纳米线论文_陈玉华

导读:本文包含了纳米线论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:纳米,石墨,西平,红海,传感器,颗粒,辛基。

纳米线论文文献综述

陈玉华^[1]（2019）在《石墨烯/聚苯胺纳米线阵列的制备》一文中研究指出本文采用原位聚合法首先制备氧化石墨烯(GO)-聚苯胺(PANI)纳米线阵列复合材料(GO/PANI),随后还原该复合材料中的氧化石墨烯得到石墨烯-聚苯胺(RGO/PANI)纳米线状的复合材料并研究其各种性能,研究结果表明,在保持良好的充放电可逆性及循环稳定性。(本文来源于《内燃机与配件》期刊2019年24期）

特约撰稿,朱丽娜^[2]（2019）在《深圳华科创智技术CTO曾西平：5G时代将开启银纳米线的红海》一文中研究指出“5G时代，万物互联开启了全新时代，对应人工智能、远程治疗、智能驾驶，都有一个全新的局面。通信技术或者万物互联经历了好几代发展，决定这些技术的发展核心是材料。”深圳华科创智技术有限公司常务副总经理兼CTO曾西平在参加首届“粤港澳大湾区创新经济高峰论坛”时(本文来源于《21世纪经济报道》期刊2019-12-25）

吴荣辉,马丽芸,张一帆,刘向阳,于伟东^[3]（2019）在《银纳米线涂层的编链结构纱线拉伸应变传感器》一文中研究指出为制备柔性纱线拉伸应变传感器,将蚕丝加捻得到的蚕丝纱编织为闭口编链组织结构;通过多元醇还原硝酸银的方法制备银纳米线,在银纳米线的乙醇分散液中通过浸渍方法对基底纱线进行导电修饰,最终得到银纳米线涂层的编链组织拉伸应变传感器,研究了该组织结构拉伸应变传感器的应变-电阻传感性能。结果表明:编链组织结构的传感器具有显着的拉伸应变传感性能,该纱线传感器的电阻随着应变量的增加而减小;在拉伸应变小于5%的范围内,拉伸应变系数高达20. 14;传感器在0. 01～1. 00 Hz的拉伸频率范围内有稳定的响应,且传感器具有很好的循环稳定性。(本文来源于《纺织学报》期刊2019年12期）

刘珂,杨清雷,唐亚明,王泽华^[4]（2019）在《溶剂体系对聚(3-辛基噻吩)纳米线的结构性能调控及纳米线形成机制的原位研究》一文中研究指出针对聚(3-烷基噻吩)纳米线的微结构调控与解析、结晶过程中结构演变的机理方面存在的问题,选用两种溶剂体系制备了聚(3-辛基噻吩)(P3OT)纳米线。实验中首先考察了溶剂体系对P3OT纳米线结构与热性能的影响,随后借助原位研究阐明了纳米线的形成机制。结果表明:向P3OT的不良溶剂苯甲醚中添加少量良溶剂氯仿后,得到的P3OT纳米线主链和侧链构象的规整程度更好,π-π相互作用更强,更高的结构规整性导致其热稳定性提高。变温紫外光谱的研究证实,P3OT在混合溶剂中的结晶行为遵循传统高分子的结晶动力学。(本文来源于《青岛科技大学学报(自然科学版)》期刊2019年06期）

黄宁,赵婉婉,刘伟景,杨婷,李清华^[5]（2019）在《环栅纳米线FET自热效应及微尺度空间效应研究》一文中研究指出研究了纳米线高度与纳米线宽度对5 nm制程垂直堆迭式环栅纳米线场效应晶体管(GAA NWFET)中自热效应及微尺度空间效应的影响机理。利用Sentaurus TCAD软件对不同尺寸的纳米线器件性能进行仿真,采用控制变量法,以0.5 nm为步长,分别将纳米线高度及宽度从4 nm增加至8 nm。仿真结果表明,当纳米线高度及宽度分别取4 nm和6.5 nm时,可最大程度规避微尺度空间效应对载流子迁移率的影响,并有效提升散热能力,使器件开态电流增加44.4%,沟道热学电阻减小60.3%。此外,设置纳米线高度为4 nm,依次将顶部/中部/底部沟道的纳米线宽度从6.5 nm增加至8 nm,发现当底部沟道的纳米线宽度相等时,增加靠近体硅处的沟道宽度更有利于改善器件的电热性能。(本文来源于《半导体技术》期刊2019年12期）

