铁电薄膜论文_郭聪,付跃举,刘华一,张丹,徐海峰

导读:本文包含了铁电薄膜论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译,主要关键词:薄膜,晶粒,电容器,结构,尼龙,密度,光学。

铁电薄膜论文文献综述

郭聪,付跃举,刘华一,张丹,徐海峰[1](2019)在《P(vdf)/BaTiO_3复合薄膜铁电性能研究》一文中研究指出21世纪以来,微机电系统(MEMS)的发展,对铁电材料的柔性和电活性的要求随之增加,P(vdf)作为优秀的柔性铁电材料而备受关注。为实现P(vdf)铁电性能的调控,本文使用Ba Ti O3进行了掺杂,并采用旋涂法制备了纳米薄膜,探究了空气湿度与退火温度对薄膜性能影响,为有机柔性材料的电活性调控提供了一个可行思路。(本文来源于《化工技术与开发》期刊2019年11期)

麦满芳,朱传云,李矩明,马信洲[2](2019)在《基于铁电薄膜的Al/PVDF/SiO_2/n-Si结构的负电容效应研究》一文中研究指出采用旋涂法制备了基于铁电聚合物薄膜的Al/PVDF/SiO_2/n-Si(MFIS)结构。通过测量MFIS结构的电容-频率特性和电容-电压特性,观察到负电容效应。测量频率越低,正向偏压越大,负电容效应越显着。在时域中,施加脉冲电压,出现瞬态电流随时间增大的电感现象。研究结果表明,MFIS结构中的负电容效应是一种电感现象。构建能带图分析MFIS结构中负电容效应的产生原因,是由于大量电子注入到界面中被捕获使得电流的相位落后于电压导致。基于铁电薄膜的负电容MFIS结构有望应用于低功耗器件中。(本文来源于《电子元件与材料》期刊2019年11期)

李延青,吴曼,杨静[3](2019)在《锰掺杂对钛酸锶铅铁电薄膜带-带跃迁和带尾吸收特性的影响(英文)》一文中研究指出通过透射光谱研究了锰掺杂量对钛酸锶铅铁电薄膜光学特性尤其是带-带跃迁和带尾吸收特性的影响,并利用柯西色散关系获得了光学透明区的光学常数.研究表明:随着锰掺杂量的增加,钛酸锶铅铁电薄膜的禁带宽度减小而带尾能增加.禁带宽度随锰掺杂的收缩可以归因为锰3d轨道降低了导带底的能级及掺杂后晶格的减小.掺杂锰离子的随机占位和非等价掺杂后氧空位浓度的增加则是导致局域带尾态拓宽的主要原因.(本文来源于《红外与毫米波学报》期刊2019年05期)

毛飞龙,张辉,沈浪,罗志涛,沈君尧[4](2019)在《基于BST铁电薄膜可调电容的研究》一文中研究指出0引言近年来,铁电薄膜的研究和应用取得了较大的进展[1],尤其是BaxSr1-x TiO3(0≤x≤1,BST)类钙钛矿铁电薄膜,由于它晶格结构比较简单,又具有良好的铁电、介电、压电和热释电等物理特性,所以备受重视[2]。由于BST薄膜在外加电场变化时,介电常数也会变化,所以该介电可调性使其可以应用于可调电容中。本文主要报道利用射频磁控溅射在Li NbO3基底上制备了基于BST薄膜的平行板可调电容器。表(本文来源于《2019年全国声学大会论文集》期刊2019-09-21)

杨松,郭凯鑫,张敏,邓朝勇,王旭[5](2019)在《La掺杂BiFeO_3薄膜铁电及光学性能研究》一文中研究指出利用溶胶-凝胶法分别在Pt/TiO_2/SiO_2/Si和ITO/玻璃衬底上制备纯相的铁酸铋(Bi Fe O3)和La掺杂的铁酸铋(Bi1-xLaxFe O3,x=0. 05,0. 1)薄膜。XRD测试表明BLFO薄膜为纯钙钛矿相,都呈(111)方向的菱形结构,La掺杂可以提高BFO薄膜的结构稳定性。镧掺杂铁酸铋具有更大的剩余极化值和较小的漏电流。此外,随着La成分的增加,薄膜的基本吸收边呈现红移,并通过Tauc公式计算拟合观察到BLFO的光学带隙逐渐减小。结果发现随着La掺杂量(0,5mol%,10mol%)逐渐增大,薄膜的剩余极化值越大,其禁带宽度(Eg)越小。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2019年08期)

