导读:本文包含了散射率论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:量子,费米,黄金,阶梯,法则,电子,粒子。
散射率论文文献综述
郭蓉[1]（2018）在《二维过渡金属硫化物MoSSe电-声子相互作用及其散射率的研究》一文中研究指出电-声子散射可以影响二维过渡金属硫化物的输运性质,使得光电器件和电化学器件受到影响。比如,受声子限制的载流子寿命可能会阻碍场效应晶体管的弹道输运。由于二维过渡金属硫化物许多优良的性质可以在生活中得到广泛的应用,所以我们这里对二维过渡金属硫化物的电-声子相互作用性质进行研究。本文是基于密度泛函微扰理论,利用瓦尼尔函数插值法计算和分析双面(Janus)MoSSe在0 K和300 K以及考虑极化条件下的电子结构、声子色散、载流子散射率、弛豫时间等性质,并且与MoS_2和MoSe_2进行比较。通过对电-声子散射的研究,我们又详细阐明了Janus MoSSe在考虑极化和无极化条件下,声子中光学支和声学支对散射率的贡献,从而给出主要是哪种晶格振动模式影响热载流子寿命。结果表明,Janus MoSSe无论是在不同的温度还是考虑极化条件下,电子自能虚部与电-声子散射率的变化趋势是相同的。二者都随着温度的增大而增大,并且在导带底和价带顶,它们的值几乎为零,而离带隙越远,它们的值就越大。在不同的温度或者考虑极化的条件下,Janus MoSSe的散射率最大值是介于MoS_2和MoSe_2散射率的最大值之间。同时研究Janus MoSSe声子中光学波声子和声学波声子对散射率的贡献,结果表明,无论在不同的温度还是考虑极化条件下,主要的散射率都来自光学波声子的散射,与MoS_2和MoSe_2研究结果是相同的。Janus MoSSe与MoS_2和MoSe_2中弛豫时间与散射率的变化趋势是相反的。在不同温度条件下,Janus MoSSe在0 K时的弛豫时间大于300 K时的弛豫时间,与MoS_2和MoSe_2的结果是一致的。在考虑极化条件下,Janus MoSSe的弛豫时间变化趋势与无极化条件时是相同的,Janus MoSSe无极化和考虑极化的弛豫时间变化趋势是相同的,但是弛豫时间大小发生了明显变化。尤其是在价带顶,Janus MoSSe的弛豫时间减小到37 fs,Janus MoSSe考虑极化时的弛豫时间比MoS_2和MoSe_2都要小,而在导带底,Janus MoSSe与MoS_2和MoSe_2的弛豫时间变化不明显。在研究Janus MoSSe晶格振动模式中,纵光学振动模式为电子和空穴提供了主要的散射机制,其结果与MoS_2和MoSe_2一样。(本文来源于《内蒙古大学》期刊2018-04-19）
高爱华,彭东东,闫丽荣[2]（2017）在《激光环境散射率测量装置的设计》一文中研究指出设计了一种大气环境散射率测量装置,用于测量普通大气环境中粒子对激光散射率,用以反映测量环境对光束的散射程度,进而评估测量环境能否满足散射测量。该装置以稳功率激光器为光源,让光束穿过积分球空腔,使空腔内的粒子在空腔内发生散射,从而散射光都被积分球所收集,再使用光电倍增管测量积分球收集的散射光强,并采用相关检查方法进行信号处理,有效去除背景噪声。在实验室环境进行了测量,结果表明,测量精度最高可达0.1×10~(-6),装置误差达到±2%,实现了散射率的高精度测量。(本文来源于《实验室研究与探索》期刊2017年06期）
彭东东[3]（2017）在《激光环境散射率测量技术研究》一文中研究指出在一些高精密光学检测中,例如高反射镜、超光滑光学表面的散射率的检测,一般大气环境中存在大量散射粒子,粒子的散射光会对测量结果产生一定干扰,如果检测信号非常微弱时,这样的影响将不能忽略。现阶段对环境的评估方法主要是对环境中粒子浓度进行测量,但是这些方法要么测量过程复杂,难以推广,要么对测量粒子要求苛刻,实用性不高。针对以上问题,本文设计了一种大气环境散射率测量装置,主要通过测量环境的散射率,以达到评估环境的目的。本散射率测量系统是以稳功率激光器为光源。当光束穿过存有粒子的积分球空腔时散射光被收集在积分球内,并利用光电倍增管测量收集到的散射光。系统采用锁相放大器进行信号处理,有效的去除背景噪声。测量系统主要由光源、光路、探测、数据处理等部分组成。光源部分以半导体激光器作为核心器件,设计了半导体激光器的驱动电路以及调制电路,实现了激光器功率的稳定输出和电调制;光路部分主要完成了光束的转折、衰减和杂散光消除等;探测部分完成了散射光收集,使用光电倍增管完成光电信号转换和信号放大;数据处理部分利用锁相放大器实现了相关检测技术,有效的提高了信噪比。使用单片机作为控制芯片,设计了 A/D转换及显示电路等相关辅助电路。通过上述方案,搭建了散射率测量系统,对实验室环境进行了散射率测量,并对实验数据进行了认真分析。实验表明该测量系统达到了测量1～100ppm的设计要求。实现了激光环境散射率的准确测量,且精度高、测试方便迅速、适用范围广。(本文来源于《西安工业大学》期刊2017-05-18）