李书明,史文琪,齐萨仁,杨国勇,蔡勇^[6]（2019）在《覆盖银纳米线层硅基MEMS过滤芯片》一文中研究指出通过在悬栅状微结构支架上涂覆银纳米线,制备出亚微米级孔径的微电子机械系统(MEMS)过滤芯片,并研究了该芯片的颗粒过滤性能以及相关影响因素。利用感应耦合等离子体(ICP)深硅刻蚀工艺,在二氧化硅片上双面刻蚀形成悬栅状结构。随后,利用分散液中银纳米线的均匀分布性和高比表面积,将高长径比的银纳米线均匀地涂覆到此结构的亲水性二氧化硅层上。干燥后,在重力及液体挥发作用下银纳米线和支架层紧密贴合,制成覆盖银纳米线过滤层的硅基MEMS过滤芯片。与硅基支架结构相比,覆盖较低质量浓度银纳米线的芯片对PM_(10-2.5)的过滤效率提高了2.5倍,达到73.79%,压差仅增加了30 Pa(空气流速为0.33 m/s)。当芯片覆盖有较高质量浓度的银纳米线时,PM_(2.5)过滤效率达到86.63%;PM_(10-2.5)过滤效率上升到96.67%。在相同测试条件下,过滤芯片压差增加到1 200 Pa。(本文来源于《半导体技术》期刊2019年12期）

梁先文^[7]（2019）在《银纳米线的制备、焊接及其透明电极性能研究》一文中研究指出柔性光电器件的飞速发展正给人们的生活带来前所未有的变革。透明电极作为光电器件的关键部件,吸引了众多科研工作者的关注。金属银纳米线(AgNWs)由于其突出的导电性、透明性和机械性能,被视为当今柔性光电器件最具潜力的电极材料。如何进一步强化AgNWs透明电极的光电性质以更广泛地满足柔性光电器件的应用,已成为亟待解决的关键问题。首先,采用改进的多元醇法控制制备AgNWs。以CuCl_2和不锈钢纤维为控制剂控制合成AgNWs的纯度;在此基础上,引入NaBr为协调控制剂调控AgNWs的直径;通过进一步改变反应过程中的搅拌转速,可获得不同长度的AgNWs;考察不同直径及长度AgNWs制作的透明电极的光电性质。其次,采用HCl蒸汽诱导AgNWs发生光化学纳米焊接。室温下,通过日光灯照射,空气中的O_2和HCl蒸汽作为蚀刻对,驱动Ag原子从AgNWs节点处底部纳米线转移到顶部纳米线,并以顶部纳米线的晶格为模板外延重结晶熔合节点。焊接能有效增强AgNWs透明电极的光电性质,并获得低方阻高透过率(R_s=15ohm/sq,T=85%)的AgNWs电极。该电极表现出优异的发热性能、电磁屏蔽效能和机械性能。然后,采用联氨蒸汽诱导AgNWs发生原位化学纳米焊接。AgNWs自然氧化形成的表面氧化层作为焊料,联氨蒸汽作为还原剂,通过原位氧化还原产生的银原子外延重结晶熔合AgNWs节点。经过焊接,AgNWs透明电极的方阻可降低5个数量级(10~7 ohm/sq-10~2 ohm/sq),且保持原始高的透过率~96%,其光电性质可提高5个数量级(品质因数:10~(-3)-10~2),并进一步获得高透过率(T=96%,R_s=77 ohm/sq)和低方阻(R_s=18 ohm/sq,T=92%)的AgNWs透明电极。该焊接能有效改善电极的可拉伸性,并具有修复能力。焊接的AgNWs透明电极制作的单电极摩擦纳米发电机透过率高达95%,并表现出优异的电输出和传感性能。基于出色的透明性,该纳米发电机可用作触觉传感器记录手机触控。最后,采用UV诱导AgNWs发生光热纳米焊接。室温下,选择常见的UVA灯(波长范围:320 nm-400 nm)作为光源,AgNWs节点作为光驱动热源,熔合AgNWs节点。该焊接随AgNWs直径增大而减弱,且表现出自终止性和自限性。通过时域有限差分法模拟分析光热纳米焊接的机理。经过焊接,直径30 nm AgNWs透明电极的方阻可降低3个数量级(10~5 ohm/sq-10~2 ohm/sq),且保持高透过率97%,其光电性质可提高3个数量级(品质因数:0.1-110)。焊接的AgNWs透明电极具有强化的机械柔性、电磁屏蔽效能及发热性能,并进一步制得智能调光膜、透明发热器和透明摩擦纳米发电机。将该UV焊接技术整合到卷对卷狭缝挤压涂布工艺,连续批量涂布了低方阻高透过率(R_s=25 ohm/sq,T=90%)的柔性AgNWs透明电极。综上所述,本文采用改进的多元醇法实现了AgNWs的纯度和尺寸控制制备,开发的纳米焊接方法能有效降低AgNWs透明电极的方阻且保持高透过率,显着提高电极的光电性质,强化机械柔性。焊接的AgNWs电极在柔性光电领域表现出广泛而良好的应用。因此,以上研究为AgNWs的可控制备及焊接,增强AgNWs透明电极的性能,进而制作高性能的柔性光电器件提供理论依据和技术支持。(本文来源于《中国科学院大学(中国科学院深圳先进技术研究院)》期刊2019-12-01）

