导读:本文包含了原子刻蚀论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:原子,晶格,表面,离子,偏压,能量,角度。
原子刻蚀论文文献综述
卢红亮,马宏平,袁光杰,张卫[1]（2019）在《原子层刻蚀技术研究进展》一文中研究指出随着现在集成电路技术的不断发展,构成芯片的核心器件尺寸在不断地缩小,芯片的加工制造变得越来越精细。主要综述了有望在纳米级芯片器件加工过程中发挥关键作用的原子层刻蚀(ALE)技术最近几年来的研究进展。首先介绍了晶体管尺寸进一步缩小后,在刻蚀材料的选择性和物理化学反应的原子级控制方面面临的主要挑战;接着对ALE技术的基本原理进行了详细介绍;进一步重点概括了ALE技术在应用于微电子器件中的半导体薄膜、氧化物薄膜、氮化物薄膜、金属薄膜的国内外研究成果。此外,还介绍了ALE技术应用在新型二维材料方面的进展情况。(本文来源于《微纳电子与智能制造》期刊2019年01期）
陈意桥,陈超,张国祯[2]（2018）在《原子层刻蚀及原子层沉积技术在半导体器件表面钝化中的应用》一文中研究指出近年来原子层刻蚀(Atomic Layer Etching,ALE)及原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD)技术的发展,使得半导体材料和器件的新功能和新应用成为可能。本文报告了利用ALE/ALD和高真空技术的结合对二类超晶格红外探测器进行表面钝化的尝试,在ALE逐层清理过的器件表面用ALD方法原位沉积钝化层,获得了优异的钝化效果。ALD技术是一种在衬底表面以单原子层为单位逐层生长薄膜的技术,这种技术与化学气相沉积(CVD)有相似之处,即将多种不同的化学前驱体源以气态通入反应腔,在一定的温度下发生化学反应,生成所需的薄膜材料。但其生长过程于CVD有明显区别,如图1所示,ALD生长过程是将参与反应的前驱体源交替通入反应腔,使其分别在基底表面发生自限制的化学反应,每通入一次前驱体源仅能在基底表面生长一层目标薄膜材料的原子。ALD技术的这种独特的生长机理,使其可以在大面积、复杂形貌的基底表面上生长出均匀、致密、无针孔、高随形性的薄膜,可以在原子层尺度上精确控制所需薄膜的厚度,并拥有较高的工艺稳定性和可重复性。基于这些特殊的优势,ALD技术迅速被工业界采用并成为了生长半导体材料钝化层、栅介质层和铜扩散阻挡层的主流工艺。ALE技术是将传统的连续刻蚀工艺结合ALD自限制逐层反应机理而形成的一种新兴的刻蚀技术。如图2所示,与ALD类似,ALE也是分步进行的,即先通入反应物与薄膜表面原子反应,弱化表面单层原子与薄膜之间的连接键,然后通入等离子体使表面的改性分子脱附,露出薄膜材料的下一层原子,两步循环进行,每个周期剥离表面的一层原子。ALE的反应机理具备ALD工艺的自限制性,即表面反应一旦饱和,反应将不会继续进行,这使其具有很多类似于ALD的优点,其刻蚀精度、平整度、随形性、工艺稳定性和可重复性远胜于连续刻蚀,并且ALE刻蚀之后的材料表面依然平整完好。除了能够提供精准刻蚀的光滑表面之外,ALE还有一项重要优势:若采用各向同性的改性和脱附步骤,ALE方法能够实现各向同性刻蚀,可对复杂形貌的材料表面执行均匀、一致的刻蚀。二类超晶格红外探测器材料是由InAs、GaSb等多种材料的纳米级薄层周期性堆迭而成的,在制作探测器器件时,需要将生长好的超晶格外延片刻蚀成分立的台面,此时台面的侧壁成为了裸露在环境中的新的表面。二类超晶格材料由于有效禁带宽度很小(小于0.3 eV,有的甚至小于0.03 ev),在台面侧壁的表面由于界面的存在能带将会弯曲,弯曲的能带很容易在窄禁带材料表面产生载流子的势阱,进而形成表面导电层;同时,InAs、GaSb两种材料都容易被氧化,再加上台面刻蚀过程中形成的半金属As和和金属Sb残留于台面侧壁,这些因素都使侧壁表面粗糙,引入表面态,增加表面非辐射复合并增加侧壁漏电。由于二类超晶格红外探测器件的探测性能显着受制于器件台面侧壁的漏电,所以该类器件表面钝化的关键在于增加台面侧向电阻率。高真空下的ALE可有效去除二类超晶格器件台面侧壁的刻蚀杂质及氧化产物,降低侧壁粗糙度、减少表面态,从而降低台面侧壁漏电。