陈莎,王海龙,陈丽,李正,龚谦[4]（2017）在《Cd_(1-x)Mn_xTe/CdTe量子阱中电子-LO声子散射率》一文中研究指出基于费米黄金法则,理论计算了Cd_(1-x)Mn_xTe/CdTe量子阱中第一激发态到基态的电子-LO声子的散射率,讨论了平均散射率随阱宽、温度及Mn组分的变化规律。结果表明:电子-LO声子的散射率随总初态能的增大逐渐减小;散射率和平均散射率随阱宽增大先增加后减小,最大值出现在20 nm阱宽附近,当阱宽大于等于20 nm时散射会发生"中断";散射率和平均散射率随温度的增加逐渐增大,温度较低时平均散射率的变化不明显,温度较高时变化显着;量子阱中电子-LO声子的平均散射率随Mn组分的增大逐渐减小。(本文来源于《量子电子学报》期刊2017年01期）
王海龙,李正,胡敏,李士玲,龚谦[5]（2016）在《GaInAsP/InP阶梯量子阱中电子-电子的散射率》一文中研究指出在有效质量近似下,利用打靶法和费米黄金定则计算出GaxIn1-xAsyP1-y/In P阶梯量子阱中两个及多个电子从第一激发态子带到基态子带的散射率及平均散射率。计算结果表明,电子-电子的散射率和平均散射率随Ga组分和阱宽的增大而升高,随As组分的增大而降低。散射率随电子初态能和外加电场强度的增大而降低,平均散射率随载流子浓度的增大而升高。电子温度对平均散射率的影响不明显,平均散射率随着电子温度的升高而稍微降低。(本文来源于《发光学报》期刊2016年11期）
李正,王海龙,陈莎,陈丽[6]（2016）在《InGaAsP/InP量子阱中电子-电子散射率研究》一文中研究指出在有效质量近似下,利用打靶法和费米黄金法则计算出In1-xGaxAsyP1-y/InP量子阱中两个及多个电子从第一激发态子带到基态子带的散射率及平均散射率。计算结果表明,In1-xGaxAsyP1-y/InP量子阱中电子-电子的散射率随电子初态能的增大而降低,电子-电子的平均散射率随As组分和子带能级差的增大而降低,随Ga组分、阱宽和载流子浓度的增大而升高。当电子温度较低时,散射率和平均散射率随电子温度的降低而降低,当电子温度较高时,散射率和平均散射率会随着电子温度的升高而缓慢降低。(本文来源于《电子技术》期刊2016年09期）
张立[7]（2016）在《纤锌矿氮化镓基阶梯量子阱中界面声子的色散谱与散射率》一文中研究指出本文理论分析了纤锌矿GaN-基阶梯量子阱中的电子-界面光学声子散射性质。阶梯量子阱中的解析的界面声子态及Frhlich电子-声子相互作用哈密顿被导出了。在考虑强内建电场效应及能带的非抛物性特性的情况下,阶梯量子阱结构精确解析的电子本征态也被给出了。以一个四层纤锌矿AlN-基阶梯量子阱为例进行了数值计算。结果发现,系统中存在四支界面光学声子模,这一观察明显不同于对称的GaN/AlN单量子阱与双量子阱的情况。这一差异被归结为阶梯量子结构的非对称性。GaN-基阶梯量子阱中的子带内散射率与子带间散射率比GaAs-基阶梯量子阱的结果大一个数量级,这被归因于GaN-基晶体大的电子-声子耦合常数。GaN-基阶梯量子阱的子带内散射率表现出与GaAs-基体系类似的结构参数依赖关系,但两类体系的子带间散射率对阶梯量子阱结构参数依赖则明显不同,这被归结为GaN-基阶梯量子阱结构中强的内建电场效应及带的非抛物性。结果还表明,高频界面声子模相对于低频界面声子模,对散射率的贡献更大。(本文来源于《光散射学报》期刊2016年02期）
