导读:本文包含了半导体砷化镓论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:电池,光谱,激光器,晶格,半导体,时域,干电池。
半导体砷化镓论文文献综述
袁庆贺,井红旗,张秋月,仲莉,刘素平[1]（2019）在《砷化镓基近红外大功率半导体激光器的发展及应用》一文中研究指出综述了世界各国近年来在大功率半导体激光器方面所取得的研究成果,重点介绍了砷化镓基近红外大功率半导体激光器在输出功率、亮度、电光转换效率、光束质量、寿命与可靠性方面的研究进展。结合目前市场分析,详细阐述了半导体激光器的应用前景,展望了未来大功率半导体激光器的发展趋势。(本文来源于《激光与光电子学进展》期刊2019年04期）
孟庆龙,张彬,尚静,张艳[2]（2018）在《砷化镓类半导体材料在太赫兹波段的透射特性研究》一文中研究指出首先给出了利用光电导天线产生的太赫兹波的时域和频域光谱,进而,基于搭建的太赫兹时域光谱系统,并采用透射光谱法分别测量了砷化镓类型的叁种半导体材料在太赫兹波段的透过率。结果表明,基于光电导天线产生的太赫兹波在0~2THz范围内,光谱比较稳定,频率带宽比较宽;砷化镓半导体材料在0~2.0THz范围内的透过率的变化相对较小,具有较高的透过率(>60%),并且明显优于碲化锌以及碲化镉半导体材料在太赫兹波段的透过率。因此,相比于碲化锌以及碲化镉半导体材料而言,砷化镓半导体材料更适用于设计宽频带的太赫兹功能器件。(本文来源于《光电子·激光》期刊2018年09期）
郭小祥[3]（2016）在《砷化物半导体MBE原位脉冲激光表面辐照的研究》一文中研究指出以GaAs为衬底的砷化物异质外延器件在半导体光电、微电子、量子调控等领域有着重要的应用前景。通过自组织生长方式获得的低维量子结构的显示出优越的光电性质,其最主要的应用是InAs/GaAs量子点器件。为了克服自组织生长量子点成核位置随机、以及生长尺寸不均匀的缺点,通常方法是制备图形化衬底外延生长有序量子点结构,制备过程中不免引入缺陷和杂质,影响量子点的光电性能。我们通过多光束激光干涉原位辐照图形化诱导生长的有序量子点,不引入杂质和晶格缺陷。本论文以分子束外延(MBE)生长InAs/GaAs(100),过程中导入单光束纳秒脉冲激光,对GaAs和In As浸润层表面进行辐照,实现生长过程中的原位调控。在对GaAs(100)表面的激光原位辐照研究发现,紫外脉冲激光辐照GaAs表面会引起As原子大量脱附,在表面形成富Ga结构,脱附效率随着脉冲激光能量的增加而增加。通过反射高能电子衍射观察到表面再构由2×4变为4×2,并在富As的环境下逐渐恢复到稳定的2×4再构,恢复过程随着激光能量密度增加恢复曲线发生变化。在多脉冲激光作用下,Ga原子聚集成Ga滴结构,在退火过程中由于Ga滴的液相外延和纳米自钻孔效应在表面形成深度低于GaAs衬底表面的纳米环。在量子点生长过程中,利用脉冲激光辐照浸润层发现,浸润层表现为表面原子层的明显移除和出现较浅的纳米孔洞结构。原子层脱附是由于光致电激发,且在高温下In原子不稳定,脱附的In原子作为缺陷复合中心加剧了原子层的脱附。由于激光辐照导致In原子脱附,量子点的成核时间出现明显推迟。在较高能量密度作用下产生纳米孔,纳米孔化学势能较低,量子点在此处优先成核。(本文来源于《苏州大学》期刊2016-05-01）
向贤碧,廖显伯[4]（2016）在《砷化镓基系III-V族化合物半导体太阳电池的发展和应用(9)》一文中研究指出4.3半导体键合技术(SBT)制备的四~五结迭层聚光电池2014年9月,德国Fraunhofer太阳能系统研究所等单位报道,他们采用SBT研制的四结迭层GaInP/Ga As//GaInPAs/GaInAs聚光电池在324倍AM 1.5D光强下,达到了当前国际最高电池效率46.5%(5.42 mm~2)~[2]。四结电池分两步制备。首先在GaAs(晶格常(本文来源于《太阳能》期刊2016年02期）
向贤碧,廖显伯[5]（2016）在《砷化镓基系Ⅲ-V族化合物半导体太阳电池的发展和应用(8)》一文中研究指出4 Ⅲ-V族化合物电池研发的新动向4.1含Ga In NAs(Sb)晶格匹配的叁~五结迭层聚光电池前文介绍在研发与Ga As晶格匹配的1 e V带隙的Ga In NAs材料时遇到了困难,这一问题在2011年终于取得了突破。据Solar Junction公司报道,他们制备了高质量的稀N含量Ga In NAs(Sb)分子束外延材料,并成功研制了Ga In P/Ga As/Ga In NAs(Sb)叁结迭层电池。经(本文来源于《太阳能》期刊2016年01期）
向贤碧,廖显伯[6]（2015）在《砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(7)》一文中研究指出2014年,天津叁安光电公司报道,他们成功研发了晶格应变叁结迭层GaInP/GaInAs/Ge高倍聚光电池,并进行了规模生产,聚光电池效率达到40%~41%。在青海神光格尔木建立了50 MW高倍聚光光伏电站,在青海日芯建立了60 MW高倍聚光光伏电站~([29])。3.3.3反向应变GaInP/GaAs/GaInAs叁结迭层聚光电池改善GaInP/GaAs/Ge迭层电池能带匹配的(本文来源于《太阳能》期刊2015年12期）
