导读:本文包含了高质量晶体生长论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:晶体,氟化,氟化钙,坩埚,应力,生长,单晶体。
高质量晶体生长论文文献综述
柏伟,庞新义,赵超[1]（2018）在《4英寸高质量InSb晶体生长研究》一文中研究指出InSb晶体是制备中波红外探测器的重要材料。为了满足新一代超大规模阵列红外焦平面探测器的发展需求,开展了大尺寸InSb晶体的生长研究,解决了晶体生长的诸多关键技术,成功地生长出了直径为4 in的高质量InSb单晶,并加工出了高质量的4 in InSb抛光晶片。测试表明,直径大于120 mm的晶体长度超过100 mm,晶体位错密度小于100 cm~(-2),其电学参数均匀,载流子浓度、载流子迁移率均满足制备高性能大规格红外焦平面探测器的要求。这为新一代超大规模阵列红外焦平面探测器的发展奠定了良好的材料基础。(本文来源于《红外》期刊2018年09期）
薛学刚,张芳,王鸿雁,王世武[2]（2018）在《高质量砷酸氧钛钾KTiOAsO_4晶体的生长与表征》一文中研究指出采用新型助熔剂熔盐法生长出了单畴的KTiOAsO_4(KTA)晶体,解决了现有熔盐法生长的KTiOAsO_4晶体存在生长纹及多畴缺陷,包裹物多、晶体均匀性差的问题,对晶体的透过率、1064nm激光吸收、畴、OPO激光性能进行了表征。(本文来源于《科技经济导刊》期刊2018年16期）
张钦辉,甄西合,史达威,刘建强,徐超[3]（2016）在《Ф370mm高质量CaF_2晶体的生长》一文中研究指出运用软件模拟的方法优化了炉体的温场结构,采用改进的坩埚下降法成功生长出了直径达到370 mm的高质量CaF_2晶体,晶体完整无开裂;通过精密退火处理后,晶体总体应力双折射小于10 nm/cm。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2016年12期）
程龙,孟春坡,刘景峰,闫娜娜,孙宏宾[4]（2015）在《提拉法生长高质量氟化镁晶体》一文中研究指出本文报道了采用电阻加热提拉法(CZ)生长出光学均匀性和质量一致性好的MgF_2单晶。将高纯的固体料置于石墨坩埚内,抽真空度至10~(-4)Pa,通入高纯CF_4气体,加热使其熔化,然后以较快速率进行结晶,将结晶后的晶块取出,去除表面杂质,然后将晶块用于晶体生长。氟化镁晶体在生长过程中加入一定量的除氧剂,以防止氧或羟基进入晶体中。将处理后的晶体料装入石墨坩埚并抽真空,真空度应达到10~(-4)Pa以上,按程序进行升温并保温使原料充分熔化。晶体生长工艺对晶体质量有重大影响,通过优化工艺,利用计算机自动控制生长,在真空炉中进行精密退火,得到优质的MgF_2晶体。我们采用提拉法生长的MgF_2晶体最大尺寸(Φ75mm×125mm),采用(分光光度计)型红外分光光度计和岛津紫外分光光度计测试了氟化镁晶体样品的透过率;采用应力仪测试了氟化镁晶体的应力双折射。测试结果表明,样品在0.11~9μm范围内晶体的最高透过率约为90%,晶体的应力双折射约为8nm/cm。(本文来源于《第十七届全国晶体生长与材料学术会议摘要集》期刊2015-08-11）
