到了Er离子各高能级到基态的跃迁。对样品进行了RBS等物性分析,给出了薄膜的元素组成,并对Er离子的跃迁发光机制进行了讨论。(本文来源于《半导体技术》期刊2008年S1期）
丁武昌,郑军,左玉华,成步文,余金中[3]（2008）在《磁控溅射掺Er SiN薄膜的光致荧光谱》一文中研究指出采用磁控溅射法生长了掺Er SiN薄膜,在高温退火后测试了薄膜的光致荧光谱。薄膜在可见光区域以及红外光区域都表现出了很强的光致发光,观察到了Er离子各高能级到基态的跃迁。对样品进行了RBS等物性分析,给出了薄膜的元素组成,并对Er离子的跃迁发光机制进行了讨论。(本文来源于《第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集》期刊2008-11-30）
王笑,潘安练,刘丹,白永强,张朝晖[4]（2007）在《近场光学显微镜研究SdS_(0.65)Se_(0.35)纳米带空间分辨光致荧光谱》一文中研究指出通过热蒸发方法成功制备出SdS0.65Se0.35纳米带,得到的纳米带表面光滑,宽度厚度均一,表现出很高的结晶质量.使用近场光学显微镜对纳米带室温下的带边荧光波导和光致荧光近场光谱进行研究.发现SdS0.65Se0.35纳米带呈现良好的光波导的特性;同时通过近场光学显微镜得到的空间分辨光谱,发现随着传播距离的增大,纳米带的光致荧光光谱有持续的红移现象.这种光谱红移现象是带间跃迁过程中带尾态的吸收效应引起的,并作了光谱带尾态吸收的理论模拟与实验结果进行比较.光波导传输过程中光谱的变化反映了信息在整个传导过程中的情况,体现了信息传递过程中的稳定性和有效性.叁元合金材料SdS0.65Se0.35纳米带的波导和光谱性质研究,对于其他组分可调的叁元合金纳米结构的制备和研究,及发展新型的纳米功能器件有重要意义.(本文来源于《物理学报》期刊2007年11期）
刘国梁,姚江宏,许京军,王占国[5]（2007）在《量子点阵列光致荧光谱温度依赖性研究》一文中研究指出多模量子点阵列的光致荧光(PL)光谱的温度依赖性研究对于实现高效的量子点光电器件有着非常重要的意义．利用速率方程模型模拟不同密度量子点阵列中的载流子动力学过程。研究表明,高密度量子点阵列中不同尺寸量子点族的PL强度表现不同的温度依赖关系;而低密度量子点阵列不同点族PL强度均随温度衰减．高密度量子点阵列中,载流子被热激发到浸润层后,部分地被大量子点再俘获,即在量子点族间转移;低密度量子点阵列中不同量子点族间的载流子转移受到限制．不同量子点族光致荧光强度比的最大值强烈地依赖于量子点的激活能差．(本文来源于《量子电子学报》期刊2007年01期）
刘渊声,尚志远,张引红[6]（2003）在《血卟啉声致荧光谱和光致荧光谱研究》一文中研究指出对血卟啉生理盐水溶液的吸收谱和光致荧光谱进行了分析,并根据共轭化合物的休克尔分子轨道(HMO)图形理论对血卟啉πMO能量进行了估算,估算值与实验结果基本一致.同时对血卟啉的声致荧光谱的性质作了尝试性探讨.(本文来源于《陕西师范大学学报(自然科学版)》期刊2003年02期）
陈贵宾,陆卫,缪中林,李志锋,蔡炜颖[7]（2002）在《离子注入诱导量子阱界面混合效应的光致荧光谱研究》一文中研究指出采用多元芯片方法获得了一系列不同离子注入剂量的GaAs AlGaAs非对称耦合量子阱单元 ,通过光致荧光谱测量 ,研究了单纯的离子注入导致的界面混合效应 .荧光光谱行为与有效质量理论计算研究表明 ,Al原子在异质结界面的扩散在离子注入过程中已基本完成 ,而热退火作用主要是去除无辐射复合中心 .(本文来源于《物理学报》期刊2002年03期）