焦志锋,赵吉晓,郭晓宁,郭向云^[8]（2020）在《具有分级结构的SiC纳米线负载的Pd纳米颗粒光催化芳基卤化物硼化反应（英文）》一文中研究指出芳基硼酸酯作为一种重要的有机中间体,在C–C, C–N和C–O键的构筑以及C–X键的转换中有着广泛的应用,其传统合成方法主要是用格氏试剂或有机锂试剂,但该方法的官能团耐受性较差,且对反应环境敏感.在均相催化体系下,过渡金属催化芳烃的C–H和C–X键硼化反应成为合成芳基硼酸酯化合物的重要途径,虽然活性和选择性很高,但催化剂难于分离,且多数反应需要昂贵的配体,限制了其在工业上的大规模应用.多相催化剂体系虽然解决了分离回收的问题,但是催化效率大多较低.近年来,由于光催化能够有效利用太阳能,在温和条件下促使反应进行,并且能够定向的选择性合成目标产物,提高目标产物的产率,因此其在有机合成中的应用引起了广泛的关注.本文以具有分级结构且能够响应可见光的Si C纳米线为载体,并通过液相还原法制备负载量为3wt%的Pd/Si C催化剂.TEM照片可以看出, Pd纳米颗粒均地分散在Si C表面,平均粒径为3.7 nm.UV-Vis图谱表明, Si C负载Pd以后可明显提高其对可见光的吸收.Pd/Si C在可见光(400–800 nm)照射下,在30 oC和常压Ar氛围下即可实现碘苯脱碘硼化,苯硼酸频哪醇酯的收率高达95%.Pd/Si C在可见光作用下,对其它碘苯类和溴苯类化合物的光催化硼化均具有较好的的普适性.在暗反应条件下,苯硼酸频哪醇酯的收率仅为5%.并且,转化率能够随着光强度的增强而增加.同时,不同的波长范围对光反应的贡献率也不同, 400–450, 450–500, 500–550, 550–600和600–800 nm的光反应贡献率分别为34%, 22%, 16%, 13%和5%,这与催化剂的紫外可见吸收光谱相一致,充分说明反应主要为光驱动反应.Pd/Si C催化剂也具有较好的可重复使用性,经过5次循环使用后,催化活性依然保持在较高的水平.光反应和暗反应活化能的显着差别,说明二者的机理不同.理论研究发现, Si C的功函为4.0 e V,低于Pd(5.12 e V),当Pd负载在SiC表面时,能够形成Mott-Schottky接触,使SiC吸收可见光生成的光生电子能够迅速的传递到Pd活性位.XPS表征显示, Pd在Pd/Si C催化剂中以金属态Pd0的形式存在,并向低结合能方向移动,说明SiC中的电子向Pd迁移,增加了Pd原子周围的电子云密度.同时,光致发光光谱中, Pd/Si C位于400–550 nm的特征峰与Si C相比,强度明显减弱,说明光生电子和空穴的分离效率增强.据此我们推断,光生电子迅速从SiC传递到Pd使Pd活性位表面富电子化,进而快速活化和断裂芳基卤化物中的C–I或C–Br键,有效提高催化活性.(本文来源于《Chinese Journal of Catalysis》期刊2020年02期）

