电子辐照效应论文_董畅

导读:本文包含了电子辐照效应论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译,主要关键词:电子,电学,光谱,性能,形状,效应,层状。

电子辐照效应论文文献综述

董畅[1](2018)在《Novastrat型透明聚酰亚胺薄膜质子和电子辐照效应》一文中研究指出本文以Novastrat型透明聚酰亚胺(PI)薄膜在空间薄膜相机上的应用为背景,利用空间带电粒子辐照模拟设备,进行了120keV质子和100keV电子辐照试验,总结了辐照条件下PI膜的光学及力学性能变化规律,采用FTIR和XPS手段分析了PI膜分子内部分基团的变化,并结合拉曼光谱、SEM、EPR及XRD等方法,揭示了PI膜的辐照损伤微观机理。辐照试验表明,在质子辐照下,PI膜在可见光波段的光谱透过率随辐照注量的增加而降低,当注量达到4E15cm~(-2)时,500nm附近的透过率下降24%,平均透过率下降9.387%;通过SEM观察发现,质子辐照后PI膜表面不再平整,出现较多的褶皱,宏观缺陷增加;同时,PI膜的力学性能明显退化,拉伸强度由278MPa下降至115MPa,断裂延伸率由11%下降至4.0%。电子辐照对PI膜光学性能和力学性能的影响明显弱于质子辐照,当束流密度为1E12cm~(-2)/s时,光谱透过率随注量增加单调下降。通过SEM对PI膜拉伸断口分析发现,质子辐照PI膜表面形成了明显的分层现象,质子影响区域与基体间存在大量微裂纹,而且该区域与基体断裂是不同步的。利用DSC、FTIR、XPS及拉曼光谱综合分析表明,在质子射程范围内,质子辐照破坏了PI分子结构中的羰基、醚键、C-F键和酰亚胺环,继而生成O=C=O基团等众多不饱和基团,使表层发生碳化。XRD分析显示,碳化层中存在似于C_(13)N_(14)H_8晶体的结构,这种分层结构抗层间撕裂能力较弱,导致力学性能大幅下降;由于电子射程远大于膜厚,辐照后不会形成分层结构。SEM拉伸断口观察发现,镜面区、雾状区和粗糙区面积变小,排布密度增加。综合分析表明,电子辐照造成分子链醚键和羰基断裂,在PI膜内生成大量热解碳自由基,然后通过自由基反应使分子链发生降解,同时生成O=C=O基团。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2018-06-01)

郭鑫鑫[2](2018)在《PI气凝胶与CF/PTA复合材料电子及真空紫外辐照效应》一文中研究指出本文利用高低能电子辐照和真空紫外辐照模拟设备,在对PI气凝胶(Polyimide aerogel)和CF/PTA复合材料(Carbon fiber reinforced polytriazole composite)进行辐照试验的基础上,通过分析辐照对材料热稳定性、热导率、热扩散系数和弯曲强度的影响,并结合SEM、ATR-FTIR和XPS等现代材料分析技术,研究了PI气凝胶和CF/PTA复合材料的电子与真空紫外辐照效应及损伤机理。同时,采用离位或原位测试技术,考察了电子及真空紫外辐照对PI气凝胶和CF/PTA复合材料真空析气特性的影响。研究表明:170 ke V和1 Me V电子辐照使PI气凝胶产生电离损伤,导致材料降解,C-O键含量降低。170 ke V电子辐照除了使材料发生电离损伤外,还会使材料发生充放电效应,放电损伤使得材料形貌发生破坏,比表面积减小。真空紫外辐照导致PI气凝胶表面活化,O元素含量升高,C=O、C-O键相对含量增加。电子辐照及真空紫外辐照对PI气凝胶热稳定性、热导率和热扩散系数的影响有限。170 ke V和1 Me V电子辐照及真空紫外辐照使CF/PTA复合材料发生电离损伤,导致聚叁唑基体(PTA)降解,C-N键含量降低。随着电子辐照能量的增加,PTA基体降解程度增大,复合材料热稳定性和弯曲强度下降程度增大。其中,1 Me V高能电子辐照会使CF/PTA复合材料的热稳定性和弯曲强度显着降低,而170 ke V电子和真空紫外对CF/PTA复合材料的热稳定性和弯曲强度影响不显着。PI气凝胶和CF/PTA复合材料因真空析气导致质量损失,随时间变化关系均符合指数型准一级动力学方程。170 ke V、1 Me V电子辐照使PI气凝胶发生降解,导致可凝挥发物(CVCM)质量增加,而真空紫外辐照引起表面活化,使PI气凝胶与所吸附的气体发生反应,导致可凝挥发物有所降低。电子及真空辐照均使CF/PTA复合材料总质量损失(TMLex)增加,其中,经1 Me V电子辐照后,材料可凝挥发物质量显着增加。原位动态测试结果表明,真空紫外辐照将引起PI气凝胶表面活化,导致气体环境中的H2O含量显着降低,并且真空紫外将导致CF/PTA复合材料发生降解,析出CH3+、C3H3+和C3H5+等离子。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2018-06-01)

