导读:本文包含了交替掺杂论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:十二烷基苯磺酸掺杂聚吡咯,电化学防污,循环伏安,阳极-阴极交替极化
交替掺杂论文文献综述
张珈漪,贾梦洋,姜晓辉,张志明,于良民[1]（2019）在《十二烷基苯磺酸掺杂聚吡咯在阳极-阴极交替极化下的防污性能》一文中研究指出采用化学氧化聚合法合成了一系列十二烷基苯磺酸掺杂的聚吡咯(PPy-DBSA),并研究了其电化学防污性能.循环伏安(CV)曲线表明,PPy-DBSA在天然海水中具有良好的电化学活性和稳定性.采用循环伏安扫描方法实现阳极极化和阴极极化交替进行,并对极化后的PPy-DBSA电极进行了抑菌性能研究,发现PPy-DBSA在循环伏安阳极-阴极交替(-1. 0～2. 0 V vs. SCE)极化下,可成功抑制微生物(大肠杆菌)的附着,其中在-0. 6～0. 8 V范围内循环伏安阳极-阴极交替极化20 min时防污效果最佳,抑菌率可达99. 8%,明显优于恒电位阳极极化和恒电位阴极极化的结果.(本文来源于《高等学校化学学报》期刊2019年11期）
胡一明,廖家轩,杨函于,王思哲,吴孟强[2]（2016）在《铈镁交替掺杂Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3薄膜高调谐性能》一文中研究指出根据Ce掺杂、Mg掺杂以及Y和Mn交替掺杂可分别使Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3(BST)薄膜的介电调谐率、介电损耗和综合介电性能提高、降低和提高的特点,采用改进的溶胶-凝胶(sol-gel)法制备了6层Ce和Mg交替掺杂BST薄膜,并研究其结构及介电性能.Ⅹ射线衍射表明,该薄膜为立方钙钛矿结构、主要沿(110)晶面生长、晶化明显增强.扫描电子显微镜表明,薄膜表面形貌极大改善,首层薄膜与基体良好匹配,Ce掺杂层为首层的交替掺杂薄膜表面更均匀致密、晶粒更细小、晶化略微减弱.Ⅹ射线光电子能谱表明,薄膜表面非钙钛矿结构显着减少.薄膜显示高调谐率和高优质因子.Mg掺杂层为首层的交替掺杂薄膜在高频范围的综合介电性能更稳定.Ce掺杂层为首层的交替掺杂薄膜在低频范围的介电强度更高,综合性能更突出,在100 kHz下,10,20和40 V偏压对应的调谐率分别为47.4%,63.6%和71.8%,对应的优质因子分别为27.1,77.5和86.5,可满足微波调谐应用.同时,就有关机理进行了分析.(本文来源于《物理学报》期刊2016年14期）
张未芳,廖家轩,黄家奇,魏雄邦,吴孟强[3]（2015）在《K和Mg高浓度交替掺杂BST薄膜介电性能研究》一文中研究指出在Si/SiO_2/Ti/Pt基片上用改进的溶胶-凝胶法制备了高掺杂浓度的Mg掺杂、K掺杂及Mg/K交替掺杂(K掺杂表层)的钛酸锶钡(BST)薄膜,并研究了其介电性能。X射线衍射(XRD)表明,薄膜为钙钛矿多晶结构。高浓度掺杂能细化晶粒、促进受主掺杂,K掺杂对应的晶化减弱,Mg掺杂对应的相当,交替掺杂对应的增强;随掺杂浓度增加,晶格常数和晶粒略有增大和细化;随层数增加,交替掺杂薄膜的晶格常数增大,晶粒细化,6层薄膜对应晶化最强。扫描电镜(SEM)表明,交替掺杂薄膜表面形貌介于两单掺杂薄膜之间,且随膜层增加由K掺杂形貌逐渐向Mg掺杂形貌转变;逐层制膜工艺和预晶化使截面形貌致密,且致密性随膜层增加而增加。C-V测试表明,K掺杂对应的调谐率和损耗最高,Mg掺杂对应的最低,交替掺杂对应的适中,且随掺杂浓度和/或膜层的优化而优化。(本文来源于《稀有金属材料与工程》期刊2015年S1期）