[6](2019)在《溶剂处理获透明铁电尼龙薄膜 解决困扰40年之久的难题》一文中研究指出随着微电子产业向可穿戴电子和电子纺织品转变,研究人员正在将铁电材料等电子材料与纺织品结合起来。近30年前,人们惊讶地发现奇数尼龙具有铁电性质。铁电性质是指在一些电介质晶体中,晶胞的结构使正负电荷中心不重合而出现电偶极矩,且电偶极矩方向可因外电场而改变。简单来说,材料中的正电荷和负电荷可以分离,并保持这种状态。尽管尼龙聚合物多年来在织物和纤维中有重要的商业应用,但酰胺键之间存在很强的氢键相互作用,(本文来源于《环球聚氨酯》期刊2019年08期)

冯鑫,蒋丽梅,周益春[7](2019)在《锆钛酸铅铁电薄膜畴壁导电的相场理论研究》一文中研究指出铁电材料中的畴壁因具有不同于电畴内部的能量及极化分布情况而具有特殊的电磁性能.随着电镜技术的发展,铁电薄膜畴壁的导电性日益受到广大科研工作者的关注.畴壁导电是指在绝缘的铁电体材料中,在一定条件下畴壁充当导体传导电流.此传导电流不同于畴结构发生翻转时产生的位移电流.目前越来越多的实验已经探测到多种铁电材料畴壁中的传导电流,但其导电机理在理论上一直没有达成共识.该文采用相场理论模拟二维铁电薄膜的畴壁,通过在薄膜表面施加均匀电场,构造180°畴壁,然后在畴壁处加载局部电压,从理论上研究畴壁的导电性.结果发现:由于电场的施加,畴壁处电势比畴内电势高,载流子聚集在畴壁处;在畴壁处加载局部电压得到电流,畴壁处的电流值随着加载的局部电压值增大而增大.(本文来源于《湘潭大学学报(自然科学版)》期刊2019年04期)

刘炫伶,蒋丽梅,周益春[8](2019)在《晶粒间交互作用对铁电薄膜畴结构和翻转性能的影响》一文中研究指出非易失性铁电存储器由于具备一系列优良的特性被视为最具有潜力的存储器之一.实验上制备出的铁电材料多为多晶材料,并且晶粒取向、晶粒大小分布不均匀,而这些因素都会影响材料的铁电性能.前人在关于多晶铁电材料的研究上做出了很多贡献,但晶粒间相互影响的内在机理还不明晰.该文建立了多晶铁电薄膜的相场模型,研究了某一晶粒取向的改变对其他晶粒以及整个薄膜材料畴结构和畴翻转性能的影响,进一步探讨了晶粒间的交互作用.结果表明,随着晶粒取向的改变,晶粒内部畴结构会发生相应的旋转,并且其左右相邻的晶粒畴结构会随之发生旋转.另外,由于长程电交互作用的影响,在外加周期电场情况下,左右相邻的晶粒边界处极化方向会趋于一致.而当其他晶粒取向为0°,薄膜右下角晶粒取向从0°不断增大至90°时,薄膜的剩余极化和矫顽场不断增大,特别是晶粒取向差异较大时会导致顽固的印记失效现象,并且无法通过增强外加电场消除,因此,在实验上应该避免大的取向差异,同时保留一定的取向差异以获得更大的剩余极化.(本文来源于《湘潭大学学报(自然科学版)》期刊2019年04期)

