导读:本文包含了等电子陷阱论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:陷阱,电子,空穴,能级,静压,激发态,压力。
等电子陷阱论文文献综述
罗达玲,唐强,郭竞渊,张纯祥[1]（2015）在《MSO_4:Eu~(2+)(M=Mg,Ca,Sr,Ba)的等电子陷阱与热释光特性》一文中研究指出在硫酸盐掺入稀土元素的研究中,得到了几种掺入Eu2+的碱土金属硫酸盐磷光体MSO4:Eu2+(M=Mg,Ca,Sr,Ba),这组磷光体具有与掺入叁价稀土离子(Tm3+,Dy3+,Eu3+)的碱土金属硫酸盐截然不同的热释光特性,热释光叁维发光谱中只呈现一个热释光峰,对γ和β辐射的热释光剂量响应为线性-亚线性响应.结果清楚地显现出Eu2+对碱土金属阳离子的等价取代而形成的等电子陷阱对这些磷光体的热释光特性起了关键性的作用,Eu2+等电子陷阱与基质中的本征缺陷SO42形成的缺陷复合体作为热释光多阶段过程的基本作用单元,基本上产生一次作用热释光事件.Sr SO4:Eu2+是一种典型的等电子陷阱发光的磷光体,它具有相当高的热释光和光释光发光效率.(本文来源于《物理学报》期刊2015年08期）
方再利,苏付海,马宝珊,丁琨,韩和相[2]（2004）在《静压下ZnS∶Te中Te等电子陷阱的发光》一文中研究指出研究了 4块ZnS∶Te薄膜样品 (Te组分从 0 .5 %到 3.1% )的光致发光谱在常压下的温度特性 .对于Te组分较小的 2块样品观察到 2个发光峰 ,分别来自Te1和Te2 等电子陷阱 ;而对Te组分较大的 2块样品则只观察到 1个来自Te2 等电子陷阱的发光 .我们还研究了这些发光峰在低温 15K下的流体静压压力行为 .观察到与Te1有关的发光峰压力系数比ZnS带边的要大很多 ,而与Te2 有关的发光峰压力系数则比带边小 .根据Koster Slater模型 ,价带态密度半宽随压力的增加是Te1中心有较大压力系数的主要原因 ,而Te1和Te2 中心的不同压力行为则是由于压力对两者缺陷势增强的不同效果引起的(本文来源于《红外与毫米波学报》期刊2004年01期）
方再利,李国华,韩和相,丁琨,陈晔[3]（2002）在《ZnSeTe/ZnSe量子阱中Te等电子陷阱的静压光子发光谱研究》一文中研究指出测量了ZnSe0 .92 Te0 .0 8 ZnSe超晶格量子阱材料在 77K时 0～ 7.8GPa静压下的光致发光谱 .观察到ZnSe0 .92Te0 .0 8阱层中Te等电子陷阱上的束缚激子发光 ,发现它的压力系数比ZnSe带边发光的压力系数小约 5 0 % ,表明Te等电子陷阱对激子的束缚势是相当局域的 .还观察到了激子在ZnSe0 .92 Te0 .0 8阱层中的Te等电子陷阱能级与相邻 (CdSe) 1 (ZnSe) 3 短周期超晶格之间的转移现象(本文来源于《红外与毫米波学报》期刊2002年01期）
糜东林,郑健生,颜炳章,李国华,汪兆平[4]（1990）在《静压下GaAs_(1-x)P_x:N(x≤0.88)中N等电子陷阱的束缚激子发光》一文中研究指出通过研究77 K温度下不同组份的GxAs_(1-x)P_x:N(x≤0.88)的静压光致发光,在x=0.88的样品中首次观察到NH_3 的发光,压力使N_x谱带窄化及其LO声子伴线的黄昆因子变小等现象。结果表明,压力使得混晶无序效应减弱,加强了激子从N_x?NN_i的能量转移过程。(本文来源于《厦门大学学报(自然科学版)》期刊1990年05期）
赵学恕,李国华,杨桂林,王炳桑,韩和相[5]（1987）在《GaP中N和NNi对等电子陷阱态的压力行为》一文中研究指出半导体中的局域电子态和半导体的能带结构密切相关,揭示局域电子态和能带结构之间的内在关系是当前半导体电子理论的重要方面。而压力光谱实验对研究这种相互关系提供了重要手段。本文对GaP中深、浅两组能级的不同压力行为作了系统的实验研究。实验观察到无论在室温还是在低温,压力小于3.3GPa时,以N陷阱束缚激子的发光过程为主,大于3.3GPa时则以自由激子零声子过程为主,并且所有与N有关的陷阱态都具有压力的非线性行为。根据有效质量随压力的变化提出能谷中不同能量态具有不同的压力关系。基于有效质量随压力变化的能带格林函数方法,对N和NN_i对的压力系数作了模型计算,其结果和陷阱态的压力行为符合得相当好。证实了带结构,尤其是能谷曲率随压力的变化是决定陷阱态压力行为的主要因素。(本文来源于《高压物理学报》期刊1987年01期）