杨函于,廖家轩,王思哲,魏雄邦,吴孟强[4]（2015）在《掺杂浓度对钾镁交替掺杂BST薄膜介电性能的影响》一文中研究指出用溶胶-凝胶法(sol-gel)制备掺杂浓度(1~15)mol%的钾和镁交替掺杂钛酸锶钡(BST)薄膜,研究掺杂浓度对薄膜结构和介电性能的影响。X射线衍射(XRD)表明,薄膜为钙钛矿结构。扫描电镜(SEM)显示,薄膜致密、晶粒大小均匀、低浓度下薄膜表面更平整光滑。随着浓度的增加,晶化逐渐减弱,平均晶粒大小和介电损耗呈减小趋势。交替掺杂结合了钾掺杂高调谐率和镁掺杂低介电损耗的优点,明显提高了优质因子。5 mol%对应最佳综合介电性能,在–20~20V范围内,介电损耗小于1.63%,调谐率为40.9%,可满足微波调谐需要。同时,就有关机理进行了讨论。(本文来源于《稀有金属材料与工程》期刊2015年S1期）
廖家轩,杨函于,王思哲,张未芳,黄家奇[5]（2015）在《镁和钾交替掺杂BST薄膜优化设计与介电特性研究》一文中研究指出根据K掺杂BST(KBST)和Mg掺杂BST(MBST)薄膜的优点,设计K和Mg叁明治交替掺杂BST薄膜KBST/MBST/KBST(K/M/K)和MBST/KBST/MBST(M/K/M),用溶胶-凝胶(sol-gel)法在Si/SiO_2/Ti/Pt基片上制备该薄膜,研究其介电特性。薄膜为立方钙钛矿结构,平均晶粒尺寸16~20 nm。交替掺杂有效整合K掺杂和Mg掺杂,为受主掺杂,晶格常数增大。K/M/K掺杂显着增强晶化、促进薄膜生长,M/K/M掺杂明显细化晶粒、改善界面特性。20 V下C-V测试表明,KBST、MBST、M/K/M型及K/M/K型薄膜的最大电容依次为91、38、37和47 pF,调谐率64%、27%、38%和42%及介电损耗2.90%、1.67%、1.33%和1.58%;随膜厚增加,叁者减小,调谐率与损耗之比值增大。M/K/M型薄膜具有最佳综合介电性能,可满足微波调谐需要。对有关机理进行了讨论。(本文来源于《稀有金属材料与工程》期刊2015年S1期）
张未芳[6]（2015）在《钇锰交替掺杂钛酸锶钡薄膜预热处理研究》一文中研究指出BST铁电薄膜因其具有良好的铁电、介电、压电等方面的特性,成为近年来研究的一个热点。其优良的性能可以使其应用在移相器、动态随机存储器等微波调谐器件当中。然而,应用在微波调谐领域要求BST薄膜必须同时具有高的调谐率和低的介电损耗。纯的BST虽然可以达到较高的调谐率,但是介电损耗较高阻碍了其应用。为了克服这一缺点,本研究团队前期进行了大量的研究,包括改进薄膜的制备工艺、进行单一掺杂、复合掺杂以及交替掺杂来提高薄膜的综合介电性能,都取得了良好的进展。尤其是钇(Y)和锰(Mn)交替掺杂对于提高薄膜的综合介电性能有着良好的促进作用。本团队在研究中发现,在制备薄膜的过程中加入预热处理过程可以大大的改善薄膜的性能,目前关于这方面的研究还比较欠缺。因此,本论文在前期研究的基础上,重点研究不同的预热处理方式以及不同的掺杂浓度组合对钇(Y)和锰(Mn)交替掺杂薄膜的介电性能的影响,并深入地分析了其机理。利用XRD、SEM以及HP4294A阻抗分析仪测试了薄膜的相结构、表面形貌及介电性能,取得了以下创新性成果:1、适当的预热处理可以有效地提高薄膜的综合介电性能,不仅使薄膜保持较高的调谐率,且可以有效地降低介电损耗。其中,在600℃条件下进行预热处理,保持Y的掺杂浓度为1%不变,随着Mn的掺杂浓度从2%升到5%,薄膜的介电损耗经历了先减小后增大的过程,当Mn的掺杂浓度为3%时,薄膜的调谐率为47.90%,最大介电损耗低至1.98%;在650℃条件下进行预热处理,薄膜性能有所提高,3mol%Mn/1mol%Y薄膜的最大介电损耗降低至1.38%,调谐率为48.2%。