刘超[3](2017)在《GAN基LED电子束流辐照效应的研究》一文中研究指出随着半导体器件应用的不断发展,越来越多的光电子器件需要工作在辐照极端恶劣的环境中,这对光电子器件抗辐照能力提出了更高的要求。GaN材料作为第叁代半导体的代表,在许多光电器件方面具有重要应用。氮化镓(GaN)材料具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好等诸多优点,在光电子、高温大功率器件和高频微波器件等方面都有重要应用,而且采用蓝光GaN与荧光粉复合生成白光是制作白光LED的重要方法。同时GaN材料具有较强的抗辐照能力,在未来空间探测以及核技术中GaN器件必将具有广阔的应用前景,因此研究GaN材料及器件的辐照效应意义重大。本文主要研究了不同能量和剂量的电子束流辐照对GaN基LED的光电学性能的影响,重点研究GaN基LED的峰值波长、光强、色温、色纯度、工作电流等参数受电子束辐照效应影响。本文主要做了以下研究:1.利用2.5GeV电子束流辐照GaN基LED时,随着辐照的剂量的不断增加LED的光功率呈指数下降,工作电流不断升高,发光波长出现了蓝移,而且经点亮辐照的LED,在辐照后工作性能更加稳定,这主要是因为辐照过程中产生了不同类型的缺陷,同时辐照中存在点亮自退火的过程。2.利用1.5MeV电子束流辐照白光LED灯板时,辐照使LED的光效增高16%,峰值波长发生蓝移、色温升高、色纯度下降,这主要是因为辐照过程使荧光粉的基质(YAG)与稀土元素发光中心(Ce3+)的距离减小,发光中心数量增多以及极化效应使GaN材料的禁带宽度变大等作用所引起的。3.通过蒙特卡洛方法对高能电子辐照过程中电子能量的传输以及射程分布进行了模拟,并基于以上模拟理论建立简化的随机模型,用CASINO软件对辐照过程中电子运行轨迹进行了仿真。仿真结果与理论分析结果吻合较好,表明使用该方法模拟高能电子辐照能量传输过程具有一定的实用价值。(本文来源于《天津工业大学》期刊2017-01-20)

刘超,于莉媛,王志刚,钱森,夏经铠[4](2016)在《GaN基LED高能电子束流辐照效应研究》一文中研究指出使用高能电子辐照对GaN基蓝光发光二极管(Light Emitting Diode,LED)光电学性能的影响进行研究。高能电子束流分别对不同组别的LED样品进行辐照实验,并通过自动测控系统对辐照过程中LED的电流、光强、光谱峰值波长进行全程测控。随后,在室温无辐照环境下对上述不同组别的LED样品进行跟踪对比测试研究。实验结果表明,高能辐照对LED的改性有明显效果,具体表现在工作电流和发光功率变化时受辐照影响的稳定性有所改善,光谱峰值波长出现蓝移。同时,GaN基LED在辐照过程中是否通电对LED的光电学性能有显着影响。(本文来源于《核技术》期刊2016年12期)

玛丽娅,郭旗,艾尔肯,李豫东,李占行[5](2017)在《In_(0.22)Ga_(0.78)As/GaAs量子阱光致发光谱电子辐照效应研究》一文中研究指出对未掺杂的In_(0.22)Ga_(0.78)As/GaAs量子阱材料开展了能量为1 MeV、电子注量达1×1016/cm~2的电子束辐照实验。实验结果显示,电子束轰击量子阱材料,通过能量传递在材料中引入缺陷,导致光致发光减弱;电子束辐照后的量子阱中同时存在应力释放和原子互混现象,导致量子阱的发光峰先红移后蓝移;辐照后的量子阱发光波长取决于应变弛豫和扩散的共同作用。(本文来源于《光学学报》期刊2017年02期)

