导读:本文包含了开关晶体管论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:晶体管,效应,剂量,脉冲,金工,功率,集电极。
开关晶体管论文文献综述
赵昕,刘学明,杨小兵,王华,郭莎[1]（2018）在《抗辐照纳秒级高速开关晶体管设计研究》一文中研究指出本文从器件实际研制出发,给出了提高开关速度的技术原理,研究了可以提高双极型晶体管开关速度的工艺改进方法,并对工艺改进对器件抗辐照能力的影响进行理论分析。实验结果表明,合理的工艺改进不仅可以有效提高器件的开关速度,还可以同时提高器件的抗辐照能力。本文对制造具有一定抗辐照能力的宇航用高速开关晶体管具有重要的参考价值。(本文来源于《第十五届中国航天电子技术研究院学术交流会优秀论文集》期刊2018-12-13）
孙亚中,傅大梅[2]（2017）在《抑制波纹晶体管开关稳压电源电路设计》一文中研究指出本文分析了开关电源中波纹产生的原因以及抑制波纹常用的方法,给出了一种抑制波纹的晶体管开关稳压电源电路。通过实验测试,得出文中提出的晶体管开关稳压电源能够较好地抑制电源中的干扰。(本文来源于《价值工程》期刊2017年35期）
李媛,陆晓东,周涛[3]（2017）在《光伏逆变器用大功率开关晶体管结构参数的设计》一文中研究指出集电极峰值电流(I_(CM))、集电极-发射极击穿电压(V_(CEO))、最大耗散功率(P_(CM))、直流二次击穿临界电压(V_(SB))是衡量大功率晶体管可靠性优劣的重要指标。根据光伏逆变器实际参数指标的要求,对光伏逆变器中的核心功率开关器件的结构参数进行优化。根据大电流特点,重点对大功率开关晶体管高阻单晶硅电阻率、高阻集电区厚度、发射区版图及用于改善二次击穿的浮空发射区结构参数进行分析和设计。最终完成800V/15A大功率开关晶体管全套结构参数的设计,并提供了可供大功率晶体管设计使用的曲线和图表。设计结果表明:对大功率开关晶体管进行结构设计时,需着重考虑大功率开关晶体管在大电流、高反压、高频等工作状态下,极易出现的发射极电流过度集中导致器件损坏的现象。(本文来源于《微处理机》期刊2017年06期）
申静芳[4]（2017）在《栅控PNP晶体管ELDRS效应的开关剂量率加速试验方法及机理》一文中研究指出本文以60Co-γ源作为辐照源,选用栅控横向PNP型(GLPNP)晶体管为研究对象,在100rad/s、10mrad/s和变换剂量率下分别进行了辐照试验,研究了不同辐照条件对GLPNP晶体管电离辐照损伤缺陷演化行为的影响。辐照过程中,测试了GLPNP晶体管电性能随辐照剂量的变化规律,并结合栅扫描测试(GS)及辐照感生缺陷分离技术,验证了开关剂量率加速辐照试验方法的可行性并探究了其加速机理。研究结果表明,晶体管的电流增益在10mrad/s辐照剂量率条件下的退化程度较100rad/s辐照严重。基本微观缺陷测试分析表明,与100rad/s辐照相比,相同辐照剂量下,10mrad/s辐照时晶体管内部产生的氧化物电荷浓度较少,但是其内部界面态浓度更多。并且,在低剂量率辐照条件下,相同辐照剂量条件界面态增长速率较快,导致下降更加迅速,致使晶体管的电性能退化更加严重。通过模拟分析揭示出了ELDRS效应主要是由于氧化物层中的空穴俘获陷阱和复合中心对电离诱导空穴的俘获和复合竞争机制所引起。开关剂量率试验表明,当辐照剂量率由高到低切换的短时间内,变换剂量率效果与高、低剂量率单独辐照相同。但切换为低剂量率后,随总剂量逐渐增加,开关剂量率所造成的损伤要远小于低剂量率单独辐照所造成的损伤。上述结果说明,开关剂量率加速试验方法虽然实现了一定程度的加速,但先进行高剂量率辐照会对后期的低剂量率辐照产生影响,导致辐照诱导缺陷的退火速率加快,使得电性能的损伤程度减小。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2017-06-01）