谭鹏飞,李波,王金斌,钟向丽,郭红霞[9](2019)在《电离辐射效应对铁电薄膜畴结构影响模拟》一文中研究指出运用蒙特卡洛方法计算电离辐射对铁电存储器(MFIS型铁电场效应晶体管)的损伤情况,再结合相场方法,建立了MFIS型铁电场效应晶体管相场模型.考虑电离辐射效应对场效应晶体管中铁电薄膜与电极以及绝缘体存在界面效应对存储器中铁电薄膜畴结构的影响.探究从畴结构的角度直观分析电离辐射效应对存储器损伤的可能原因.证实了界面厚度对BaTiO_3(BTO)铁电薄膜的畴结构会产生一定的影响;界面厚度的增加会使90°畴结构发生移动,主要为畴壁的移动,主要原因是界面处的极化小于内部,以及界面处的电势与内部形成的电势差,这些都会引起畴壁的移动,畴壁的移动以及畴壁数量减少,会减少体系的畴壁能,从而降低总体的能量.(本文来源于《湘潭大学学报(自然科学版)》期刊2019年04期)

成宏卜,欧阳俊,张伟,胡芳仁[10](2019)在《高储能密度铁电薄膜电容器研究进展》一文中研究指出综述了储能用铁电薄膜电容器的国内外研究进展。首先简要介绍了铁电材料储能的概念与其测试方法;其次分别对铁电高聚物薄膜、含铅钙钛矿铁电、反铁电薄膜和无铅钙钛矿铁电薄膜的研究进展进行了综述;最后对高储能密度铁电薄膜在今后的研究与应用中存在的问题进行了总结与展望。(本文来源于《现代技术陶瓷》期刊2019年04期)

铁电薄膜论文开题报告

(1)论文研究背景及目的

此处内容要求:

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例:

采用旋涂法制备了基于铁电聚合物薄膜的Al/PVDF/SiO_2/n-Si(MFIS)结构。通过测量MFIS结构的电容-频率特性和电容-电压特性,观察到负电容效应。测量频率越低,正向偏压越大,负电容效应越显着。在时域中,施加脉冲电压,出现瞬态电流随时间增大的电感现象。研究结果表明,MFIS结构中的负电容效应是一种电感现象。构建能带图分析MFIS结构中负电容效应的产生原因,是由于大量电子注入到界面中被捕获使得电流的相位落后于电压导致。基于铁电薄膜的负电容MFIS结构有望应用于低功耗器件中。

(2)本文研究方法

调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

铁电薄膜论文参考文献

[1].郭聪,付跃举,刘华一,张丹,徐海峰.P(vdf)/BaTiO_3复合薄膜铁电性能研究[J].化工技术与开发.2019

[2].麦满芳,朱传云,李矩明,马信洲.基于铁电薄膜的Al/PVDF/SiO_2/n-Si结构的负电容效应研究[J].电子元件与材料.2019

[3].李延青,吴曼,杨静.锰掺杂对钛酸锶铅铁电薄膜带-带跃迁和带尾吸收特性的影响(英文)[J].红外与毫米波学报.2019

[4].毛飞龙,张辉,沈浪,罗志涛,沈君尧.基于BST铁电薄膜可调电容的研究[C].2019年全国声学大会论文集.2019

[5].杨松,郭凯鑫,张敏,邓朝勇,王旭.La掺杂BiFeO_3薄膜铁电及光学性能研究[J].人工晶体学报.2019

[6]..溶剂处理获透明铁电尼龙薄膜解决困扰40年之久的难题[J].环球聚氨酯.2019

[7].冯鑫,蒋丽梅,周益春.锆钛酸铅铁电薄膜畴壁导电的相场理论研究[J].湘潭大学学报(自然科学版).2019

[8].刘炫伶,蒋丽梅,周益春.晶粒间交互作用对铁电薄膜畴结构和翻转性能的影响[J].湘潭大学学报(自然科学版).2019

[9].谭鹏飞,李波,王金斌,钟向丽,郭红霞.电离辐射效应对铁电薄膜畴结构影响模拟[J].湘潭大学学报(自然科学版).2019

[10].成宏卜,欧阳俊,张伟,胡芳仁.高储能密度铁电薄膜电容器研究进展[J].现代技术陶瓷.2019

论文知识图

薄膜和BZN/BST薄膜的F-N隧穿电流...(a)不同频率条件下,LN/n-GaN集成...4-15(a)可以看出,当 LN 薄膜直接沉积...样品的微观结构图和JV特性曲线:(a)...在LNO上沉积的BSPT薄膜(厚度950nm)...制备的主...

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