刘超,于莉媛,王志刚,钱森,夏经铠[6](2016)在《GaN基LED高能电子束流辐照效应研究》一文中研究指出文中对高能电子辐照对GaN基蓝光LED光电学性能的影响进行研究。高能电子束流分别对不同组别的LED样品进行辐照实验,并通过自动测控系统对辐照过程中LED的电流、光强、光谱峰值波长进行全程测控。随后,在室温无辐照环境下对上述不同组别的LED样品进行跟踪对比测试研究。实验结果表明:高能辐照对LED的改性有明显效果,具体表现在工作电流和发光功率变化趋势不同,光谱峰值波长的蓝移情况也不同。同时,GaN基LED在辐照过程中是否通电对LED的光电学性能有显着影响。(本文来源于《第十八届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集》期刊2016-07-12)

徐涛[7](2016)在《新型二维材料电子辐照效应研究》一文中研究指出新型二维材料的性能及应用受到其自身结构的重要影响。因此,研究新型二维材料的结构演变及规律,有利于深入了解其结构与性能的相关性,进而可推动其在相关领域的潜在应用。本论文利用透射电子显微镜中的高能电子束作为探索结构变化的工具,原位研究了石墨烯、氮化硼、二硫化钼等新型二维材料在电子束辐照作用下的微观结构演变行为及相关机制,通过对辐照机理的分析和电子辐照参数的控制,实现了二维材料原子尺度上的按需构筑。借助这些构筑机理,还尝试研究了二维材料在液态环境中的辐照效应。主要内容包括:1.在石墨烯方面,研究了会聚电子束辐照导致的沉积现象、刻蚀现象及两者之间的关系,并探讨了热处理对沉积、刻蚀效果的影响。(1)实验结果表明会聚电子束的电流密度存在一个临界值,当电流密度小于临界值时,电子束诱导的沉积效应更加明显;当电流密度大于临界值时,刻蚀效应更加显着。定量分析表明,电流密度临界值和材料状态有关,例如,对于液相超声剥离的石墨烯样品,电流密度临界值约为300A/cm~2。(2)热处理能够修复石墨烯的结构缺陷,因此高温条件下刻蚀石墨烯获得纳米孔的过程相对缓慢,但制备的纳米孔拥有较好的结晶度。此外,热激励对石墨烯纳米孔的尺寸也具有调控作用。当纳米孔初始孔径小于石墨烯薄膜厚度时,纳米孔在热激励下趋向于缩孔;反之,当初始孔径大于薄膜厚度时,纳米孔在热激励下倾向于扩孔。这一现象是由表面自由能驱动孔边缘非饱和碳原子的扩散所引起。2.研究了氮化硼在电子束辐照下的结构演变行为。(1)在80keV能量的电子束辐照下,单层氮化硼上会形成大量的硼空位及叁角状结构缺陷,叁角状缺陷边界是以氮原子为终端的锯齿状结构。(2)AA'堆垛的双层氮化硼在80keV能量的电子束辐照下可形成挤压的单壁扶手椅型纳米管,其最小管径约为0.45 nm。分析表明,最小管径纳米管为(3,3)纳米管,是迄今实验上观察到的最小单壁氮化硼纳米管。3.研究了单层二硫化钼在电子束辐照下的结构演变行为。(1)结构表征证实撕胶带法制备的单层二硫化钼中存在大量的单硫空位,密度在1013/cm~2量级。原位辐照实验表明,在80keV能量的电子束辐照下硫原子的离位截面约为(1.7±0.2)×10-28 m~2。(2)单层二硫化钼在大剂量80keV能量的电子束辐照下形成宽度为0.35 nm的准一维结构。该结构呈现出不同于MoS2的原子结构特征,分析推断该结构相为Mo5S4。该实验结果表明电子束辐照有望成为一种由上而下制备亚纳米结构的重要技术手段。4.构建了用于研究二维材料在液态环境中辐照效应的原位系统。(1)通过传统硅基微纳加工技术成功构筑了液体腔,继而在透射电子显微镜中成功引入了液态实验环境。(2)尝试性观察了石墨烯、二硫化钼等二维材料在水溶液中的形态。(3)观察了其他材料在液态环境中的结构演变。(本文来源于《东南大学》期刊2016-03-31)