向贤碧,廖显伯[7]（2015）在《砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(6)》一文中研究指出1997年Olson等提出采用Ga_(1-x)In_xN_(1-y)As_y四元系材料来研制第叁结子电池,因为这是化合物半导体材料中,唯一一种可通过调节x、y值(Ga_(0.93)In_(0.07)N_(0.023)As_(0.977)),既能得到约1 eV的带隙,又与GaAs晶格匹配的材料[24]。但是,带隙为1 eV的窄带隙Ga_(1-x)In_xN_(1-y)As_y材料的质量差,与N相(本文来源于《太阳能》期刊2015年11期）
向贤碧,廖显伯[8]（2015）在《Ⅲ-Ⅴ族太阳电池的发展和应用系列讲座(5) 砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(5)》一文中研究指出聚光可利用相对便宜的光学系统,成百上千倍地提高照射到电池表面的太阳光强,相应增加电池的输出功率,降低光伏发电系统的成本。而且,聚光还可提高电池的效率。因为在理想情况下,在一定光强范围,电池的短路电流与光强呈正比,而开路电压随光强呈对数式增长。然而,实际的太阳电池器件具有一定等效串联(本文来源于《太阳能》期刊2015年10期）
向贤碧,廖显伯[9]（2015）在《砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(4)》一文中研究指出进一步提高太阳电池效率最现实、最有效的途径是形成多结迭层聚光电池。这里以叁结迭层电池为例来说明迭层电池的工作原理。选取3种半导体材料,如Ga In P、Ga In As和Ge,它们的带隙依次为Eg1=1.7 e V、Eg2=1.18 e V和Eg3=0.67e V,Eg1>Eg2>Eg3,将这3种材料分别制备出3个子电池,然后按Eg的顺序,从大到小将这3个(本文来源于《太阳能》期刊2015年09期）
向贤碧,廖显伯[10]（2015）在《砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(3)》一文中研究指出2GaAs单结太阳电池2.1 AlxGa1-xAs/GaAs单结太阳电池在上世纪60年代,人们由Ga As材料的优良性质预见到,GaAs太阳电池能获得高的转换效率。但是初期用研制Si太阳电池的扩散p-n结方法来研制GaAs太阳电池并未获得成功。原因是GaAs材料的表面复活速率大,大部分光生载流子被表面复合中心复活,不能形成光生电流。(本文来源于《太阳能》期刊2015年08期）
半导体砷化镓论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
首先给出了利用光电导天线产生的太赫兹波的时域和频域光谱,进而,基于搭建的太赫兹时域光谱系统,并采用透射光谱法分别测量了砷化镓类型的叁种半导体材料在太赫兹波段的透过率。结果表明,基于光电导天线产生的太赫兹波在0~2THz范围内,光谱比较稳定,频率带宽比较宽;砷化镓半导体材料在0~2.0THz范围内的透过率的变化相对较小,具有较高的透过率(>60%),并且明显优于碲化锌以及碲化镉半导体材料在太赫兹波段的透过率。因此,相比于碲化锌以及碲化镉半导体材料而言,砷化镓半导体材料更适用于设计宽频带的太赫兹功能器件。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
半导体砷化镓论文参考文献
[1].袁庆贺,井红旗,张秋月,仲莉,刘素平.砷化镓基近红外大功率半导体激光器的发展及应用[J].激光与光电子学进展.2019
[2].孟庆龙,张彬,尚静,张艳.砷化镓类半导体材料在太赫兹波段的透射特性研究[J].光电子·激光.2018
[3].郭小祥.砷化物半导体MBE原位脉冲激光表面辐照的研究[D].苏州大学.2016
[4].向贤碧,廖显伯.砷化镓基系III-V族化合物半导体太阳电池的发展和应用(9)[J].太阳能.2016
[5].向贤碧,廖显伯.砷化镓基系Ⅲ-V族化合物半导体太阳电池的发展和应用(8)[J].太阳能.2016
[6].向贤碧,廖显伯.砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(7)[J].太阳能.2015
[7].向贤碧,廖显伯.砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(6)[J].太阳能.2015
[8].向贤碧,廖显伯.Ⅲ-Ⅴ族太阳电池的发展和应用系列讲座(5)砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(5)[J].太阳能.2015
[9].向贤碧,廖显伯.砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(4)[J].太阳能.2015
[10].向贤碧,廖显伯.砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(3)[J].太阳能.2015
论文知识图