张丽莹,杨兵旺,王凌晨,贺加贝^[9]（2019）在《“铜化合物纳米线阵列的制备及性能研究”综合实验设计》一文中研究指出结合科学研究工作和本学科前沿方向设计了"铜化合物纳米线阵列的制备及性能研究"综合实验,该实验过程涵盖了材料制备、物理性能表征、光降解性能测试、葡萄糖检测性能测试等,研究涉及扫描电镜、X射线衍射仪、紫外分光光度计、电化学工作站等仪器的应用。通过该实验使学生对功能材料有进一步了解,提高学生的综合素质和对科学研究的热情。(本文来源于《实验技术与管理》期刊2019年11期）

周萱,雷元元,唐莉莉^[10]（2019）在《钯金合金纳米线修饰电极对过氧化氢的催化传感性能研究》一文中研究指出通过变频交流电沉积自组装法制得钯金合金纳米线修饰电极,并利用其所具有的良好化学稳定性及电催化性能,研究了该修饰电极对过氧化氢的传感性能。钯金合金纳米线修饰电极对过氧化氢的线性响应范围为10×10-6～9. 1×10-3mol·L-1;当信噪比为3时,其最低检测限可达到0. 75×10-6mol·L-1;灵敏度达到148. 68μA·mmol-1·dm-3;通过其稳定性与重现性的研究可知,该电极具有长期稳定性和良好的重现性。(本文来源于《广州化工》期刊2019年22期）

纳米线论文开题报告

（1）论文研究背景及目的

此处内容要求：

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例：

“5G时代，万物互联开启了全新时代，对应人工智能、远程治疗、智能驾驶，都有一个全新的局面。通信技术或者万物互联经历了好几代发展，决定这些技术的发展核心是材料。”深圳华科创智技术有限公司常务副总经理兼CTO曾西平在参加首届“粤港澳大湾区创新经济高峰论坛”时

（2）本文研究方法

调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

纳米线论文参考文献

[1].陈玉华.石墨烯/聚苯胺纳米线阵列的制备[J].内燃机与配件.2019

[2].特约撰稿,朱丽娜.深圳华科创智技术CTO曾西平：5G时代将开启银纳米线的红海[N].21世纪经济报道.2019

[3].吴荣辉,马丽芸,张一帆,刘向阳,于伟东.银纳米线涂层的编链结构纱线拉伸应变传感器[J].纺织学报.2019

[4].刘珂,杨清雷,唐亚明,王泽华.溶剂体系对聚(3-辛基噻吩)纳米线的结构性能调控及纳米线形成机制的原位研究[J].青岛科技大学学报(自然科学版).2019

[5].黄宁,赵婉婉,刘伟景,杨婷,李清华.环栅纳米线FET自热效应及微尺度空间效应研究[J].半导体技术.2019

[6].李书明,史文琪,齐萨仁,杨国勇,蔡勇.覆盖银纳米线层硅基MEMS过滤芯片[J].半导体技术.2019

[7].梁先文.银纳米线的制备、焊接及其透明电极性能研究[D].中国科学院大学(中国科学院深圳先进技术研究院).2019

[8].焦志锋,赵吉晓,郭晓宁,郭向云.具有分级结构的SiC纳米线负载的Pd纳米颗粒光催化芳基卤化物硼化反应（英文）[J].ChineseJournalofCatalysis.2020

[9].张丽莹,杨兵旺,王凌晨,贺加贝.“铜化合物纳米线阵列的制备及性能研究”综合实验设计[J].实验技术与管理.2019

[10].周萱,雷元元,唐莉莉.钯金合金纳米线修饰电极对过氧化氢的催化传感性能研究[J].广州化工.2019

论文知识图

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