导读:本文包含了双极驱动论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:步进,功率,晶体管,步长,西北地区,电路,步幅。
双极驱动论文文献综述
司长明[1]（2018）在《SiC双极型功率半导体器件低功耗驱动技术研究》一文中研究指出近年来,Si基功率半导体器件经过长足的发展,其整体性能已趋于硅材料的极限,但该类器件的局限性已经成为制约电力电子技术未来发展的瓶颈之一。而SiC功率半导体器件可以更好地弥补Si基功率半导体器件在大电压量级和大功率方面的缺陷,因此SiC功率半导体器件已经引起了业内广泛的关注。本文的研究目的主要是设计出能够快速驱动SiC GTO开通与关断的低功耗驱动电路。研究的重点不仅是追求极高的驱动电流上升率与下降率,而且在SiC GTO导通期间关断门极驱动电流,较大限度地降低功耗。首先,从SiC功率半导体器件的发展概况出发,阐述了SiC功率半导体器件的诸多优良特性和在涉及电力电子领域的现代电力系统中的应用。然后,针对具有代表性的SiC BJT和SiC GTO双极型功率半导体器件在基本结构、工作原理和工作特性方面分别进行了介绍,并结合典型的电流型驱动电路,提出了低功耗驱动电路的设计思想。根据电路设计思想对基本器件进行了分析和选型,在已设计驱动电路的基础上,提出了低功耗驱动电路的整体设计方案:选用霍尔传感器作为SiC GTO主回路信号采集器,利用CMOS反相器输出高阻态的特性将NMOS作为开关元件,并采用反馈回路来控制驱动电路的通断。在低功耗驱动电路整体方案的基础上,对叁种控制电路的设计方案进行了理论分析和验证性测试。第一种是基于PMOS场效应管的控制电路设计方案,在1.5kHz下,关断驱动电流的时间占据整个开通时间的比例约为35%;第二种是基于多个MOS场效应管的控制电路设计方案,在1.5kHz下,关断驱动电流的时间占据整个开通时间的比例约为75%;第叁种是基于运算放大器的控制电路设计方案,在1.5kHz下,关断驱动电流的时间占据整个开通时间的比例约为65%。叁种电路设计方案均可在不同程度上降低驱动电路开通期间的功率损耗,尤其是基于运算放大器的控制电路拓扑结构最简单,因而理论上具有较高的可靠性,并且提供的驱动电流从0到200mA所需的时间约为20ns。因此本文在电路结构的拓扑原理上验证了能够达到快速开通与关断SiC GTO并降低驱动电路功耗的目的。(本文来源于《湖南大学》期刊2018-04-16）
黄海清[2]（2017）在《SiC双极型功率半导体器件的驱动电路研究》一文中研究指出以SiC为代表的宽禁带半导体材料取得了突破性进展,基于SiC材料的功率半导体器件和电路已在学术界和产业界引起广泛关注。和Si基功率半导体器件相比,SiC功率半导体器件具有阻断电压高、导通电流大、开关频率高、耐高温等优点,使得SiC功率半导体器件部分取代了 Si基功率半导体器件,将广泛应用于现代电力电子行业。本文主要研究目的是设计一款能够快速驱动SiC双极型功率半导体器件开通与关断的驱动电路。研究的重点是追求极短的驱动电流的上升、下降时间,达到快速开通与关断SiC双极型功率器件的目的,并尽可能提高开关频率。本文首先阐述了 SiC功率半导体器件的发展现状以及在现代电力电子领域系统的应用。通过对双极型功率半导体器件(以SiC BJT、SiC GTO为代表)基本结构和工作特性的分析,以及对几种典型的电流型驱动电路的对比,提出了驱动电路的设计思想。根据设计思想,本文最初设计了一款采用电容器储能,利用小功率快速硅BJT和MOSFET作为驱动器件,能够驱动SiCBJT开通的驱动电路。为了进一步缩短开通时驱动电流上升时间,对该驱动电路进行改进,改进后的驱动电路产生的开通驱动电流从0上升到200mA所需的时间缩短了一倍。随后,在该开通驱动电路的基础上采用对称互补结构设计了 一款能够驱动SiC BJT开通与关断的驱动电路,该驱动电路由快速光耦合器、MO S场效应晶体管组成的反相器、Si BJT互补电路叁个部分构成。完成驱动电路的设计后,制备了印刷电路板。分别加入SiCBJT工作回路和SiC GTO工作回路进行实验测试。驱动电路驱动SiCBJT、SiC GTO开通时,驱动电流从0到200mA所需的时间约为20ns,从开通控制信号触发到SiC BJT工作回路开通所需的时间大约为400ns,而驱动SiC GTO开通所需的时间约为5μs。驱动电路驱动SiCBJT、SiC GTO关断时,驱动电流从200mA到0所需的时间约为25ns,从关断控制信号触发到SiC BJT工作回路关断所需的时间大约为2.4μs,而驱动SiC GTO关断所需的时间约为7μs。同时该驱动电路的开关频率可以达到250kHz。实验结果证明本驱动电路能够对双极型功率半导体器件SiC BJT和SiC GTO快速驱动,实现开通与关断。(本文来源于《湖南大学》期刊2017-04-20）
