导读:本文包含了直拉单晶论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:单晶硅,磁场,施主,复合材料,生长,硅片,复合体。
直拉单晶论文文献综述
刘长蔚[1]（2019）在《直拉单晶不同漩涡缺陷检验工艺下的缺陷情况对器件性能的影响》一文中研究指出直拉单晶采用不同的检验工艺条件,出现的旋涡缺陷情况是不相同的,本文主要讨论不同检验条件下出现的漩涡缺陷结果,对半导体器件产品(主要验证台面工艺的二极管)经高温加工过程后出现的缺陷情况进行对比,并进行参数及可靠性试验,考察不同缺陷对器件性能的影响。(本文来源于《天津市电子工业协会2019年年会论文集》期刊2019-07-17）
梁仁和,曾周末,孙聂枫,王书杰,孙同年[2]（2018）在《InP高压直拉单晶炉的热场优化设计与分析》一文中研究指出高压直拉单晶炉的热场对磷化铟(InP)晶体生长过程有重要影响,存在缺陷的热场很难生长出合格的InP单晶,因此对InP晶体生长的热场进行优化设计与分析非常必要。提出了采用新型的碳/碳(C/C)复合材料加热器、复合固化硬毡为保温筒的热场结构,并通过仿真设计优化了InP单晶热场,解决了原有的以石墨加热器和碳纤维软毡为基础的InP单晶热场稳定性和对称性差以及使用寿命短的问题。经过实验测试,加热效率提高了25%,使用寿命达到90炉以上。(本文来源于《仪器仪表学报》期刊2018年11期）
景雪婷[3]（2018）在《直拉单晶温度场中一维受控模型辨识及其模态控制》一文中研究指出在直法拉单晶硅的工业生产过程中,低缺陷率、低杂质和低位错是保证晶格品质的重要指标。然而,集总参数解决方案不能满足单晶控制过程中具有分布参数特性的空间和时间变化。因此采用具有分布参数特性的偏微分方程或积分方程来描述复杂、大尺度受控对象中的物理量变化规律更为妥当。由于偏微分方程不适用于描述直拉单晶过程的叁维控制系统,本文在叁维温度场的轴剖面上,沿着等温面梯度方向找到了一条从结晶点到外界的一维热通路来表示主要工作域中的温度分布,将复杂的叁维控制系统降阶为简单的一维控制系统。同时,本文引入KL-SVD方法来捕捉这个一维系统的输入输出函数在时间和空间上连续分布的主要模态,并通过奇异值分解法识别该系统的核函数,为反馈控制系统的设计提供了易于实现的受控模型。为了对该系统实现精确控制,本文对多输入-输出系统的输入输出关系进行了仔细分析,判断出影响结晶域温度梯度主要变量。并在第四章提出了一种将直径控制作为判定结晶域温度的子系统的方法,间接的实现了结晶场的温度控制。由于控制过程中传感器的数量非常有限,难以获取每个点的精确状态,本文根据热传导的规律,用几个离散点上的设定值拟合出一条静态一维温度曲线,并引入前馈和反馈控制方法来缩小实际值与设定值之间的误差。最后通过设计离散PI控制器来调节控制参数,将实测值所反映出的实际温度曲线控制到标准温度曲线上并使它们的误差在合理的范围内。根据对识别理论和控制方案的分析,本文采用实测数据所求得的经验函数在MATLAB实验仿真平台上识别出了降阶后的一维控制系统在一段时间内的核函数,并使用该函数对此系统在时域上进行了离散控制。仿真结果表明:模态控制的方法可以将被控变量很好的维持在期望误差之内。同时,降阶后的一维系统具有调节时间短,控制结果稳定的特点,并在一维温度曲线的控制问题上呈现出较好的效果。由此说明:结合直径控制子系统的一维系统简化方法与基于KL-SVD的模态降阶在单晶硅生长过程的模拟控制中具有较好的表现。(本文来源于《兰州大学》期刊2018-05-01）
李岩,李进,景华玉,高昂,高忙忙[4]（2017）在《磁场结构对Ф300 mm直拉单晶硅碳杂质的影响研究》一文中研究指出本文利用CGSim晶体生长软件分析了不同磁场结构对直拉单晶硅中碳杂质含量的影响。结果表明,气氛中的碳原子主要通过熔体自由表面上靠近坩埚壁一侧区域扩散进熔体。通过调节对称磁场和非对称磁场的结构参数来抑制碳原子掺入区域的对流强度,增大碳原子扩散层的厚度,进而降低熔体中的碳原子浓度,最终获得低碳含量的直拉单晶硅。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2017年11期）
杨翠[5]（2017）在《直拉单晶硅生长过程中固液界面形状研究》一文中研究指出本文采用晶体生长软件CGSim对直拉单晶硅生长过程中固液界面进行了研究。讨论了不同晶体等径长度下固液界面形状的特点,模拟了晶体生长界面的变化过程;与此同时对不同晶体拉速、晶转、埚转对固液界面形状的影响进行研究,根据模拟结果确定影响固液界面的最优拉速、晶转及埚转。(本文来源于《内蒙古石油化工》期刊2017年10期）