丁国庆[8]（1998）在《张应变In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/InP材料光致荧光谱温度特性的测试与分析》一文中研究指出报道了具有２，３个量子阱的Ｉｎ１－ｘ１Ｇａｘ１Ａｓｙ１Ｐ１－ｙ１／Ｉｎ１－ｘ２Ｇａｘ２Ａｓｙ２Ｐ１－ｙ２／ＩｎＰ张应变量子阱材料的光致荧光谱和Ｘ射线双晶衍射摇摆曲线，指出了光致荧光峰为量子阱导带中第一子带电子和价带第一轻、重空穴子带中空穴复合所致．理论上分析了光致荧光谱中双峰强度比随温度的变化关系，Ｎｏ．５７７，Ｎｏ．５７２材料的理论计算与实测结果比较符合，并求得了失配率和轻、重空穴子带分离值的近似关系，讨论了理论计算与实测结果的差异．(本文来源于《物理学报》期刊1998年09期）
程文芹,蔡丽红,谢小刚,王文新,胡强[9]（1996）在《Al_yGa_(1-y)As/Al_xGa_(1-x)As量子阱激光器材料的光致荧光谱》一文中研究指出测量了Al_yGa_(1-y)As/Al_x Ga_(1-x)As量子阱激光材料的光致荧光谱.发现在室温连续激光器材料的光致荧光谱中有两个峰,而不能激射的材料中则只有一个很宽的峰.将高能峰归属于准费密能级电子的跃迁.(本文来源于《物理学报》期刊1996年02期）
程文芹,蔡丽红,陈弘,周均铭,谢小刚[10]（1995）在《GaAs/AlGaAs量子线的制备和光致荧光谱》一文中研究指出利用分子束外延材料的化学选择腐蚀和再生长制备出了GaAs/AIGaAs量子线并且测量了77K的光致荧光谱.也得到透射电子显微镜的照片.(本文来源于《物理学报》期刊1995年01期）
光致荧光谱论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
采用磁控溅射法生长了掺Er SiN薄膜,在高温退火后测试了薄膜的光致荧光谱。薄膜在可见光区域以及红外光区域都表现出了很强的光致发光,观察到了Er离子各高能级到基态的跃迁。对样品进行了RBS等物性分析,给出了薄膜的元素组成,并对Er离子的跃迁发光机制进行了讨论。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
光致荧光谱论文参考文献
[1].马楠,邓军,史衍丽,沈光地.多量子阱红外探测材料的光致荧光谱[J].功能材料与器件学报.2009
[2].丁武昌,郑军,左玉华,成步文,余金中.磁控溅射掺ErSiN薄膜的光致荧光谱[J].半导体技术.2008
[3].丁武昌,郑军,左玉华,成步文,余金中.磁控溅射掺ErSiN薄膜的光致荧光谱[C].第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集.2008
[4].王笑,潘安练,刘丹,白永强,张朝晖.近场光学显微镜研究SdS_(0.65)Se_(0.35)纳米带空间分辨光致荧光谱[J].物理学报.2007
[5].刘国梁,姚江宏,许京军,王占国.量子点阵列光致荧光谱温度依赖性研究[J].量子电子学报.2007
[6].刘渊声,尚志远,张引红.血卟啉声致荧光谱和光致荧光谱研究[J].陕西师范大学学报(自然科学版).2003
[7].陈贵宾,陆卫,缪中林,李志锋,蔡炜颖.离子注入诱导量子阱界面混合效应的光致荧光谱研究[J].物理学报.2002
[8].丁国庆.张应变In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/InP材料光致荧光谱温度特性的测试与分析[J].物理学报.1998
[9].程文芹,蔡丽红,谢小刚,王文新,胡强.Al_yGa_(1-y)As/Al_xGa_(1-x)As量子阱激光器材料的光致荧光谱[J].物理学报.1996
[10].程文芹,蔡丽红,陈弘,周均铭,谢小刚.GaAs/AlGaAs量子线的制备和光致荧光谱[J].物理学报.1995
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