唐赛,王俊,沈征,刘江[3]（2016）在《新型碳化硅双极结型晶体管自适应驱动电路》一文中研究指出将几种典型的传统双极结型晶体管(BJT)驱动应用于碳化硅(SiC)BJT,并对其功耗、开关速度进行比较,在此基础上对其参数进行优化,最后提出了一种SiC BJT的新型自适应驱动,通过建立从集电极电流到基极电流的正反馈,基极电流能等比例地跟随集电极电流,使得电流增益系数保持稳定,简化了驱动电路并提高了电路的响应速度,同时大大降低了轻载时基极稳态驱动功耗。通过斩波电路的实验结果表明,自适应驱动方式稳态功耗仅为恒定基极电流驱动方式稳态功耗的30%左右。(本文来源于《电力电子技术》期刊2016年06期）
[4]（2016）在《“两带双极”驱动 石化大省谋变——访江苏化工行业协会执行副会长兼秘书长赵伟建》一文中研究指出2月下旬,由江苏省发改委、经信委联合编制的《江苏省石化产业规划布局方案》(后称《方案》)正式发布。《方案》指出,未来15年内,江苏省将全面实现石化产业布局集约化、产业集群化、产品高值化、生产智能化、管理现代化,完成向石化强(本文来源于《江苏氯碱》期刊2016年02期）
杨阳,王庆年,龚依民,吴翠翠,姜海龙[5]（2016）在《基于电容分段反馈的绝缘栅双极型晶体管门极驱动》一文中研究指出将绝缘栅双极型晶体管(IGBT)关断过程分解为多个阶段,对IGBT关断过程中电压上升和电流下降采取分阶段电容耦合反馈从而独立控制dv/dt和di/dt,实现电磁辐射和关断电压反峰的双重约束。基于Pspiece模型仿真出不同反馈电容及门极电阻下的开关损耗和关断电压反峰,绘制出了相互之间的关系曲线,同时提出了一套优化系统参数的计算方法。选取英飞凌FS400R07A1E3_H5型IGBT模块,设计出了具备电容反馈的驱动电路,实验结果表明:在通过IGBT电流为400A的情况下,采取电容反馈的驱动电路将反峰电压降低80V左右,模块温升有所降低,验证了本文方法的正确性。(本文来源于《吉林大学学报(工学版)》期刊2016年05期）
[6]（2015）在《Microchip MTS2916A双极步进马达驱动方案》一文中研究指出MTS2916A马达驱动器属于CMOS器件,能够驱动双极步进马达的2个线圈或者双向控制2个DC马达。这2个独立的H桥输出每个都能够保持40V的电压,提供高达750m A的连续电流。输出电流电平由内部脉宽调制(PWM)电路控制,可以利用2个逻辑输入、1个电流感应电阻和1个可选参考电压对其进行配置。对H桥输出进行了优化,从而能够提供低输出饱和压降。全、半和微步进操作可以利用PWM电流控制和逻辑输入来实现。最高输出电流取决于感应(本文来源于《世界电子元器件》期刊2015年09期）
韩俊奇,徐建华,张明星,王良坤[7]（2014）在《双极型步进电机的斩波驱动电路设计》一文中研究指出设计了一款用于双极型步进电机的斩波驱动电路,采用可变增益放大器实现电流检测和角度细分以提高精度,采用新型低功耗功率放大电路降低芯片功耗,并采用0.35μm BCD工艺,最高输出电压为35 V,驱动能力为±2.5 A。测试结果表明,负载电源静态电流为3.9 m A,功率管导通电阻不超过0.23Ω,斩波电流误差小于8%。(本文来源于《微型机与应用》期刊2014年20期）
彭国华,黄龙[8]（2013）在《广东区域发展迎来“双极驱动”时代》一文中研究指出随着《决定》出台，粤东西北的发展路径进一步明确，这标志着这片幅员辽阔的土地进入一个崭新的发展时代。粤东西北不仅要破除发展中的“等靠要”思想，也要明确主体责任和发展定位，而珠叁角通过增强全局和责任意识，充分利用好境内外两种资源两个市场，对内加快发展，对外拓(本文来源于《南方日报》期刊2013-07-30）