ALE完成器件表面的刻蚀之后,原位采用ALD技术沉积钝化层,即可得到高质量的钝化界面,而且ALE/ALD工艺过程采用的温度均低于300℃,不会对超品格材料造成损伤。本报告中的结果显示,对于截止波长为12.3微米的分立器件,采用ALE/ALD钝化工艺后,各样品的周长面积比P/A与R_0A值的拟合得到的器件台面侧向电阻率Psurface由未钝化时的10.5 kΩ·cm提高到了137 kΩ·cm,提高了一个数量级以上(如图3所示)。此结果表明高真空ALE/ALD钝化工艺可能成为提高超晶格红外探测器焦平面阵列性能的最有效的手段之一。本文结果显示初步的ALE/ALD结合的表面钝化技术已经能够大幅提高二类超晶格器件性能,我们有理由期待经过优化的ALE/ALD钝化工艺将有可能彻底解决类似器件的表面钝化需求;同时,由于ALE/ALD的随形性、自限制性和大面积均匀性,使得该项技术易于实现大尺寸产业化。(本文来源于《粤港澳大湾区真空科技创新发展论坛暨2018年广东省真空学会学术年会论文集》期刊2018-11-30）
杨雪[3]（2018）在《CF_4/Ar感性耦合等离子体增强准原子层刻蚀SiO_2多尺度研究》一文中研究指出等离子体刻蚀是半导体集成电路(Integrated Circuit,IC)制造工艺中的重要环节,近年来随着IC集成度的不断提高,特征尺寸不断缩小,此外,3D晶体管、鳍式场效应晶体管(Fin Field-Effect Transistor,Fin-FET)等复杂结构的应用,对刻蚀槽深宽比(Aspect Ratio,AR)、刻蚀槽形貌控制等的要求进一步提高,尤其是随着小于10 nm技术的开发,原子尺度的偏差也可能影响器件的性能。传统刻蚀在一些关键步骤中显然难以满足要求,原子精度的控制能力成为影响特征尺度进一步缩小的关键。此外,原子层刻蚀(Atomic layer etching,ALE)技术的进步,使得具有原子精度控制能力的等离子体ALE逐渐进入到产业应用的阶段。ALE是通过自限性地去除表面最外层原子,实现原子层精度刻蚀的。一个完整的ALE过程要经过两次净化腔室,这需要消耗大量的时间,使得产额过低。为了解决这个问题,近些年来通过改变极板偏压波形、控制放电参数等方法,不换气体而实现原子层精度刻蚀的研究大量涌现,这种方法能够将效率提高几十倍,它被称为等离子体增强“准”原子层刻蚀(Quasi-Atomic layer etching,quasi-ALE)。本文通过建立包括产生等离子体的放电腔室模型(Reactor Model)、鞘层模型(Sheath Model)、刻蚀槽模型(Trench Model)的多尺度刻蚀演化模型,研究了在CF_4/Ar感性耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma,ICP)放电下进行quasi-ALE时不同功率、放电气压、偏压波形等对SiO_2刻蚀形貌的影响。首先,采用商业软件CFD-ACE+模拟放电产生等离子体的过程,从而获得不同放电参数下中性粒子及离子的通量及密度;其次,将得到的离子密度作为鞘层模型的边界条件,自洽地算出轰击到极板上的离子能量(Ion Energy Distributions,IEDs)离子角度分布(Ion Angle Distributions,IADs);最后,将CFD-ACE+中得到的粒子通量及IEDs、IADs作为刻蚀槽模型的初始条件,模拟刻蚀槽形貌演化过程。本文还将传统ALE、quasi-ALE及反应性离子刻蚀(Reactive Ion Etching,RIE)的刻蚀槽形貌做了对比,并研究了quasi-ALE的深宽比依赖效应(Aspect Ratio Dependent Effect,ARDE)。在第叁章中主要讨论了不同放电气压和放电功率时离子密度分布及离子与中性粒子的通量大小。结果表明,离子密度及粒子通量受气压、功率的控制,且腔室中心处始终为密度最大的区域。第四章研究了不同偏压波形、气压、功率等外界条件对IEDs及IADs的影响,结果显示不同外界参数会导致IEDs及IADs具有不同的变化,且特定的偏压波形可以使IEDs更加趋于单能,IADs更加集中。第五章给出了不同外界条件下对应下刻蚀槽形貌的演化,结果表明不同的外界条件对刻蚀槽的形貌有较大的影响;quasi-ALE既能保持较理想的刻蚀形貌又可以提高刻蚀速率,且能够在一定程度上抑制刻蚀的ARDE。(本文来源于《大连理工大学》期刊2018-05-01）