2、对薄膜的预热处理温度进行进一步优化,在550℃条件下进行预热处理,获得了较其他单一温度预热处理更低的介电损耗,随着Mn的浓度从2%升到5%,薄膜的最低介电损耗分别为0.79%、0.97%、0.92%,均在1%以下。并且在降低了损耗的基础上,保持了较高的调谐率,叁种浓度下薄膜的调谐率依次为56%、56%、48.6%,表现出优异的介电性能。3、在单一温度预热处理方式的基础上,提出了一种新型的预热处理方式:梯度预热处理。随着薄膜层数的增加,薄膜的预热处理温度呈现梯度的变化,由第一层的550℃逐渐升高到了第六层的650℃。在此预热处理方式下,随着Mn掺杂浓度的增大,薄膜的晶化逐渐增强,晶粒尺寸逐渐增大。薄膜的综合介电性也能得到了大幅度的提升,保持Y的掺杂浓度不变,当Mn的掺杂浓度为2%时,薄膜的最大损耗和最低损耗分别为1.4%和0.49%,同时对应高达50.2%的调谐率;当Mn的掺杂浓度为3%时,薄膜的最高损耗和最低损耗分别为1.3%和0.404%;随着Mn的浓度的进一步的升高,介电损耗有所升高,但是仍然保持在较低的水平,当Mn的浓度为6%时,最高损耗和最低损耗分别为1.33%和0.635%。SEM测试结果也表明:经过梯度预热处理的薄膜表面形貌良好,晶粒细小均匀,孔隙更少。(本文来源于《电子科技大学》期刊2015-04-07）
廖家轩,黄家奇,张未芳,杨函于,王思哲[7]（2014）在《镁和钾交替掺杂BST薄膜优化设计与介电特性研究》一文中研究指出根据K掺杂BST(KBST)和Mg掺杂BST(MBST)薄膜的优点,通过薄膜层数(厚度)优化设计了两种叁明治交替掺杂BST薄膜结构KBST/MBST/KBST(K/M/K)和MBST/KBST/MBST(M/K/M),用改性溶胶-凝胶法制备相应的薄膜,并研究其介电特性。薄膜均为立方钙钛矿多晶结构,主要沿(110)方向生长,平均晶粒尺(本文来源于《第十八届全国高技术陶瓷学术年会摘要集》期刊2014-11-19）
张未芳,廖家轩[8]（2014）在《K和Mg高浓度交替掺杂BST薄膜介电性能研究》一文中研究指出在Si/SiO2/Ti/Pt基体上用改善的溶胶-凝胶法制备了镁掺杂、钾掺杂、钾/镁交替掺杂(镁掺杂表层)和镁/钾交替掺杂(钾掺杂表层)钛酸锶钡(Ba0.6Sr0.4HO3)薄膜,主要对比研究了1mol%和15mol%掺杂浓度下薄膜的结构及介电性能。X射线衍射表明,薄膜主要沿着(110)方向生长,为钙钛矿多晶结构。在高浓度下,交替掺杂薄膜具有更高的衍射峰和更小的半高宽,表明高浓度交替掺杂更有利于薄膜晶化、钙钛矿结构形(本文来源于《第十八届全国高技术陶瓷学术年会摘要集》期刊2014-11-19）
杨函于,廖家轩[9]（2014）在《掺杂浓度对钾镁交替掺杂BST薄膜介电性能的影响》一文中研究指出鉴于钾掺杂BST薄膜具有较高的调谐率和介电损耗,镁掺杂BST薄膜有较低的介电损耗和调谐率,本论文采用改进的溶胶-凝胶法(Sol-gel)在Si/SiO2/Ti/Pt基片上制备了1mol%~15mol%掺杂浓度的钾镁交替掺杂的BST薄膜,并研究了掺杂浓度对其结构和介电性能的影响。X射线衍射(XRD)表明,薄膜为钙钛矿结构,主要沿(110)晶面生长。随着掺杂浓度的增加,BST(110)峰的衍射强度先增后减,平均晶粒大小也(本文来源于《第十八届全国高技术陶瓷学术年会摘要集》期刊2014-11-19）