时为[9]（2012）在《两相步进电机的双极细分驱动及Proteus仿真》一文中研究指出从软件仿真的角度,论述了两相步进电机的双极细分驱动原理,给出了细分驱动的波形、C语言编程方法及其Protues仿真结果。(本文来源于《扬州职业大学学报》期刊2012年01期）
Jose,Quinones[10]（2012）在《让有刷DC或双极步进电机驱动变得更容易》一文中研究指出众所周知,步进电机能够在开环条件下进行电流变向的同时,还能对速度和位置实施精确的控制。因此,在谈到电子驱动的简便性时,步进电机具有无与伦比的优势。另外,同许多由一些有刷DC电机或者叁相无刷DC电机组成的类似伺服驱动器相比,它还具有另一种与身具来的能(本文来源于《今日电子》期刊2012年01期）
双极驱动论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
以SiC为代表的宽禁带半导体材料取得了突破性进展,基于SiC材料的功率半导体器件和电路已在学术界和产业界引起广泛关注。和Si基功率半导体器件相比,SiC功率半导体器件具有阻断电压高、导通电流大、开关频率高、耐高温等优点,使得SiC功率半导体器件部分取代了 Si基功率半导体器件,将广泛应用于现代电力电子行业。本文主要研究目的是设计一款能够快速驱动SiC双极型功率半导体器件开通与关断的驱动电路。研究的重点是追求极短的驱动电流的上升、下降时间,达到快速开通与关断SiC双极型功率器件的目的,并尽可能提高开关频率。本文首先阐述了 SiC功率半导体器件的发展现状以及在现代电力电子领域系统的应用。通过对双极型功率半导体器件(以SiC BJT、SiC GTO为代表)基本结构和工作特性的分析,以及对几种典型的电流型驱动电路的对比,提出了驱动电路的设计思想。根据设计思想,本文最初设计了一款采用电容器储能,利用小功率快速硅BJT和MOSFET作为驱动器件,能够驱动SiCBJT开通的驱动电路。为了进一步缩短开通时驱动电流上升时间,对该驱动电路进行改进,改进后的驱动电路产生的开通驱动电流从0上升到200mA所需的时间缩短了一倍。随后,在该开通驱动电路的基础上采用对称互补结构设计了 一款能够驱动SiC BJT开通与关断的驱动电路,该驱动电路由快速光耦合器、MO S场效应晶体管组成的反相器、Si BJT互补电路叁个部分构成。完成驱动电路的设计后,制备了印刷电路板。分别加入SiCBJT工作回路和SiC GTO工作回路进行实验测试。驱动电路驱动SiCBJT、SiC GTO开通时,驱动电流从0到200mA所需的时间约为20ns,从开通控制信号触发到SiC BJT工作回路开通所需的时间大约为400ns,而驱动SiC GTO开通所需的时间约为5μs。驱动电路驱动SiCBJT、SiC GTO关断时,驱动电流从200mA到0所需的时间约为25ns,从关断控制信号触发到SiC BJT工作回路关断所需的时间大约为2.4μs,而驱动SiC GTO关断所需的时间约为7μs。同时该驱动电路的开关频率可以达到250kHz。实验结果证明本驱动电路能够对双极型功率半导体器件SiC BJT和SiC GTO快速驱动,实现开通与关断。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
双极驱动论文参考文献
[1].司长明.SiC双极型功率半导体器件低功耗驱动技术研究[D].湖南大学.2018
[2].黄海清.SiC双极型功率半导体器件的驱动电路研究[D].湖南大学.2017
[3].唐赛,王俊,沈征,刘江.新型碳化硅双极结型晶体管自适应驱动电路[J].电力电子技术.2016
[4]..“两带双极”驱动石化大省谋变——访江苏化工行业协会执行副会长兼秘书长赵伟建[J].江苏氯碱.2016
[5].杨阳,王庆年,龚依民,吴翠翠,姜海龙.基于电容分段反馈的绝缘栅双极型晶体管门极驱动[J].吉林大学学报(工学版).2016
[6]..MicrochipMTS2916A双极步进马达驱动方案[J].世界电子元器件.2015
[7].韩俊奇,徐建华,张明星,王良坤.双极型步进电机的斩波驱动电路设计[J].微型机与应用.2014
[8].彭国华,黄龙.广东区域发展迎来“双极驱动”时代[N].南方日报.2013
[9].时为.两相步进电机的双极细分驱动及Proteus仿真[J].扬州职业大学学报.2012
[10].Jose,Quinones.让有刷DC或双极步进电机驱动变得更容易[J].今日电子.2012
论文知识图