张亚舟,李贞晓,田慧,李海元,栗保明[5]（2017）在《基于反向开关晶体管的脉冲电源在电磁发射中的应用》一文中研究指出为了进行电磁轨道炮发射机理研究,研制了一套基于反向导通双晶复合晶体管(RSD)全固态开关的电容储能型脉冲功率电源。RSD开关采用可控等离子体换流技术,具有全面积均匀同步导通、开通损耗小、功率大、换流效率高、寿命长的特点。电源系统由16个64 k J储能模块并联组成,采用一体化紧凑设计,内嵌充电、控制、保护与测量功能。系统额定电压18 k V、总储能1 MJ,可通过时序控制对放电波形进行调节,短路同步放电峰值可达960 k A.系统在20 mm口径电磁轨道炮上进行了多次发射试验,结果表明脉冲电源系统可靠性高,一致性好,输出波形灵活可调,满足轨道炮超高速发射研究的需要。(本文来源于《兵工学报》期刊2017年04期）
梁亦然,夏继业,梁学磊[6]（2016）在《两步边缘场电泳法制备短沟道高开关比碳纳米管薄膜晶体管》一文中研究指出与现有的薄膜晶体管技术相比,碳纳米管薄膜晶体管(CNT-TFT)具有载流子迁移率高、稳定性好、加工温度低、工艺过程简单的优势,因而被认为在显示驱动背板、柔性电子器件及传感器等方面具有广泛的实用前景.通常CNT-TFT的制备多是采用CNT溶液沉积法,在基底上得到的是无序的网络状薄膜,存在大量的CNT交叉结.受CNT材料制备的限制,溶液中通常含有一定比例的金属型CNT,从而有可能形成连接源漏电极的金属(本文来源于《科学通报》期刊2016年21期）
周淑君,汤庆鑫,童艳红,田洪坤,耿延候[7]（2016）在《高开关比柔性有机单晶场效应晶体管》一文中研究指出场效应迁移率和开关比是评估有机场效应晶体管最重要的两个参数。我们在OTS修饰的SiO_2绝缘层上制备了Ph5T2有机单晶器件,在小的栅压扫描范围(<45V)就能获得10~8的超高开关比,整个测试流程在大气和室温条件下进行。这主要是由于分子设计降低了关态电流,绝缘层修饰提高了开态电流所导致的。Ph5T2单晶器件制备在柔性绝缘层和衬底上,经过200次反复的弯曲和恢复器件仍具有很好的稳定性。这种新型多环超薄有机单晶展示出了它们在电子器件上潜在的应用前景。(本文来源于《中国化学会第30届学术年会摘要集-第四十一分会：纳米材料与器件》期刊2016-07-01）
梁亦然,夏继业,梁学磊[8]（2016）在《两步边缘场电泳法制备短沟道高开关比碳纳米管薄膜晶体管(英文)》一文中研究指出本文发展了一种使用两步边缘场电泳制备碳纳米管薄膜晶体管的方法.利用该方法可以在晶体管的源电极和漏电极处分别得到高密度且有取向排列的碳纳米管阵列.通过控制源漏电极间距可以使这两个碳纳米管阵列在晶体管的沟道中交汇,形成级联结构的导电通路.这种级联结构不仅能有效地降低晶体管沟道中金属性碳纳米管形成导电通路的概率,而且大大减少了每条导电通路中的碳纳米管交叉结的数量,有利于提高器件的性能.利用该方案制备的短沟道(1~2.5μm)碳纳米管薄膜晶体管的电流开关比高达107,输出电流密度达8.5μA/μm.该碳纳米管薄膜的组装方法位置可控、制备效率及成品率高,且可以扩展到大尺寸的基片上,能够极大地提高碳管薄膜晶体管的生产效率.(本文来源于《Science Bulletin》期刊2016年10期）
梁琳,吴文杰,刘程,潘铭[9]（2016）在《SiC基反向开关晶体管RSD关键工艺概述》一文中研究指出本文首次概述了采用宽禁带半导体材料4H-SiC制备脉冲功率开关反向开关晶体管(RSD)所涉及到的关键工艺。包括选择性刻蚀、选择性掺杂、欧姆电极制备以及台面终端造型等在内的多步主要工艺均与Si基RSD完全不同,采用氟基气体感应耦合等离子体(ICP)刻蚀得到了合适的刻蚀速率、表面粗糙度及形貌,采用多次氮离子注入及高温退火完成选择性掺杂,采用Ni/Ti/Al多层金属配合适当退火温度完成欧姆电极制备,采用机械切割斜角完成台面终端造型,最终得到了合理的器件正反向阻断特性。(本文来源于《电工电能新技术》期刊2016年04期）