刘晓,江炳熙,王乃光,陈孟德,杨石军[6]（1986）在《高激发密度下磷化镓等电子陷阱束缚机制研究》一文中研究指出一、前言 很早就有激子受激光发射的报导,激子激光器的研究越来越受到人们的重视,为此,在高激发强度下,研究磷化镓中等电子陷阱束缚激子发光,无疑具有重要意义。 多年来,人们对GaP中激子束缚机制进行了大量研究。HTL模型及Allen模型可以说是两个比较成功模型。前者注重于等电子杂质原子与所取代的基质原子在电负性上的差异,(本文来源于《量子电子学》期刊1986年04期）
赵学恕,李国华,韩和相,汪兆平,唐汝明[7]（1984）在《GaAs中N等电子陷阱的研究》一文中研究指出对离子注N的GaAs样品作了77K的静压光致荧光研究。观察到了N陷阱中心元胞势束缚激子Nx的发光光谱及畸变势束缚激子N_T的发光峰。测量N_X能级的压力系数为2.8meV/kbar,常压下N的共振态高于导带边179meV。讨论了N等电子陷阱的电声子耦合强度及有效束缚激子半径随压力的变化关系。(本文来源于《物理学报》期刊1984年04期）
李涵秋,陆奋[8]（1983）在《GaAs_(1-x)P_x中N-等电子陷阱的研究》一文中研究指出本文用集团模型EHT方法计算GaAs_(1-x)Px中的N-等电子陷阱能级.计算表明,必须计入原子的激发态轨道才能使结果得到较为实质的改善.(本文来源于《半导体学报》期刊1983年02期）
张新夷[9]（1973）在《等电子陷阱》一文中研究指出有一些宽禁带材料具有很好的晶体生长性能以及适合于做发光材料的电学性质,但是它们的能带结构往往属于间接跃迁的性质,因而发光效率不高。提高这类材料的发光效率必须设法提高发光跃迁的振子强度。对于所有的发光材料,包括振子强度较大的(本文来源于《国外信息显示》期刊1973年Z1期）
等电子陷阱论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
研究了 4块ZnS∶Te薄膜样品 (Te组分从 0 .5 %到 3.1% )的光致发光谱在常压下的温度特性 .对于Te组分较小的 2块样品观察到 2个发光峰 ,分别来自Te1和Te2 等电子陷阱 ;而对Te组分较大的 2块样品则只观察到 1个来自Te2 等电子陷阱的发光 .我们还研究了这些发光峰在低温 15K下的流体静压压力行为 .观察到与Te1有关的发光峰压力系数比ZnS带边的要大很多 ,而与Te2 有关的发光峰压力系数则比带边小 .根据Koster Slater模型 ,价带态密度半宽随压力的增加是Te1中心有较大压力系数的主要原因 ,而Te1和Te2 中心的不同压力行为则是由于压力对两者缺陷势增强的不同效果引起的
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
等电子陷阱论文参考文献
[1].罗达玲,唐强,郭竞渊,张纯祥.MSO_4:Eu~(2+)(M=Mg,Ca,Sr,Ba)的等电子陷阱与热释光特性[J].物理学报.2015
[2].方再利,苏付海,马宝珊,丁琨,韩和相.静压下ZnS∶Te中Te等电子陷阱的发光[J].红外与毫米波学报.2004
[3].方再利,李国华,韩和相,丁琨,陈晔.ZnSeTe/ZnSe量子阱中Te等电子陷阱的静压光子发光谱研究[J].红外与毫米波学报.2002
[4].糜东林,郑健生,颜炳章,李国华,汪兆平.静压下GaAs_(1-x)P_x:N(x≤0.88)中N等电子陷阱的束缚激子发光[J].厦门大学学报(自然科学版).1990
[5].赵学恕,李国华,杨桂林,王炳桑,韩和相.GaP中N和NNi对等电子陷阱态的压力行为[J].高压物理学报.1987
[6].刘晓,江炳熙,王乃光,陈孟德,杨石军.高激发密度下磷化镓等电子陷阱束缚机制研究[J].量子电子学.1986
[7].赵学恕,李国华,韩和相,汪兆平,唐汝明.GaAs中N等电子陷阱的研究[J].物理学报.1984
[8].李涵秋,陆奋.GaAs_(1-x)P_x中N-等电子陷阱的研究[J].半导体学报.1983
[9].张新夷.等电子陷阱[J].国外信息显示.1973
论文知识图