刘占勇[6]（2017）在《直拉单晶的过程控制和硅片的检测工艺》一文中研究指出本文简要介绍了直拉法单晶的过程控制的重要点和后期硅片常用的检测方法及注意事项,以达到产品从生产到出厂的连续质量控制环节,为客户提供更高效,安全,高质量的服务。(本文来源于《天津市电子工业协会2017年年会论文集》期刊2017-07-01）
周军委[7]（2017）在《碳杂质对含氮直拉单晶硅中氧相关缺陷的影响》一文中研究指出近十年来,掺氮直拉硅片由于具有更高的机械强度、更好的内吸杂性能以及更易消除空洞型缺陷等优点而日益成为集成电路广泛使用的高端材料。碳杂质的引入是直拉硅单晶生长过程中无法避免的,只能通过恰当的工艺控制其浓度。本文研究了较高浓度的碳杂质对掺氮直拉硅片的氮-氧复合体浅热施主(N-O STDs)、氧沉淀和氧热施主形成的影响,取得如下主要结果:1.研究了碳杂质对NCz硅片在650℃热处理时N-O STDs形成的影响。当碳浓度较低时(3.4×1016cm3),N-OSTDs的形成几乎不受影响。当碳浓度较高时(5.1×1016cm-3),N-OSTDs的形成则受到显着的抑制。对碳浓度较高的NCz硅片而言,在650℃热处理时,一部分自间隙氧原子被碳原子俘获形成复合体,因此可供氮氧复合体形成的自间隙氧原子显着减少,从而导致N-OSTDs的形成受到抑制。另外一方面,碳原子和氮原子之间可能存在相互作用,这也部分抑制了 N-OSTDs的形成。研究了 1250℃/60s高温快速热处理对掺氮直拉硅片在650℃热处理时N-OSTDs形成的影响。对普通的掺氮直拉硅片(即:碳杂质含量几乎可以忽略)而言,N-OSTDs的形成几乎不受高温快速热处理的影响;而对于含碳量较高的掺氮硅片而言,高温快速热处理促进了 N-OSTDs的形成。初步分析认为:高温快速热处理消除了碳和氮原子之间可能的相互作用,释放出的氮原子可以参与至N-OSTDs的形成。高温快速热处理也打散了含碳量较高的掺氮硅片样品中尺寸较小的氧沉淀,从而提高间隙氧原子的数量,促进N-OSTDs的形成。2.研究了碳杂质对掺氮直拉硅片在低-高两步热处理中氧沉淀行为的影响。无论是在氧沉淀形核时间不同还是在氧沉淀长大时间不同的情况下,碳杂质都会促进氧沉淀的形成。分析指出:一方面碳和氧原子间相互作用形成的C-O复合体可以作为氧沉淀异质形核的前驱体,降低了氧沉淀形核的势垒;另一方面,替代位碳原子周围的硅晶格处于拉伸状态,有利于氧沉淀形核过程中所产生的压应力的释放。当在低-高两步热处理前预置1250℃/60s高温快速热处理时,碳对掺氮直拉硅片氧沉淀的促进作用更加显着,这是由于碳促进了可作为氧沉淀形核前驱体的空位-氧(V02)复合体的形成。3.研究了碳杂质对掺氮直拉硅片的氧热施主形成的影响。研究表明,在氮杂质抑制直拉硅片的氧热施主形成的基础上,碳杂质进一步抑制了氧热施主的形成,碳浓度越高,其抑制作用越显着。初步分析认为:在氧热施主形成温度下,有可能形成碳-氧复合体,消耗了一部分间隙氧原子;此外,一部分替代位碳原子与自间隙硅原子发生了“踢出(kick-out)”机制的反应,消耗了一部分自间隙硅原子。而氧热施主的形成则依赖于间隙氧原子和自间隙硅原子的数量。(本文来源于《浙江大学》期刊2017-05-05）
景华玉[8]（2017）在《直拉单晶硅磁场生长工艺及氧的掺入机理研究》一文中研究指出单晶硅广泛用于光伏发电系统和微电子领域,随着行业的快速发展,单晶硅朝着大直径、高品质、低成本的方向发展。对于生产大直径单晶硅,坩埚的直径和投料量势必加大,熔体内对流变得更加剧烈复杂而难以控制,而磁场拉晶技术对控制剧烈复杂的对流更具有优势。为此本文首先研究了勾型磁场的结构,确定最佳磁场结构。在最佳磁场的基础上,继续研究晶转、埚转、拉速等工艺参数对晶体品质的影响。另外对于提高晶体的品质,晶体内氧含量是重要参量之一,而氧杂质主要来源于坩埚壁的受热分解,随后被输运至固液界面处再分凝至晶体内,而边界层是氧分凝的重要场所。为此本文进一步求解出边界层厚度的解析解,以边界层厚度在固液界面的分布形势研究氧的掺入机理,同时这也是本论文的创新点。本文模拟实验所得结果如下:(1)随着上下线圈间距(H)增大,晶体下方强迫对流强度增加,固液界面的中心挠度逐渐变大。当H较大时氧边界层厚度在固液界面分布较为均匀,利于氧在固液界面的均匀分布。