刘葳[10]（2016）在《高开关电流比隧穿场效应晶体管器件机理与结构研究》一文中研究指出随着MOSFET特征尺寸不断减小,器件短沟道效应等负面影响日益加剧。传统MOSFET器件亚阈值摆幅由于受到KT/q的理论限制,已经接近60mV/dec的极限值而无法进一步减小。因此伴随着器件阈值电压降低,亚阈区泄漏电流却在不断地升高,器件的动态功耗也变得不可忽视,逐渐成为制约集成电路发展的重要因素。研制新型的低功耗器件是解决功耗问题的一条出路,基于带-带隧穿电流机制的隧穿场效应晶体管TFET,因其超低的亚阈值摆幅成为了研究的热点。根据计算,在室温下,TFET的亚阈值摆幅可以远低于60mV/dec,突破了MOSFET亚阈值摆幅的极限值,在低功耗领域拥有巨大的潜力。尽管隧穿场效应晶体管的研究已经取得了一定的进展,但已有的Si TFET晶体管开态电流比还远未达到预期,而窄禁带材料TFET的泄漏电流量级过大,并且在器件生产过程中,许多工艺难题仍未解决,TFET器件还未能实现产品商业化。因此,研发一种具有高开关电流比并具有工艺生产可行性的隧穿场效应晶体管是一个十分有价值的课题。通常,人们提升TFET性能的方式都是仅仅从结构上入手,或者只从材料特性上入手,如采用“口袋区结构”或者利用窄禁带材料来制造TFET。这些手段都可以在一定程度上提升器件性能,但都存在着一些相应的问题。本文的创新性的提出了一种新型的隧穿场效应晶体管,结合了材料特性与结构创新,采用应力放大结构,在外延层引入较大的应力以激活特殊材料的压电极化效应,而压电极化效应又能给TFET提供性能上的优化。首先,对利用了压电极化特性的纵向隧穿场效应晶体管进行模拟仿真,仿真结果表明,在纵向隧穿场效应晶体管的源区和本征区上外延一层具有压电特性的材料,并结合外加应力,可以在外延层的上、下界面处引入均匀分布的极化电荷,极化电荷的存在,在外延层中形成一个内建电场,这个电场与栅电场共同作用,可以极大的增强隧穿几率,器件的开态电流I_(on)增大了2.5个数量级;此外,引入极化电荷的TFET对于源掺杂浓度的敏感程度大大降低了,即便是源区掺杂浓度较低或者隧穿结是非理想的缓变结,器件依然能保持极佳的性能,大大降低了对工艺水平的依赖。其次,分析了应力大小对于器件性能的影响,认为应当控制应力大小使极化量处在一个适当的值。若极化量过高会导致器件栅控能力弱,难以关断,漏电流大,亚阈值摆幅高;若极化量过低,则对开态电流的提升太小,器件性能的优化不够明显。所以,应当控制应力和极化量处在一个恰当的值,才能最大限度的发挥极化电荷对器件性能的提升作用。最后,提出了一种基于SiO_2介质块的应力增强结构,采用这种方式,一方面能在外延层中引入较大的应力,另一方面还起到了调制隧穿结电场的作用,使器件的开态电流I_(on)进一步提升了54%。(本文来源于《电子科技大学》期刊2016-03-01）
开关晶体管论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文分析了开关电源中波纹产生的原因以及抑制波纹常用的方法,给出了一种抑制波纹的晶体管开关稳压电源电路。通过实验测试,得出文中提出的晶体管开关稳压电源能够较好地抑制电源中的干扰。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
开关晶体管论文参考文献
[1].赵昕,刘学明,杨小兵,王华,郭莎.抗辐照纳秒级高速开关晶体管设计研究[C].第十五届中国航天电子技术研究院学术交流会优秀论文集.2018
[2].孙亚中,傅大梅.抑制波纹晶体管开关稳压电源电路设计[J].价值工程.2017
[3].李媛,陆晓东,周涛.光伏逆变器用大功率开关晶体管结构参数的设计[J].微处理机.2017
[4].申静芳.栅控PNP晶体管ELDRS效应的开关剂量率加速试验方法及机理[D].哈尔滨工业大学.2017
[5].张亚舟,李贞晓,田慧,李海元,栗保明.基于反向开关晶体管的脉冲电源在电磁发射中的应用[J].兵工学报.2017
[6].梁亦然,夏继业,梁学磊.两步边缘场电泳法制备短沟道高开关比碳纳米管薄膜晶体管[J].科学通报.2016
[7].周淑君,汤庆鑫,童艳红,田洪坤,耿延候.高开关比柔性有机单晶场效应晶体管[C].中国化学会第30届学术年会摘要集-第四十一分会：纳米材料与器件.2016
[8].梁亦然,夏继业,梁学磊.两步边缘场电泳法制备短沟道高开关比碳纳米管薄膜晶体管(英文)[J].ScienceBulletin.2016
[9].梁琳,吴文杰,刘程,潘铭.SiC基反向开关晶体管RSD关键工艺概述[J].电工电能新技术.2016
[10].刘葳.高开关电流比隧穿场效应晶体管器件机理与结构研究[D].电子科技大学.2016
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