导读:本文包含了电子亲和势论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:亲和,阴极,电子,负电子,光电,负离子,螺线管。
电子亲和势论文文献综述
付筱茜,唐如麟,陆禹竹,宁传刚[1]（2019）在《慢电子速度成像法结合低温冷离子阱测量镥的电子亲和势（英文）》一文中研究指出本文采用低温冷离子阱囚禁的手段累积镥的负离子束流,使得对其电子亲和势的测量变得实际可行.运用慢电子速度成像法获得具有高分辨率的镥负离子的光电子能谱,测得镥的电子亲和势为1926.2(50) cm~(-1)或0.23882(62) eV.此外,还观察到镥负离子的两个激发态.(本文来源于《Chinese Journal of Chemical Physics》期刊2019年02期）
连艺[2]（2018）在《负离子束源装置设计及OCS~-结构和电子亲和势理论研究》一文中研究指出负离子广泛存在于自然界中,从人们的日常生活空间到地球外层空间的电离层、地球的磁层以及其他恒星体的磁层,在不同的程度影响着人们的生活和健康。与中性原子分子相比,负离子具有显着不同的结构和特性,如额外电子的短程库伦势,较低的电子亲和能以及不可忽略的电子关联作用等,使得其与中性原子分子具有明显不同的物理现象。目前对负离子与激光相互作用的研究还很少,其内在的物理机制以及对负离子电子态认识,亟需进一步研究。为此,本论文设计了一套负离子产生及检测的实验装置,用来研究负离子与激光的相互作用。我们用一个自主设计的电子枪来产生电子束,通过电子贴附分子生成所需的负离子源。通过SIMION模拟优化仪器中的各项参数(尺寸和电压),确保足够数密度的负离子能够到达反应区。最终通过模拟飞行时间质谱,证实我们设计的合理性,能够用来研究负离子与激光的相互作用。此外,我们在理论上采用包含叁重激发修正的单重激发—双重激发耦合簇(CCSD(T)/UCCSD(T))理论方法,结合芯价电子相关效应(Core-Valence correlation)与标量相对论效应(Scalar relativistic effect)的修正及外推完全基组极限(CBS)对OCS分子及OCS~-负离子的电子态进行理论计算,得到了其几何结构(键长、键角)和光谱参数(振动频率及单点能),确定了OCS的电子亲和势在0.075eV~0.078eV之间。(本文来源于《吉林大学》期刊2018-06-01）
郭姿含[3]（2017）在《有机半导体的电子电离能、亲和势和极化能的密度泛函理论研究》一文中研究指出近年来,由于具有轻便、可塑性好、制备方式灵活及生产成本低等优点,有机半导体材料受到了人们的广泛关注,成为研究的热点。为了设计新型有机半导体材料和理解相关机理,准确预测有机半导体的能级(如电子电离能和亲和势等)具有重要意义。从理论计算的角度看,首要的挑战来自于缺乏一种不仅能够在定性上合理而且在定量上精确预测,同时并不显着增加计算成本的理论方法。本论文中,我们为了准确预测有机半导体的能级参数率先提出了一种结合极化连续介质模型(PCM)和"最优调控"区间分离密度泛函的方法,并证明了该方法能够准确预测一系列有机半导体的电子电离能(IP),亲和势(EA)和极化能,其预测的结果能够很好地重现实验数据。重要的是,经过调控后分子的前线分子轨道能量(即-εHOMO和-εLUMO)与对应的IP和EA计算值十分接近。调控方法的成功可以进一步归因于其能够根据不同分子体系或同种分子所处的不同状态(气态和固态)"最优"地平衡泛函中分别用于描述电子局域化和离域化的作用。相比而言,其它常见的密度泛函方法由于包含的HF%比例过低(如PBE)或过高(如M06HF和未调控的区间分离泛函),均不能给予合理的预测。因此,我们相信这种PCM-调控的方法能够为研究其它更加复杂的有机体系的能级问题提供一种更加可靠和便捷的理论工具。论文的主要内容如下:第一章,综述了理论计算的发展、有机半导体的概念、分类以及代表性有机薄膜器件。此外,通过分析实验研究中的不足说明采用理论计算预测有机半导体IP和EA的必要性;第二章,简单介绍了密度泛函理论的发展,包括Thomas-Fermi模型、Hohenberg-Kohn定理、Kohn-Sham方程以及在此基础上发展出的各类密度泛函,继而引出最优调控密度泛函方法,并详细阐述了该方法的理论基础和发展过程;第叁章,利用最优调控密度泛函方法和其它9种常见的密度泛函方法对气态和固态下分子的前线分子轨道能量(-εHOMO和-εLuMO)与IP和EA分别进行计算,并与已有的实验值进行比较,计算各参数理论计算值相对于实验值的平均绝对误差(MAD)大小并进行相应的误差分析。对比结果表明最优调控方法能够准确地预测上述能级参数和极化能,而其它泛函计算结果则存在不同程度的误差;第四章,总结了本论文的主要内容,并对进一步的研究做出展望。(本文来源于《华东师范大学》期刊2017-05-01）