孟春坡,程龙,刘景峰,范松如[5]（2015）在《提拉法生长高质量氟化钙晶体的研究》一文中研究指出本文中报道了采用电阻加热提拉法(CZ)生长出光学均匀性和质量一致性好的氟化钙单晶。将高纯(5N)的CaF_2颗粒料置于石墨坩埚内,抽真空度至10~(-4)Pa,通入一定量的高纯CF_4气体,加热使其熔化,恒温一段时间,然后以较快速率降温,将结晶后的晶块取出,去除表面杂质,然后将块状晶料用于晶体生长。将处理后的晶体料装入石墨坩埚并抽真空,真空度应达到10~(-4)Pa以上,通入一定量的高纯Ar气体,按程序进行升温使原料充分熔化,并恒温一定时间。晶体生长工艺对晶体质量有重大影响,通过工艺(拉速、转速)优化,利用计算机自动控制晶体生长有效的解决了大直径晶体的炸裂及生长界面不稳定性引起的包裹体、生长层、气泡等缺陷。采用低拉速生长,生长结束后缓慢降温在真空炉中进行精密退火,获得了优质的CaF_2晶体。(本文来源于《第十七届全国晶体生长与材料学术会议摘要集》期刊2015-08-11）
贺毅,金应荣,王兰,陈宝军,何知宇[6]（2012）在《垂直区域熔炼法生长高质量碘化铅单晶体的研究》一文中研究指出碘化铅(PbI2)晶体综合物理化学性能优良,原子序数高,对γ-射线和α-射线具有很强的阻止本领,是制作室温X-射线、γ-射线探测器等光电器件的很有潜力的材料之一[1,2]。碘化铅是一种综晶化合物,用垂直布里奇曼法生长碘化铅晶体时,碘化铅熔体会部分分解,分(本文来源于《第十六届全国晶体生长与材料学术会议论文集-01晶体生长基础与数值模拟》期刊2012-10-21）
江潮[7]（2012）在《保持晶体-衬底界面高质量的两步生长法获得大尺寸并五苯有机单晶体》一文中研究指出具有共轭π键结构的有机小分子单晶体由于其分子排列的完全有序性,电子波函数可以呈现强的扩展态性质,所以是研究有机小分子材料电子输运性质和探究其电子器件性能的理想载(本文来源于《第十六届全国晶体生长与材料学术会议论文集-01晶体生长基础与数值模拟》期刊2012-10-21）
甄西合,任绍霞,刘建强,史达威,张钦辉[8]（2012）在《高质量直径180mm氟化锂晶体的生长》一文中研究指出通过对晶体原料的提纯及生长工艺条件的优化,采用改进的坩埚下降法成功地制备出直径达到180 mm的高质量氟化锂单晶。晶体的透过率在0.2～6.5μm波长范围内最高透过率约为94%。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2012年02期）
王欢[9]（2011）在《高质量有机晶体制备、生长机制探索与光电性质研究》一文中研究指出有机晶体中分子排列的高度有序以及低的杂质含量,保证了晶体本身具有高的载流子迁移率和高的热稳定性；同时晶体明确的分子堆积结构,为我们研究材料-些本征的特性,如分子间基本的相互作用力、分子排列方式对光电性质(分子聚集体的发光效率和载流子迁移率)的影响规律等提供了模型。发展具有高发光效率高载流子迁移率、低光泵激光阈值的有机晶体材料对于电注入发光与激光的研究具有十分重要的意义。物理气相传输(PVT)法是生长大尺寸、高质量有机晶体的常用方法,而且得到的晶体通常具有厚度薄、表面平滑的特点,非常适合于器件的制备；本论文结合PVT法生长晶体的特点,选择反式二苯乙烯基苯(trans-DSB)作为主体、并四苯(tetracene)和并五苯(pentacene)分别作为客体,考虑了主客体材料在分子结构和堆积方式上的兼容性,利用能量转移制备了具有高发光效率的掺杂晶体,详细讨论了掺杂晶体的光物理性质和载流子迁移性质。主要内容如下：1.以PVT法生长的具有薄片状外形的有机晶体作为模型,分析了在晶体形成过程中的结构和热动力学因素；并且基于trans-DSB、tetracene、pentacene这叁种分子相似的线性构型和晶体中“鱼骨刺”(herringbone)形排列方式,分别制备了从蓝光到红光波段颜色可调及白光发射的有机掺杂晶体。2.