王志强[8](2015)在《E-51形状记忆环氧树脂制备及电子辐照效应研究》一文中研究指出形状记忆环氧树脂具有在一定条件下改变其形状并能够回复到原来形状的能力。由于形状记忆环氧树脂具有力学性能良好、价格低廉、可靠性较高等优点,所以其在航天器的折迭展开机构有很大的应用潜力。形状环氧树脂应该具有很高的固化度和一定的交联度。按照这一理论,本文利用4’4-二氨基二苯甲烷固化剂来固化E-51环氧树脂,在固化过程中利用聚丙二醇二缩水甘油醚增韧。利用聚乙烯醇(PVA)膜做衬底,浇铸之前在PVA膜表面涂抹KH-570硅烷偶联剂,制备了厚度为100μm的形状记忆环氧树脂薄膜。本文采用所制备的薄膜分别进行不同能量、不同注量的电子辐照试验。利用自制形状记忆测试装置对辐照后的材料进行形状记忆性能测试,利用示差扫描量热分析、动态热机械分析测试不同能量、不同注量电子辐照下材料的玻璃化转变温度Tg,利用傅里叶转换红外线光谱分析、原子力显微镜、电子顺磁共振分析研究了自制形状记忆环氧树脂的内部结构及表面的变化。分析结果表明,形状记忆环氧树脂在辐照注量低于1E15cm-2的低能电子辐照条件下,其形状记忆性能仍然保持很好。其中当辐照电子能量为100ke V、注量为1E15cm-2的条件下,自制形状记忆环氧树脂的玻璃化转变温度上升约5℃,其形状固定率与形状回复率都有所提高,并且其形状回复速率加快。试样在能量为170ke V电子辐照下,能够经受7次以上的形状记忆循环周期而形状回复性能基本不发生改变。形状记忆环氧树脂在经过电子辐照后的储能模量在Tg前后发生了叁个数量级以上的变化。在能量为1Me V的电子辐照作用下,其玻璃化转变温度Tg随着辐照注量的增加呈现交替变化趋势,当辐照注量为1E15cm-2时,形状记忆环氧树脂的Tg最小,为40.25℃。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2015-06-01)

王影[9](2014)在《臭氧改性碳纤维/氰酸酯复合材料及其电子质子辐照效应》一文中研究指出碳纤维增强氰酸酯树脂复合材料作为一种先进的复合材料,在航空航天、军用、民用等领域有越来越重要的应用。碳纤维(CF)的表面惰性使复合材料界面粘结性能差,限制了材料综合性能的发挥。本文采用臭氧对碳纤维进行表面改性,旨在改善其复合材料界面性能,并研究了在电子质子综合辐照下,臭氧改性前后的材料的性能演化和损伤机理,为碳纤维/氰酸酯复合材料推广应用奠定理论基础和技术支持。采用SEM、XPS、XRD、IR等对臭氧处理前后CF表面的形貌和化学结构进行了表征和分析,研究了不同臭氧处理工艺参数对CF表面性能的影响。结果表明,臭氧处理对CF表面有刻蚀作用,CF表面粗糙度增加,CF表面的氧元素和含氧极性官能团的相对含量增加,臭氧处理后CF表面仍为类石墨结构,CF表面的石墨化程度下降,CF表面被活化。采用臭氧处理前后的CF作为增强体,氰酸酯树脂(CE)作为基体,制备CF/CE复合材料,并分别利用电子万能试验机、SEM、AFM对CF/CE复合材料的层间剪切强度(ILSS)和界面结合状况进行了表征。研究表明,臭氧处理后,复合材料ILSS值显着提高,在处理时间7min、浓度为35mg/L、温度为60℃下,ILSS达到62.91MPa,比未处理的提高了32.65%,臭氧处理后,复合材料界面的结合状况明显改善。利用空间辐照综合模拟器用能量为160keV的电子和质子对CE、CF和CF/CE复合材料进行了辐照试验,对辐照前后材料的微观形貌、结构和力学性能进行了表征。研究表明,辐照主要对树脂产生的损伤较大,CE基体表面在辐照下颜色和形貌均发生变化,发生断键、碳化和交联,致使其表面化学成分和组成发生改变。辐照对CF表面形貌影响不大,CF表面的石墨化程度有所增加。CF/CE复合材料的层间剪切强度(ILSS)先随注量的增加而增加,在注量超过1×1016e(p)/cm2后,ILSS值下降。CE、CF和CF/CE复合材料的质量损失都随注量的增加而增加后趋于平缓。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2014-07-01)

段丙皇,陈亮,王铁山,彭海波,张根发[10](2014)在《硼硅酸盐玻璃的电子辐照效应》一文中研究指出在高放废物长期地质处置过程中,作为第一层工程屏障的固化体玻璃会受到持续的电子辐照,研究其电子辐照效应对高放废物的长期安全处置具有重要的意义。在透射电子显微镜(TEM)上对硼硅酸盐玻璃样品进行原位电子辐照实验。在电子束的作用下,两种硼硅酸盐玻璃均很快发生相分离现象,这主要是由于电离作用导致Na的迁移或逃逸引起网络体结构重组的结果。引入简单的结构模型解释了两种不同组分硼硅酸盐玻璃相分离的不同,结果表明,相分离的不同与玻璃组分中Na成分的多少密切相关。(本文来源于《原子核物理评论》期刊2014年02期)

