高能电子成像暗场成像技术特性研究及改进方案

高能电子成像暗场成像技术特性研究及改进方案

论文摘要

基于EGS5与PARMELA模拟软件组成的高能电子成像系统,对暗场成像的模拟研究发现,通过调节光阑位置实现的暗场成像结果存在失真现象。针对该失真现象提出的改进方案,消除了暗场成像结果的失真。通过对40MeV电子透射7~224μm的铝样品开展的成像模拟结果表明:40MeV高能电子暗场成像技术在铝样品厚度小于25μm情况下具有明显的面密度分辨优势,且空间分辨率达到μm量级,非常适用于高能量密度物质诊断。

论文目录

  • 1 暗场成像原理
  • 2 暗场成像模拟
  •   2.1 理论建模
  •   2.2 结果及分析
  •   2.3 改进方案
  • 3结论
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 肖家浩,曹树春,张子民,李中平,申晓康,赵全堂,程锐,刘铭,赵永涛,袁平

    关键词: 高能量密度物理,高能电子成像,暗场成像,空间分辨能力,面密度分辨本领

    来源: 强激光与粒子束 2019年11期

    年度: 2019

    分类: 基础科学

    专业: 物理学

    单位: 中国科学院近代物理研究所,中国科学院大学

    基金: 国家自然科学基金项目(11875303,11435015,11505251,Y940010HJ0),科技部国家重点研发计划(2016YFE0104900),中国科学院科研仪器设备研究项目(Y740010YZB,Y740020YHZ)

    分类号: O572

    页码: 109-115

    总页数: 7

    文件大小: 2987K

    下载量: 29

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