随着磁场比(MR)的减小,洛伦兹力对熔体抑制作用变强,熔体内对流强度逐渐减小;当磁场比在1附近时,氧边界层厚度在固液界面分布较为均匀。(2)随着晶转数的增大,熔体内对流强度逐渐增大,固液界面中心挠度逐渐增大;当晶转数为6rpm、8rpm、12rpm时,氧边界层厚度在固液界面分布较为均匀。随着埚转值增大,坩埚壁温度逐渐升高;固液界面中心处挠度值逐渐降低,氧边界层厚度与埚转数成正比例关系。(3)随着拉速值增大,坩埚壁的温度逐渐降低,固液界面形状由凸型转变成凹型。氧边界层厚度与拉速值成反比例关系,当拉速为65mm/h时氧边界层在固液界面较为平缓。(本文来源于《宁夏大学》期刊2017-03-01）
景华玉,李进,高忙忙[9]（2016）在《磁场结构对Φ300mm直拉单晶硅碳浓度的影响》一文中研究指出碳是直拉单晶硅中非常重要的有害非金属杂质之一,若晶体生长过程中引入碳,会促进氧沉淀和SiC析出相的生成,导致晶体内应力增加,从而影响单晶硅的品质。熔体内的碳杂质主要来源于炉内热场材料在高温时与氧的反应,其在熔体中的分布与熔体对流行为有着密切的关系。本文利用CGSim晶体生长软件模拟了不同勾型磁场结构对熔体内碳杂质含量和分布的影响。通过调节磁场强度比(MR)和线圈位置距地面的高度(H)来控制零高斯面(ZGP)与生长界面的相对位置,获得优化的熔体对流。在MR为1.5:1,H为719mm的磁场结构下,使熔体内碳浓度从1.1×10~(20)atoms/cm~3降低至6.96×10~(19)atoms/cm~3。这主要是因为,磁场产生的洛伦兹力对熔体内流动起到抑制作用,改变了熔体对流的强度;减缓了晶体下方的熔体流速,使生长界面下方的边界层变厚,从而减小了硅熔体中的碳扩散进入到晶体内的浓度,利于得到高品质的硅晶体。(本文来源于《无网格粒子类方法进展与应用研讨会论文摘要集》期刊2016-08-17）
黄旭光,杨运忠,彭豪豪,董彦萌[10]（2016）在《碳/碳复合材料在直拉单晶硅生产中的应用》一文中研究指出单晶硅是太阳能电池的基础材料,在直拉法单晶硅生产工艺中需要使用大量的等静压石墨材料制作热场,随着单晶硅生产规模的扩大和所用热场日渐大型化,应用新型的碳/碳复合材料制作单晶炉热场成为必然趋势.碳/碳复合材料适合于制作大尺寸耐高温热场,并且使用寿命长、稳定性高、节能效果好.(本文来源于《物理通报》期刊2016年06期）
直拉单晶论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
高压直拉单晶炉的热场对磷化铟(InP)晶体生长过程有重要影响,存在缺陷的热场很难生长出合格的InP单晶,因此对InP晶体生长的热场进行优化设计与分析非常必要。提出了采用新型的碳/碳(C/C)复合材料加热器、复合固化硬毡为保温筒的热场结构,并通过仿真设计优化了InP单晶热场,解决了原有的以石墨加热器和碳纤维软毡为基础的InP单晶热场稳定性和对称性差以及使用寿命短的问题。经过实验测试,加热效率提高了25%,使用寿命达到90炉以上。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
直拉单晶论文参考文献
[1].刘长蔚.直拉单晶不同漩涡缺陷检验工艺下的缺陷情况对器件性能的影响[C].天津市电子工业协会2019年年会论文集.2019
[2].梁仁和,曾周末,孙聂枫,王书杰,孙同年.InP高压直拉单晶炉的热场优化设计与分析[J].仪器仪表学报.2018
[3].景雪婷.直拉单晶温度场中一维受控模型辨识及其模态控制[D].兰州大学.2018
[4].李岩,李进,景华玉,高昂,高忙忙.磁场结构对Ф300mm直拉单晶硅碳杂质的影响研究[J].人工晶体学报.2017
[5].杨翠.直拉单晶硅生长过程中固液界面形状研究[J].内蒙古石油化工.2017
[6].刘占勇.直拉单晶的过程控制和硅片的检测工艺[C].天津市电子工业协会2017年年会论文集.2017
[7].周军委.碳杂质对含氮直拉单晶硅中氧相关缺陷的影响[D].浙江大学.2017
[8].景华玉.直拉单晶硅磁场生长工艺及氧的掺入机理研究[D].宁夏大学.2017
[9].景华玉,李进,高忙忙.磁场结构对Φ300mm直拉单晶硅碳浓度的影响[C].无网格粒子类方法进展与应用研讨会论文摘要集.2016
[10].黄旭光,杨运忠,彭豪豪,董彦萌.碳/碳复合材料在直拉单晶硅生产中的应用[J].物理通报.2016
论文知识图