电子辐照效应论文开题报告

(1)论文研究背景及目的

此处内容要求:

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例:

本文利用高低能电子辐照和真空紫外辐照模拟设备,在对PI气凝胶(Polyimide aerogel)和CF/PTA复合材料(Carbon fiber reinforced polytriazole composite)进行辐照试验的基础上,通过分析辐照对材料热稳定性、热导率、热扩散系数和弯曲强度的影响,并结合SEM、ATR-FTIR和XPS等现代材料分析技术,研究了PI气凝胶和CF/PTA复合材料的电子与真空紫外辐照效应及损伤机理。同时,采用离位或原位测试技术,考察了电子及真空紫外辐照对PI气凝胶和CF/PTA复合材料真空析气特性的影响。研究表明:170 ke V和1 Me V电子辐照使PI气凝胶产生电离损伤,导致材料降解,C-O键含量降低。170 ke V电子辐照除了使材料发生电离损伤外,还会使材料发生充放电效应,放电损伤使得材料形貌发生破坏,比表面积减小。真空紫外辐照导致PI气凝胶表面活化,O元素含量升高,C=O、C-O键相对含量增加。电子辐照及真空紫外辐照对PI气凝胶热稳定性、热导率和热扩散系数的影响有限。170 ke V和1 Me V电子辐照及真空紫外辐照使CF/PTA复合材料发生电离损伤,导致聚叁唑基体(PTA)降解,C-N键含量降低。随着电子辐照能量的增加,PTA基体降解程度增大,复合材料热稳定性和弯曲强度下降程度增大。其中,1 Me V高能电子辐照会使CF/PTA复合材料的热稳定性和弯曲强度显着降低,而170 ke V电子和真空紫外对CF/PTA复合材料的热稳定性和弯曲强度影响不显着。PI气凝胶和CF/PTA复合材料因真空析气导致质量损失,随时间变化关系均符合指数型准一级动力学方程。170 ke V、1 Me V电子辐照使PI气凝胶发生降解,导致可凝挥发物(CVCM)质量增加,而真空紫外辐照引起表面活化,使PI气凝胶与所吸附的气体发生反应,导致可凝挥发物有所降低。电子及真空辐照均使CF/PTA复合材料总质量损失(TMLex)增加,其中,经1 Me V电子辐照后,材料可凝挥发物质量显着增加。原位动态测试结果表明,真空紫外辐照将引起PI气凝胶表面活化,导致气体环境中的H2O含量显着降低,并且真空紫外将导致CF/PTA复合材料发生降解,析出CH3+、C3H3+和C3H5+等离子。

(2)本文研究方法

调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

电子辐照效应论文参考文献

[1].董畅.Novastrat型透明聚酰亚胺薄膜质子和电子辐照效应[D].哈尔滨工业大学.2018

[2].郭鑫鑫.PI气凝胶与CF/PTA复合材料电子及真空紫外辐照效应[D].哈尔滨工业大学.2018

[3].刘超.GAN基LED电子束流辐照效应的研究[D].天津工业大学.2017

[4].刘超,于莉媛,王志刚,钱森,夏经铠.GaN基LED高能电子束流辐照效应研究[J].核技术.2016

[5].玛丽娅,郭旗,艾尔肯,李豫东,李占行.In_(0.22)Ga_(0.78)As/GaAs量子阱光致发光谱电子辐照效应研究[J].光学学报.2017

[6].刘超,于莉媛,王志刚,钱森,夏经铠.GaN基LED高能电子束流辐照效应研究[C].第十八届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集.2016

[7].徐涛.新型二维材料电子辐照效应研究[D].东南大学.2016

[8].王志强.E-51形状记忆环氧树脂制备及电子辐照效应研究[D].哈尔滨工业大学.2015

[9].王影.臭氧改性碳纤维/氰酸酯复合材料及其电子质子辐照效应[D].哈尔滨工业大学.2014

[10].段丙皇,陈亮,王铁山,彭海波,张根发.硼硅酸盐玻璃的电子辐照效应[J].原子核物理评论.2014

论文知识图

1 防静电Kapton二次表面镜的电子辐照质子与80keV电子综合辐照聚酰...为电子辐照前后VO2(B)薄膜的红外叁极管经电子辐箱后阳结和现结的Fv特性...不同剂量60Co-γ射线辐照聚酰亚胺的...蓝宝石单晶经电子流辐照前后透过率曲线

标签:;  ;  ;  ;  ;  ;  ;  

电子辐照效应论文_董畅
下载Doc文档

猜你喜欢