丁时杰[4]（2017）在《慢电子速度成像法测定VIB族过渡族元素电子亲和势》一文中研究指出本工作首次运用慢电子速度成像方法,对VIB族过渡族元素的电子亲和势进行了精确测定。电子亲和势作为原子和分子负离子的重要物理参数,在物理、化学等诸多领域具有广泛而深远的理论研究意义和应用价值。由于过渡族元素负离子脱附电子的p波行为,导致以往工作中采用的测量电子亲和势的实验手段存在一定限制,无法达到像主族元素一样可观的精度。而本工作采用的慢电子速度成像法能够克服这些限制,获得更高精度的测量结果。运用慢电子速度成像法,将染料激光器光子能量控制在略高于特定跃迁阈值能的范围内,使得脱附电子动能尽可能低,我们能够获得精度更高的阈值能和电子亲和势测量结果。最终,我们得到:铬Cr的负离子电子亲和势为:5451.73(21)cm~(-1)或者675.928(26)meV;钼Mo的负离子电子亲和势测量结果为6026.85(58)cm~(-1)或者747.23(7)meV;钨W的负离子电子亲和势测量结果为6584.42(71)cm~(-1)或者816.364(88)meV,测量精度均优于1cm~(-1)或者0.1meV。其中Cr和Mo较之前工作的测量精度均有显着提高;W的测量结果对之前采用LPT方法得到的测量结果,起到了佐证与补充的作用。(本文来源于《清华大学》期刊2017-04-01）
李飙,任艺,常本康,陈文聪[5]（2016）在《负电子亲和势GaN阴极光电发射机理研究》一文中研究指出GaN阴极中光电子的发射分为价带电子的激发、光生载流子的输运和载流子的发射3个阶段。分析了激发阶段GaN光电阴极中电子吸收入射光产生从价带到导带的跃迁过程和输运阶段导带中的光电子从体内到表面的扩散过程及发射阶段GaN阴极表面光电子的逸出过程;推导了Cs激活过程中到达阴极表面光激发电子的逸出几率公式;比较了仅用Cs激活和共用Cs/O激活过程中到达阴极表面光激发电子逸出几率的变化情况;结果表明:GaN阴极的光电发射为直接跃迁激发,输运阶段仅遭受电子-声子散射,表面光激发电子的逸出几率取决于激活程度,引入Cs是激活的必需因素,O的引入仅可小幅度提升光电发射效率;最后利用实验证实了Cs激活的充分性。(本文来源于《材料导报》期刊2016年08期）
乔建良,徐源,高有堂,牛军,常本康[6]（2016）在《负电子亲和势GaN光电阴极铯吸附机理研究》一文中研究指出为了得到铯吸附与阴极电子亲和势变化之间的定量关系,利用NEA光电阴极激活评估实验系统对GaN光电阴极进行了铯激活.根据半导体光电发射理论和双偶极层模型,通过对电子亲和势随铯覆盖度变化的实验结果进行拟合运算,得到电子亲和势与铯覆盖度之间的函数关系式.分析了铯的吸附机理,得到激活过程中铯的吸附过程与GaN材料有效电子亲和势下降之间的关系.实验表明:负电子亲和势GaN光电阴极材料在铯激活时光电流随着铯覆盖度的增加而从本底值增为极大值,激活过程中GaN电子能量分布曲线低动能截止点的位置决定于铯的覆盖度.当铯的覆盖度从0、1/2、2/3到1个单层变化时,低动能截止点依次向左移动,当覆盖度从0增加到1个单层时,低动能截止点向左移动了约3eV的距离.研究表明,低动能截止点左移本质上是由于对电子逸出起促进作用的有效偶极子[GaN(Mg):Cs]数量的增多造成的,有效偶极子数量的增多带来了材料表面真空能级的下降.(本文来源于《光子学报》期刊2016年04期）
范志辉,陈飞武[7]（2015）在《二阶多参考态微扰理论计算电子亲和势（英文）》一文中研究指出采用二阶多参考微扰理论计算了F,Cl,OH,SH,CN,CH2和NH2的电子亲和势.另外,还考察了基函数和完全活性空间大小对电子亲和势精度的影响.通过和CASSCF,CASPT2,CCSD,CCSD(T),B3LYP,X3LYP,M06,HCTH,TPSS,B97D3,m PW2PLYP和B2PLYP的计算结果比较发现,针对目前所用的基函数,二阶多参考态微扰理论的总体计算效果是最好的.(本文来源于《物理化学学报》期刊2015年11期）
吴岱,潘清,肖德鑫,李凯,杨仁俊[8]（2015）在《负电子亲和势砷化镓光阴极热发射度测量》一文中研究指出作为未来高平均功率、高亮度电子源的重要材料之一,负电子亲和势砷化镓(NEA-GaAs)光阴极发射的电子束亮度一直以来都是国际上的研究热点。热发射度是电子束能够实现的发射度下限,测量热发射度有利于确定注入器能否提供高亮度的电子束。本文理论计算了NEA-GaAs光阴极热发射度数值范围,并基于中国工程物理研究院自由电子激光相干强太赫兹源(FEL-THz)装置,在28fC的极低电荷量下,采用螺线管扫描法初步测量了NEA-GaAs光阴极的热发射度。结果显示,NEA-GaAs光阴极的热发射度为(0.603±0.002)μm/mm。(本文来源于《原子能科学技术》期刊2015年S2期）
