高气压条件下射频及直流激励的等离子体源特性研究

高气压条件下射频及直流激励的等离子体源特性研究

论文摘要

在大气压及亚大气压条件下放电的等离子体中,粒子间频繁的碰撞直接影响等离子体的功率吸收机制,也易于诱发各种不稳定性。另一方面,高气压条件下放电的等离子体具有较高的气体温度和活性粒子浓度,在材料的快速沉积、高温处理等工艺中呈现出独特的优势和巨大潜力。高气压条件下等离子体源特性及技术研究一直是低温等离子体研究的重要方向。本论文开展了大气压30kW-ICP等离子体炬、大气压ICP微射流、亚大气压直流辉光放电三种高气压条件下等离子体源特性的研究。另外,进行了低气压射频放电等离子体沉积Si-B-N非金属合金材料的初步探索研究。首先,采用中频的2MHz放电,建设了一套大气压下运行的30kW-ICP等离子体炬。热等离子体炬直径达60 mm;观察到输入功率的改变所导致的等离子体E-H模式转换。根据ICP等离子放电的电磁场模型,讨论了放电频率与趋肤深度的关联,不同趋肤深度下放电区域内磁场、电场强度和电流密度分布;分析了E-H模式转换产生的物理机制。利用150MHz甚高频激发毫米尺度大气压ICP等离子体射流,发现外部二次点火触发引起的不可逆放电跳变。在第一次外部触发点火时,等离子体在线圈区域的石英管内产生,向下延伸并从管口喷出,等离子体射流喷出长度随输入电压有明显变化;进行第二次外部触发点火后,等离子体瞬间充满石英管,喷出管口的射流长度随输入电压变化不大,且等离子体变得明亮,射流温度也从近室温上升到500 K以上。这种等离子体放电的跳变被认为是E-H模式转变,是由二次触发时等离子体电子密度瞬间提升所导致。在亚大气压均匀辉光等离子体放电中,采用脉冲运行来增强稳定性。研究了放电过程中脉冲占空比特性,发现在1.7 kHz频率下,脉冲上升阶段电压与电流波形明显不同。电压经过10-20微秒上升至稳定状态。伴随着电压上升,电流先是快速地增长,然后在电压稳定后转变为缓慢地增长。整个电流增长过程需要的时间长达100-200微秒,呈现出明显的滞后。随着占空比降低,电流增长的时间常数τ几乎线性增加,意味着电流增长过程进行得越缓慢。这是因为占空比越低,脉冲上升阶段的开始时刻等离子体电子密度衰减到越低的水平,放电电流需要更长时间才能增长到稳定值。维持平均电流不变的情况下,降低占空比需要增加放电电压,使得放电功率提高。当继续减小占空比,电子密度ne衰减得过低,这使得时间常数τ更大,放电的重新激发变得更困难,放电表现出不稳定乃至熄灭。最后,利用射频等离子体气相沉积技术开展了在铁基材料表面沉积Si-B-N合金的探索研究。显微硬度和纳米压痕测试表明,经过等离子体合金薄膜沉积后,不锈钢表面硬度显著提高。在摩擦磨损测试中发现表面合金的高硬度和自润滑性质使样品的耐磨性得到明显提升。进一步的X射线光电子能谱分析显示,膜层表面主要由Si、B、N、O四种元素构成。表面的高硬度来自于非金属元素间较强的共价键,这与红外光谱测试的结果相一致。通过截面的扫描电镜观察、EDS能谱测试以及辉光放电光谱逐层元素分析,发现在合金薄膜生长过程中形成了“非金属-过渡层-金属”的界面结构。

论文目录

  • 摘要
  • abstract
  • 第一章 绪论
  •   1.1 高气压条件下的等离子体放电
  •     1.1.1 等离子体的热力学描述
  •     1.1.2 工作气压对热力学状态的影响
  •     1.1.3 高气压下等离子体的产生及其特征
  •   1.2 高气压直流等离子体
  •     1.2.1 直流电弧等离子体炬
  •     1.2.2 亚大气压直流辉光等离子体
  •     1.2.3 大气压条件下的电晕放电
  •   1.3 高气压射频放电
  •     1.3.1 电感耦合等离子体炬
  •     1.3.2 大气压等离子体射流(APPJ)
  •     1.3.3 大气压介质阻挡放电
  •   1.4 高气压微波放电
  •   1.5 低气压容性耦合射频放电
  •   1.6 本论文的主要工作
  • 第二章 大气压30kW-ICP等离子体炬E-H模式
  •   2.1 电感耦合(ICP)等离子体放电
  •   2.2 30kW大气压ICP炬实验装置
  •     2.2.1 高气压ICP等离子体放电的趋肤深度与均匀性讨论
  •     2.2.2 2MHz大气压30kW-ICP等离子体炬实验装置
  •   2.3 高功率ICP等离子体E-H模式转换实验
  •   2.4 ICP等离子体炬模式转换的理论分析
  •     2.4.1 射频场中等离子体的功率吸收与耗散
  •     2.4.2 等离子体放电的功率平衡与模式转换
  •   2.5 本章小结
  • 第三章 低功率大气压ICP等离子体微射流的放电跳变
  •   3.1 低功率模式下ICP等离子体微射流
  •   3.2 等离子体射流的发射光谱诊断与电子激发温度的计算
  •   3.3 大气压ICP等离子体微射流的模式研究
  •     3.3.1 实验安排
  •     3.3.2 二次点火诱发的ICP等离子体射流的放电跳变
  •     3.3.3 等离子体射流热效应
  •     3.3.4 电子激发温度
  •     3.3.5 ICP等离子体射流放电跳变的机制
  •   3.4 本章小结
  • 第四章 高气压下直流辉光等离子体的脉冲特性
  •   4.1 高气压条件下直流辉光等离子体
  •     4.1.1 直流辉光放电
  •     4.1.2 高气压条件下直流辉光等离子体的稳定性
  •     4.1.3 高气压直流辉光等离子体稳定运行的研究进展
  •   4.2 高气压直流辉光放电的脉冲控制
  •     4.2.1 直流辉光放电等离子体的脉冲运行
  •     4.2.2 脉冲调制系统设计
  •     4.2.3 脉冲调制等离子体放电诊断
  •   4.3 高气压下直流辉光等离子体的脉冲特性
  •     4.3.1 放电电压电流波形随占空比的变化
  •     4.3.2 不同占空比下等离子体发射光谱诊断
  •     4.3.3 脉冲占空比的控制机制
  •   4.4 本章小结
  • 第五章 射频等离子体Si-B-N合金沉积
  •   5.1 研究背景
  •   5.2 容性耦合等离子体沉积实验装置
  •     5.2.1 射频容性耦合放电
  •     5.2.2 等离子体化学气相沉积
  •     5.2.3 CCP等离子体化学气相沉积装置
  •   5.3 Si-B-N薄膜沉积与特性
  •     5.3.1 Si-B-N薄膜的制备
  •     5.3.2 Si-B-N薄膜的特性与结构
  •   5.4 铁基表面Si-B-N薄膜界面特征
  •   5.5 本章小结
  • 第六章 总结与展望
  •   6.1 本论文的主要工作
  •   6.2 未来可进一步开展的工作
  • 参考文献
  • 致谢
  • 攻读博士期间发表的学术论文
  • 文章来源

    类型: 博士论文

    作者: 杨宽

    导师: 朱晓东

    关键词: 高气压,等离子体放电,模式

    来源: 中国科学技术大学

    年度: 2019

    分类: 基础科学

    专业: 物理学

    单位: 中国科学技术大学

    分类号: O53

    总页数: 125

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