直接Z型CdO-CdS纳米棒阵列的制备及其光电催化性能研究(英文)

直接Z型CdO-CdS纳米棒阵列的制备及其光电催化性能研究(英文)

论文摘要

本文通过简单的水热法制备了一种CdO-CdS-维纳米棒阵列,并系统地研究了材料的结构、形貌及其光电化学性质和产氢活性.所得纳米棒为直径100至200 nm的六方柱.通过优化煅烧温度和时间得到了该实验条件下光电催化性能最优的样品.在0 V vs.Ag/AgCl偏压下,CdO-CdS光电流密度为6.5mA/cm2,光电催化产氢活性为240μmol·cm-2·h-1,几乎是纯CdS的2倍.该体系的光电催化性能超过了许多己报道的相似体系.根据材料结构和光电化学性能表征结果,提出了直接z型光催化机理,该机理可以很好地解释光致载流子的高分离效率和优异的氧化还原性能.

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文章来源

类型: 期刊论文

作者: 樊奕,宋治敏,董晶晶,王徵羽,杨越,朱晓娣,孙松,高琛,鲍骏

关键词: 直接型结构,一维纳米棒阵列,光电催化,产氢速率

来源: Chinese Journal of Chemical Physics 2019年06期

年度: 2019

分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑

专业: 化学,材料科学

单位: 中国科学技术大学国家同步辐射实验室能源材料化学协同创新中心安徽省高等学校表面与界面化学与能源催化重点实验室,安徽大学化学化工学院

基金: supported by the National Natural Science Foundation of China(No.U1632273,No.21673214,No.U1732272,and No.U1832165)

分类号: O643.36;O644.1;TB383.1

页码: 715-727

总页数: 13

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直接Z型CdO-CdS纳米棒阵列的制备及其光电催化性能研究(英文)
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