常本康[9]（2015）在《负电子亲和势光电阴极50年史话》一文中研究指出本文是负电子亲和势光电阴极发现50周年的纪念文章,简要回顾了过去的成绩,现在的困难及今后的展望。经过近30年的努力,我国MOCVD生长的反射式Ga As光电阴极的积分灵敏度已达到3516?A/lm,目前存在的困难是光电阴极寿命问题,寿命问题解决了,高性能微光像增强器以及EBAPS数字器件可以缩短与西方的差距。如果高灵敏度长寿命的Ga As:O-Cs光电阴极真正取代了目前大科学装置中的铜阴极,基于我国大科学装置的基础研究才会迎来真正的科学春天。(本文来源于《红外技术》期刊2015年10期）
罗志弘,陈孝林,李嘉明,刘源,宁传刚[10]（2015）在《慢电子速度成像测量原子的电子亲和势》一文中研究指出电子亲和势是元素最基本的性质之一,但是目前仍有大量元素的电子亲和势的实验精度较低,在10 meV左右,或是未知的。慢电子速度成像技术~([1,2])通过测量光脱附低能电子来实现对电子亲和势的高精度测量。该方法可以达到0.1 cm~(-1)的测量精度。如图1所示,利用该方法,碘原子的电子亲和势测量值为24672.94(10)cm~(-1)。(本文来源于《第十四届全国化学动力学会议会议文集》期刊2015-08-21）
电子亲和势论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
负离子广泛存在于自然界中,从人们的日常生活空间到地球外层空间的电离层、地球的磁层以及其他恒星体的磁层,在不同的程度影响着人们的生活和健康。与中性原子分子相比,负离子具有显着不同的结构和特性,如额外电子的短程库伦势,较低的电子亲和能以及不可忽略的电子关联作用等,使得其与中性原子分子具有明显不同的物理现象。目前对负离子与激光相互作用的研究还很少,其内在的物理机制以及对负离子电子态认识,亟需进一步研究。为此,本论文设计了一套负离子产生及检测的实验装置,用来研究负离子与激光的相互作用。我们用一个自主设计的电子枪来产生电子束,通过电子贴附分子生成所需的负离子源。通过SIMION模拟优化仪器中的各项参数(尺寸和电压),确保足够数密度的负离子能够到达反应区。最终通过模拟飞行时间质谱,证实我们设计的合理性,能够用来研究负离子与激光的相互作用。此外,我们在理论上采用包含叁重激发修正的单重激发—双重激发耦合簇(CCSD(T)/UCCSD(T))理论方法,结合芯价电子相关效应(Core-Valence correlation)与标量相对论效应(Scalar relativistic effect)的修正及外推完全基组极限(CBS)对OCS分子及OCS~-负离子的电子态进行理论计算,得到了其几何结构(键长、键角)和光谱参数(振动频率及单点能),确定了OCS的电子亲和势在0.075eV~0.078eV之间。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
电子亲和势论文参考文献
[1].付筱茜,唐如麟,陆禹竹,宁传刚.慢电子速度成像法结合低温冷离子阱测量镥的电子亲和势（英文）[J].ChineseJournalofChemicalPhysics.2019
[2].连艺.负离子束源装置设计及OCS~-结构和电子亲和势理论研究[D].吉林大学.2018
[3].郭姿含.有机半导体的电子电离能、亲和势和极化能的密度泛函理论研究[D].华东师范大学.2017
[4].丁时杰.慢电子速度成像法测定VIB族过渡族元素电子亲和势[D].清华大学.2017
[5].李飙,任艺,常本康,陈文聪.负电子亲和势GaN阴极光电发射机理研究[J].材料导报.2016
[6].乔建良,徐源,高有堂,牛军,常本康.负电子亲和势GaN光电阴极铯吸附机理研究[J].光子学报.2016
[7].范志辉,陈飞武.二阶多参考态微扰理论计算电子亲和势（英文）[J].物理化学学报.2015
[8].吴岱,潘清,肖德鑫,李凯,杨仁俊.负电子亲和势砷化镓光阴极热发射度测量[J].原子能科学技术.2015
[9].常本康.负电子亲和势光电阴极50年史话[J].红外技术.2015
[10].罗志弘,陈孝林,李嘉明,刘源,宁传刚.慢电子速度成像测量原子的电子亲和势[C].第十四届全国化学动力学会议会议文集.2015
论文知识图
