不同SiO2含量对BaO-SrO-PbO-TiO2-Nb2O5-SiO2玻璃陶瓷介电性能的影响

论文摘要

通过熔融-快冷-可控结晶技术,成功制备出同时含有铌酸盐和钛酸盐陶瓷相的BaO-SrO-PbO-TiO2-SiO2-Nb2O5纳米复合介电材料,并研究了不同SiO2含量对该玻璃陶瓷介电性能的影响。研究结果表明:800℃晶化处理后,玻璃基体中析出了Pb2Nb2O7,（Ba,Sr,Pb）Nb2O6和（Sr,Pb）TiO33种晶相;随着结晶温度升高,烧绿石结构的Pb2Nb2O7相消失,在900℃和1000℃结晶处理的样品中,只析出（Ba,Sr,Pb）Nb2O6和（Sr,Pb）TiO3两种晶相。另外, SiO2含量的调整没有改变不同结晶温度下的析出陶瓷相种类。微观结构分析结果显示随着晶化温度的增加,晶粒尺寸在不断长大, 1000℃晶化处理后的晶粒尺寸增加非常明显,最大达到500 nm左右。通过对SiO2玻璃相含量的调整获得了两种介电性能优异的玻璃陶瓷成分,在高介电常数方面, 2.5BaO-18.5SrO-8.5PbO-8TiO2-16SiO2-20Nb2O5玻璃陶瓷样品在1000℃结晶处理后得到1070的高介电常数,同时介电损耗维持在了0.0045的较低水平。在低介电损耗方面, 2.5BaO-18.5SrO-8.5PbO-8TiO2-20SiO2-20Nb2O5玻璃陶瓷样品在800℃晶化处理条件下实现了非常低的介电损耗,达到0.0008,介电常数保持在430,在脉冲功率技术领域展现出良好的应用前景。

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文章来源

类型: 期刊论文

作者: 陈均优,张庆猛,谭飞虎,周敏

关键词: 玻璃陶瓷,高介电常数,低介电损耗,介电性能

来源: 稀有金属 2019年09期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅰ辑

专业: 无机化工

单位: 北京有色金属研究总院先进电子材料研究所,北京有色金属研究总院智能传感功能材料国家重点实验室

基金: 国家自然科学基金项目(51477012)资助

分类号: TQ174.1

DOI: 10.13373/j.cnki.cjrm.xy18040033

页码: 935-941

总页数: 7

文件大小: 2380K

下载量: 106

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