碳化硅功率器件封装关键技术的研究

论文摘要

碳化硅功率器件是一种宽禁带器件,具有耐高温、耐高压以及导通电阻低等优点,而如何发挥碳化硅器件的相关优点,则是目前封装技术的不容忽视的问题。在文章研究中,阐述了碳化硅功率器件封装技术所面临的挑战,并介绍了模块封装结构以及相关关键技术情况。

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文章来源

类型: 期刊论文

作者: 李洪涛

关键词: 碳化硅,功率器件封装,封装结构

来源: 产业科技创新 2019年35期

年度: 2019

分类: 经济与管理科学,信息科技

专业: 无线电电子学

单位: 青岛滨海学院

基金: 青岛滨海学院校级课题项目（Q2018A021）

分类号: TN386

页码: 88-90

总页数: 3

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标签：碳化硅论文;  功率器件封装论文;  封装结构论文;