陈莎[8]（2016）在《Cd_(1-x)Mn_xTe/CdTe量子阱中电子-LO声子散射率的研究》一文中研究指出Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体CdTe具有较宽的禁带宽度和直接跃迁的物理特性,宽禁带直接跃迁型半导体是发展光电子技术的理想材料,在固体发光、激光、红外探测和制作高速光开关等精密光学器件领域具有广泛应用。如果在CdTe中掺入具有磁性的Mn2+,可以使CdMnTe材料同时具备磁性材料和半导体材料的特殊物理性质,比如利用它的法拉第效应可以制作光学隔离器件,将之运用到光通信中,可以提高光波在传输过程中的效率。对Cd_(1-x)Mn_xTe/CdTe量子阱的光学性质进行理论研究,不仅可以丰富人们对低维半导体结构新颖光学性质的认识,而且可以设计与制作各类高性能的光通信器件,因此具有很重要的意义。本文在运用有效质量包络函数近似理论和打靶法的基础上,利用费米黄金法则对Cd_(1-x)Mn_xTe/CdTe材料叁种不同量子阱结构中电子-LO声子的散射率进行了理论研究,其主要内容如下:1.简单介绍了光通信的发展,量子阱在光通信方面的应用和Cd_(1-x)Mn_xTe/CdTe量子阱材料,并对电子-LO声子散射率进行了简单阐述。2.给出了量子阱结构中电子-LO声子散射率的理论研究方法,主要包括:有效质量包络函数近似,打靶法,费米黄金法则等理论方法。3.运用费米黄金法则计算了Cd_(1-x)Mn_xTe/CdTe单量子阱中第一激发态子带到基态子带的电子-LO声子的散射率,并且讨论了平均散射率随阱宽、温度以及Mn组分的变化规律。通过计算结果可以得出:散射率随电子初态能的增大呈现逐渐减小的变化趋势;平均散射率随着量子阱宽度的增加呈现先增加后减小的变化规律;电子温度较低时,平均散射率变化不明显,随电子温度的增大,平均散射率变化显着。最后,研究了外加电场对散射率和平均散射率的影响,结果表明,外加电场会降低Cd_(1-x)Mn_xTe/CdTe单量子阱的散射率和平均散射率。4.研究了Cd_(1-x)Mn_xTe/CdTe双量子阱中电子-LO声子的散射率。由理论计算可知:平均散射率随着阱宽的增加会出现最大值,最大值出现在能级差等于声子能量处;温度升高,散射率和平均散射率增大;随着电场的不断增大,电子-LO声子散射率及平均散射率均逐渐减小。由于Cd_(1-x)Mn_xTe/CdTe双量子阱中阱与阱之间存在耦合作用,这种耦合作用会使双量子阱中平均散射率降低。5.研究了Cd_(1-x)Mn_xTe/CdTe抛物量子阱中电子-LO声子的散射率。计算了Cd_(1-x)Mn_xTe/CdTe抛物量子阱中第一激发态子带到基态子带的电子-LO声子的散射率,讨论了平均散射率随阱宽、温度、Mn组分以及外加电场的变化规律;将Cd_(1-x)Mn_xTe/CdTe单量子阱中电子-LO声子的平均散射率分别与双量子阱和抛物量子阱中电子-LO声子的平均散射率进行了比较:与单量子阱中平均散射率相比,双量子阱的平均散射率较小,这与双量子阱中存在耦合作用有关;抛物量子阱的量子限制势是渐变的,其平均散射率较单量子阱小。(本文来源于《曲阜师范大学》期刊2016-04-10）
李正[9]（2016）在《InGaAsP/InP阶梯量子阱中电子散射率研究》一文中研究指出随着低维半导体材料制备技术的发展,人们已经可以生长出各种不同形状的低维半导体结构。阶梯量子阱(Stepped Quantum Well,SQW)作为一种重要的低维半导体结构,具有诸多独特的物理性质,在以半导体光放大器为代表的光通信器件中多有用到。In GaAsP/InP材料由于其物理特性优良,在光通信领域中有重要应用。载流子的散射是半导体材料的固有属性,它会影响半导体器件的工作性能,因此载流子散射率研究对光通信器件性能及通信质量的改善具有积极意义。本文在有效质量包络函数近似下,利用打靶法和费米黄金法则对电子在In1-xGaxAsyP1-y/InP SQW中的散射率和平均散射率进行了研究,主要内容如下:1.简单介绍了量子阱(Quantum Well,QW)和SQW的相关概念和性质,概括了InGaAsP/InP材料的物理特性、应用以及载流子的散射原理。2.研究了In1-xGaxAsyP1-y/InP SQW中单个及多个电子通过发射纵向光学(LO)声子从第一激发态子带到基态子带的散射率和平均散射率。研究结果表明,当电子初态能与电子基态能的能量差大于LO声子能量时,散射率随电子初态能的增大而降低;当电子初态能与电子基态能的能量差小于LO声子能量时,会发生散射率中断现象;当电子初态能与电子基态能的能量差等于LO声子能量时,散射率达到最大值。当子带能级差大于LO声子能量时,平均散射率会随Ga组分和阱宽的增大而升高,随As组分和阶梯层高度的增大而降低;当子带能级差小于LO声子能量时,其变化趋势相反;当子带能级差等于LO声子能量时,平均散射率达到最大值。