导读:本文包含了场致线性电光效应论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:硅材料,硅基光电子学,线性电光效应
场致线性电光效应论文文献综述
张佳利[1]（2016）在《浅析硅材料的场致线性电光效应》一文中研究指出硅材料在微电子学领域的作用突出,伴随着科技逐渐进步,硅材料被广泛的应用到光子集成器的研发、光电混合集成器的研发中。硅材料的电子组成特性,使得硅材料呈现出了一定的特性外,也为硅材料的进一步研发带来了阻碍。硅材料的反演对称中心,使其不具备线性的电光效应。基于此,本文在硅材料的电光效应原理研究基础上,通过相应的实验研究,分析硅材料的场致线性电光效应。(本文来源于《探索科学2016年5月学术研讨》期刊2016-05-29）
朱景程[2]（2012）在《场致线性电光效应及其在硅基光电子学中的应用研究》一文中研究指出本文在总结和论述了硅材料中各种电光效应的基础上，重点研究了电场和应力诱导的场致线性电光效应。不仅从极化理论出发，论述了场致线性电光效应的物理机制，而且在实验上证实了场致线性电光效应的存在，并较深入地研究了场致线性电光效应的物理规律。就物理机制而言，场致线性电光效应是由于电场和应力破坏了硅材料的反演对称性，使得硅材料的反演对称中心消失，从而诱导产生了线性电光效应等二阶非线性光学效应。为了研究场致线性电光效应的物理规律，以近本征硅单晶为样品，构建了横向电光调制系统，实验观测到直流电场诱导的场致线性电光信号不仅随外加直流偏压的增加而线性增加，而且随交流调制电压的增加而线性增大。实验中还观测到场致线性电光效应的逆效应——场致光整流效应，进一步证实了场致线性电光效应的存在。此外，根据硅材料中各种电光效应具有不同的偏振依赖特性和电场响应特性，我们有效测量和区分了近本征硅样品中的场致线性电光效应、克尔效应、等离子色散效应、热光效应等对电光信号的贡献，证实了场致线性电光效应是非常显着的电光效应。采用自制的单轴应力装置，定量研究了应力诱导的线性电光信号与应变大小的关系，证明在硅样片能够承受的外加应变范围内，线性电光信号随应变量的增大而线性增大。并初步估算了应力诱导的二阶非线性极化率的大小。最后，在以上理论和实验研究的基础上，初步设计和研制了基于场致线性电光效应的硅基电光调制器，并对该硅基电光调制器的特性参数进行了初步测试。场致线性电光效应是一种全新的物理机制，将这种机制应用于硅基电光调制器的研究是全新的尝试。(本文来源于《吉林大学》期刊2012-06-01）
牟晋博[3]（2012）在《基于场致线性电光效应硅基电光调制器的初步设计与研制》一文中研究指出本论文分析了硅材料中场致线性电光效应和等离子色散效应的物理机制，并采用一种横向电光调制系统对两种效应进行了实验测量和区分，实验结果表明在近本征硅材料中，场致线性电光效应是主要的电光响应机制，为此，我们尝试以场致线性电光效应为工作机制，设计和研制硅基场致电光调制器的原型器件。首先，我们采用Optiwave BPM软件，结合有效折射率法对硅基场致电光调制器进行了设计与模拟，调制器采用Mach-Zender (MZ)干涉结构，重点模拟与分析了调制器的波导尺寸和耦合结构对插入损耗的影响，在此基础上，设计了光刻版图，运用传统半导体工艺研制了硅基电光调制器的原型器件，并对调制器的基本参数进行了简单测试。本项研究工作为研究和改善硅基电光器件提供了一种新思路。(本文来源于《吉林大学》期刊2012-06-01）
陈占国,赵建勋,张玉红,贾刚,刘秀环[4]（2009）在《硅材料的场致线性电光效应》一文中研究指出从经典的极化理论出发,分析了直流电场、低频调制电场和光波电场共同存在时硅材料折射率的变化,从理论上揭示了场致线性电光效应的物理实质。以近本征硅材料为样品,采用金属-绝缘体-半导体样品结构,搭建了由塞纳蒙(Senarmont)补偿器改进成的横向电光调制系统。在硅材料空间电荷区内观测到显着的线性电光调制效应,系统的半波电压小于170 V,从实验上直接证实了硅材料中内建电场诱导的场致线性电光效应的存在。此外还观测到由克尔效应引起的二次电光调制信号,以及由场致光整流效应引起的、随线偏振光的方位角的二倍余弦变化的电信号。实验结果与经典极化理论的预期完全一致,也间接证实了硅材料中场致线性电光效应的存在。(本文来源于《光学学报》期刊2009年05期）
场致线性电光效应论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文在总结和论述了硅材料中各种电光效应的基础上，重点研究了电场和应力诱导的场致线性电光效应。不仅从极化理论出发，论述了场致线性电光效应的物理机制，而且在实验上证实了场致线性电光效应的存在，并较深入地研究了场致线性电光效应的物理规律。就物理机制而言，场致线性电光效应是由于电场和应力破坏了硅材料的反演对称性，使得硅材料的反演对称中心消失，从而诱导产生了线性电光效应等二阶非线性光学效应。为了研究场致线性电光效应的物理规律，以近本征硅单晶为样品，构建了横向电光调制系统，实验观测到直流电场诱导的场致线性电光信号不仅随外加直流偏压的增加而线性增加，而且随交流调制电压的增加而线性增大。实验中还观测到场致线性电光效应的逆效应——场致光整流效应，进一步证实了场致线性电光效应的存在。此外，根据硅材料中各种电光效应具有不同的偏振依赖特性和电场响应特性，我们有效测量和区分了近本征硅样品中的场致线性电光效应、克尔效应、等离子色散效应、热光效应等对电光信号的贡献，证实了场致线性电光效应是非常显着的电光效应。采用自制的单轴应力装置，定量研究了应力诱导的线性电光信号与应变大小的关系，证明在硅样片能够承受的外加应变范围内，线性电光信号随应变量的增大而线性增大。并初步估算了应力诱导的二阶非线性极化率的大小。最后，在以上理论和实验研究的基础上，初步设计和研制了基于场致线性电光效应的硅基电光调制器，并对该硅基电光调制器的特性参数进行了初步测试。场致线性电光效应是一种全新的物理机制，将这种机制应用于硅基电光调制器的研究是全新的尝试。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
场致线性电光效应论文参考文献
[1].张佳利.浅析硅材料的场致线性电光效应[C].探索科学2016年5月学术研讨.2016
[2].朱景程.场致线性电光效应及其在硅基光电子学中的应用研究[D].吉林大学.2012
[3].牟晋博.基于场致线性电光效应硅基电光调制器的初步设计与研制[D].吉林大学.2012
[4].陈占国,赵建勋,张玉红,贾刚,刘秀环.硅材料的场致线性电光效应[J].光学学报.2009