赵鹏程,张振中,姚斌,李炳辉,王双鹏[10]（2014）在《通过交替生长气氛调控N掺杂ZnO薄膜电学特性》一文中研究指出使用分子束外延方法在c面蓝宝石衬底上生长了系列氮掺杂ZnO薄膜样品。在连续的富锌气氛环境中生长的样品,由于存在大量的施主缺陷,呈现n型电导。为了抑制施主缺陷带来的补偿效应,在生长过程中,通过周期性补充氧气,形成周期性的富氧气氛,缓解了氮掺杂浓度和施主缺陷浓度之间的矛盾。光致发光测量表明,通过交替生长气氛,氧空位和锌间隙等缺陷在薄膜中得到了显着抑制。通过交替生长气氛生长的外延薄膜的结晶质量也有所提高。样品显示出重复性较高的p型电导,载流子浓度可达到1016cm-3。周期性补氧调节生长气氛的生长方式是一种有效实现p型掺杂ZnO的方法。(本文来源于《发光学报》期刊2014年04期）
交替掺杂论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
根据Ce掺杂、Mg掺杂以及Y和Mn交替掺杂可分别使Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3(BST)薄膜的介电调谐率、介电损耗和综合介电性能提高、降低和提高的特点,采用改进的溶胶-凝胶(sol-gel)法制备了6层Ce和Mg交替掺杂BST薄膜,并研究其结构及介电性能.Ⅹ射线衍射表明,该薄膜为立方钙钛矿结构、主要沿(110)晶面生长、晶化明显增强.扫描电子显微镜表明,薄膜表面形貌极大改善,首层薄膜与基体良好匹配,Ce掺杂层为首层的交替掺杂薄膜表面更均匀致密、晶粒更细小、晶化略微减弱.Ⅹ射线光电子能谱表明,薄膜表面非钙钛矿结构显着减少.薄膜显示高调谐率和高优质因子.Mg掺杂层为首层的交替掺杂薄膜在高频范围的综合介电性能更稳定.Ce掺杂层为首层的交替掺杂薄膜在低频范围的介电强度更高,综合性能更突出,在100 kHz下,10,20和40 V偏压对应的调谐率分别为47.4%,63.6%和71.8%,对应的优质因子分别为27.1,77.5和86.5,可满足微波调谐应用.同时,就有关机理进行了分析.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
交替掺杂论文参考文献
[1].张珈漪,贾梦洋,姜晓辉,张志明,于良民.十二烷基苯磺酸掺杂聚吡咯在阳极-阴极交替极化下的防污性能[J].高等学校化学学报.2019
[2].胡一明,廖家轩,杨函于,王思哲,吴孟强.铈镁交替掺杂Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3薄膜高调谐性能[J].物理学报.2016
[3].张未芳,廖家轩,黄家奇,魏雄邦,吴孟强.K和Mg高浓度交替掺杂BST薄膜介电性能研究[J].稀有金属材料与工程.2015
[4].杨函于,廖家轩,王思哲,魏雄邦,吴孟强.掺杂浓度对钾镁交替掺杂BST薄膜介电性能的影响[J].稀有金属材料与工程.2015
[5].廖家轩,杨函于,王思哲,张未芳,黄家奇.镁和钾交替掺杂BST薄膜优化设计与介电特性研究[J].稀有金属材料与工程.2015
[6].张未芳.钇锰交替掺杂钛酸锶钡薄膜预热处理研究[D].电子科技大学.2015
[7].廖家轩,黄家奇,张未芳,杨函于,王思哲.镁和钾交替掺杂BST薄膜优化设计与介电特性研究[C].第十八届全国高技术陶瓷学术年会摘要集.2014
[8].张未芳,廖家轩.K和Mg高浓度交替掺杂BST薄膜介电性能研究[C].第十八届全国高技术陶瓷学术年会摘要集.2014
[9].杨函于,廖家轩.掺杂浓度对钾镁交替掺杂BST薄膜介电性能的影响[C].第十八届全国高技术陶瓷学术年会摘要集.2014
[10].赵鹏程,张振中,姚斌,李炳辉,王双鹏.通过交替生长气氛调控N掺杂ZnO薄膜电学特性[J].发光学报.2014
标签：十二烷基苯磺酸掺杂聚吡咯; 电化学防污; 循环伏安; 阳极-阴极交替极化;