当电子温度较低时,电子温度对平均散射率的影响不明显,当电子温度较高时,散射率和平均散射率都随电子温度的升高而升高。3.研究了In1-xGaxAsyP1-y/InP SQW中两个及多个电子从第一激发态子带到基态子带的散射率和平均散射率。研究结果表明,电子-电子的散射率随电子初态能的增大而降低。平均散射率随Ga组分、阱宽和载流子浓度的增大而升高,随As组分、阶梯层高度、子带能级差的增大而降低。当阶梯层高度较低时,阶梯层高度对平均散射率的影响较为明显。当电子温度较低时,散射率和平均散射率随电子温度的降低而降低,当电子温度较高时,电子温度对散射率和平均散射率的影响不明显,散射率和平均散射率会随着电子温度的升高而缓慢降低。4.在有效质量包络函数近似、打靶法和费米黄金法则的基础上,结合外加电场、磁场下电子哈密顿量的理论表达形式,研究了外加电场、磁场对In1-xGaxAsyP1-y/InP SQW中电子-LO声子、电子-电子从第一激发态子带到基态子带的散射率和平均散射率的影响。研究结果表明,电子-LO声子及电子-电子的散射率和平均散射率在相同的电子初态能、电子温度以及一定的阱宽和阶梯层宽度下都随着外加电场强度和磁场强度的增大而降低,且当场强较大时,外加电场和磁场对散射率和平均散射率的影响相对更明显。(本文来源于《曲阜师范大学》期刊2016-04-10）
徐婧,彭冲,姜睿[10]（2015）在《孔径雷达电磁波散射率性能数值仿真》一文中研究指出为了研究孔径雷达探测下山区地形起伏及地表粗糙度对于电磁波传播的影响,由于山区大尺度、高复杂性的特点使散射特性参数计算往往具有较低的效率。建立了较为高效的孔径雷达电磁波散射率性能的数值仿真的完成解决方案。利用蒙特卡罗的数值仿真,构建山区地形模型并对地表高密度剖分,应用UV快速算法加速矩量法MOM求解山区后向散射、吸收率等散射参数得到精确解。结果表明,山区的双站散射系数与平地产生10~20d B的偏差,吸收率与后向散射系数受山区坡面方向、高度、地表粗糙度影响较大,通过定量分析认为孔径雷达考虑地形影响因素能更好得到山区信息。(本文来源于《计算机仿真》期刊2015年07期）
散射率论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
设计了一种大气环境散射率测量装置,用于测量普通大气环境中粒子对激光散射率,用以反映测量环境对光束的散射程度,进而评估测量环境能否满足散射测量。该装置以稳功率激光器为光源,让光束穿过积分球空腔,使空腔内的粒子在空腔内发生散射,从而散射光都被积分球所收集,再使用光电倍增管测量积分球收集的散射光强,并采用相关检查方法进行信号处理,有效去除背景噪声。在实验室环境进行了测量,结果表明,测量精度最高可达0.1×10~(-6),装置误差达到±2%,实现了散射率的高精度测量。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
散射率论文参考文献
[1].郭蓉.二维过渡金属硫化物MoSSe电-声子相互作用及其散射率的研究[D].内蒙古大学.2018
[2].高爱华,彭东东,闫丽荣.激光环境散射率测量装置的设计[J].实验室研究与探索.2017
[3].彭东东.激光环境散射率测量技术研究[D].西安工业大学.2017
[4].陈莎,王海龙,陈丽,李正,龚谦.Cd_(1-x)Mn_xTe/CdTe量子阱中电子-LO声子散射率[J].量子电子学报.2017
[5].王海龙,李正,胡敏,李士玲,龚谦.GaInAsP/InP阶梯量子阱中电子-电子的散射率[J].发光学报.2016
[6].李正,王海龙,陈莎,陈丽.InGaAsP/InP量子阱中电子-电子散射率研究[J].电子技术.2016
[7].张立.纤锌矿氮化镓基阶梯量子阱中界面声子的色散谱与散射率[J].光散射学报.2016
[8].陈莎.Cd_(1-x)Mn_xTe/CdTe量子阱中电子-LO声子散射率的研究[D].曲阜师范大学.2016
[9].李正.InGaAsP/InP阶梯量子阱中电子散射率研究[D].曲阜师范大学.2016
[10].徐婧,彭冲,姜睿.孔径雷达电磁波散射率性能数值仿真[J].计算机仿真.2015
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