掺杂晶体通过能量转移实现高发光的同时降低了自吸收,展现了优异的放大自发射性质；同时主客体分子间相互垂直的偶极排列方式导致了取向因子κ2和Forster临界能量转移半径R0都较小,因此在掺杂晶体中较高浓度的掺杂才能保证有效地能量转移；而PVT法正是在高温条件下生长晶体,并且主客体分子在结构上的兼容性保证了较小的晶格失配,具有较高动能的客体分子有利于嵌入到主体晶格中,从而实现了高浓度掺杂。3.掺杂晶体与未掺杂的主体晶体相比,载流子迁移率处于同一数量级,这是因为客体分子掺杂到主体晶体中没有破坏其晶格结构的完整性；掺杂晶体利用能量转移实现高发光效率的同时保持了晶体高迁移率的特征,即在掺杂晶体的体系中实现了高发光和高迁移的统一,是有希望用于电注入发光与激光研究的材料。(本文来源于《吉林大学》期刊2011-05-01）
岳银超,王佳诺,胡章贵[10]（2008）在《大尺寸、高质量BaAlBO_3F_2晶体的生长》一文中研究指出本文讨论了影响BaAlBO3F2(BABF)晶体生长尺寸和质量的相关因素,诸如助熔剂的选择、生长原料的制备、籽晶的处理、温度梯度、晶体转速、降温速率等。采用新的B2O3-LiF-NaF助熔剂体系,[001]向籽晶,20~40 r/min的转速,1~5℃/d的降温速率,通过中部籽晶法生长出了尺寸为40×30×12 mm3、光学均匀性为△n≈4.048×10-6/cm的BABF晶体。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2008年04期）
高质量晶体生长论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
采用新型助熔剂熔盐法生长出了单畴的KTiOAsO_4(KTA)晶体,解决了现有熔盐法生长的KTiOAsO_4晶体存在生长纹及多畴缺陷,包裹物多、晶体均匀性差的问题,对晶体的透过率、1064nm激光吸收、畴、OPO激光性能进行了表征。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
高质量晶体生长论文参考文献
[1].柏伟,庞新义,赵超.4英寸高质量InSb晶体生长研究[J].红外.2018
[2].薛学刚,张芳,王鸿雁,王世武.高质量砷酸氧钛钾KTiOAsO_4晶体的生长与表征[J].科技经济导刊.2018
[3].张钦辉,甄西合,史达威,刘建强,徐超.Ф370mm高质量CaF_2晶体的生长[J].人工晶体学报.2016
[4].程龙,孟春坡,刘景峰,闫娜娜,孙宏宾.提拉法生长高质量氟化镁晶体[C].第十七届全国晶体生长与材料学术会议摘要集.2015
[5].孟春坡,程龙,刘景峰,范松如.提拉法生长高质量氟化钙晶体的研究[C].第十七届全国晶体生长与材料学术会议摘要集.2015
[6].贺毅,金应荣,王兰,陈宝军,何知宇.垂直区域熔炼法生长高质量碘化铅单晶体的研究[C].第十六届全国晶体生长与材料学术会议论文集-01晶体生长基础与数值模拟.2012
[7].江潮.保持晶体-衬底界面高质量的两步生长法获得大尺寸并五苯有机单晶体[C].第十六届全国晶体生长与材料学术会议论文集-01晶体生长基础与数值模拟.2012
[8].甄西合,任绍霞,刘建强,史达威,张钦辉.高质量直径180mm氟化锂晶体的生长[J].人工晶体学报.2012
[9].王欢.高质量有机晶体制备、生长机制探索与光电性质研究[D].吉林大学.2011
[10].岳银超,王佳诺,胡章贵.大尺寸、高质量BaAlBO_3F_2晶体的生长[J].人工晶体学报.2008
论文知识图