程旭阳,张涛,史成东[4]（2018）在《耐原子氧刻蚀有机硅改性环氧树脂的开发》一文中研究指出通过端环氧苯基硅氧烷与双酚A型环氧树脂的共聚反应制得有机硅改性环氧树脂。研究了苯基硅氧烷用量对有机硅改性环氧树脂性能的影响。结果表明,有机硅改性环氧树脂固化物的冲击强度和耐原子氧剥蚀性能有明显提高;当改性剂苯基硅氧烷质量分数为30%时,有机硅改性环氧树脂的冲击强度由6.7k J/m~2提高到33.4 k J/m~2,原子氧辐照后质量损失降低为纯环氧树脂的20%。(本文来源于《有机硅材料》期刊2018年S1期）
陈意桥,陈超[5]（2017）在《原子层刻蚀及原子层沉积技术在半导体器件表面钝化中的应用》一文中研究指出近年来原子层刻蚀(atomic layer etching,ALE)及原子层沉积(atomic layer deposition,ALD)技术的发展,使得半导体材料和器件的新功能和新应用成为可能。本文报告了利用ALE/ALD和高真空技术的结合对二类超晶格红外探测器进行表面钝化的尝试,在ALE逐层清理过的器件表面用ALD方法原位沉积钝化层,获得了优异钝化效果。(本文来源于《粤港澳大湾区真空科技与宽禁带半导体应用高峰论坛暨2017年广东省真空学会学术年会论文集》期刊2017-12-28）
麻晓琴[6]（2017）在《氯氩感应耦合等离子体脉冲调制射频偏压对原子层刻蚀影响的研究》一文中研究指出微电子制造中特征尺寸(Critical Dimensions,CD)的不断减小对工艺提出了更严格的要求,要实现对刻蚀槽形貌演化的更精确的控制,甚至达到原子层级别的精度。等离子体刻蚀(Plasma Etching)相比于传统的湿法刻蚀有着其显着的优点,如:高各向异性,高选择性,高刻蚀速率等。等离子体原子层刻蚀(Plasma Atomic Layer Etching,PALE)有原子尺寸的分辨率,能够实现对材料的单层刻蚀。在刻蚀过程中,入射到基片上的离子能量和角度分布(Ion Energy and Angular Distributions,IEADs)对于刻蚀槽形貌的演化起着关键的作用,所以在工艺中灵活地控制IEADs是非常重要的。特定的偏压波形(Tailored Bias Waveforms)是调节离子能量和角度分布的一种有效的方式,进而实现对刻蚀槽形貌的改善。本文采用耦合反应腔室模型(Reactor Model)、鞘层模型(Sheath Model)和刻蚀槽剖面演化模型(Etch Model)的多尺度模型来研究不同的放电参数和偏压波形对氯氩感应耦合等离子体中硅的原子层刻蚀的影响。本文采用商业软件CFD-ACE+模拟感应耦合等离子(Inductively Coupled Plasma,ICP)腔室放电过程,得出了不同放电气压、不同放电功率条件下腔室中离子和中性粒子的密度分布情况。本文使用的鞘层模型是耦合了流体模型(Fluid Model)和蒙特卡洛模型(Monte Carlo Model)的混合鞘层模型,将CFD-ACE+给出的离子及中性粒子密度作为边界条件,其中流体模型给出了随时空变化的物理量,如极板电势和鞘层厚度等,蒙特卡洛模型考虑离子和中性粒子之间的碰撞过程,计算出到达极板处的离子能量分布(Ion Energy Distributions,IEDs)和离子角度分布(Ion Angle Distributions,IADs)。最后,刻蚀槽模型将CFD-ACE+给出的离子和中性粒子通量以及鞘层模型给出的极板处离子能量和角度分布(IEADs)作为边界条件,模拟给出不同条件下刻蚀槽的剖面演化情况。本文第叁章讨论了射频偏压条件下,不同的脉冲等离子源参数对腔室离子密度和极板处离子能量角度分布的影响。结果显示,不同的放电参数、源脉冲占空比及源脉冲频率能够影响腔室离子密度和极板离子能量角度的分布情况。本文第四章研究了射频等离子体源条件下,不同放电参数对腔室各离子密度和极板处IEADs的影响,以及不同的偏压波形对IEADs的影响。结果表明,不同的放电参数对腔室各离子密度和极板处的IEADs有明显的影响,而且,在极板电极施加特定的偏压波形能够灵活地控制轰击到极板上的离子能量分布,以便得到更加均匀的IEDs。本文第五章讨论了不同的放电参数及不同的偏压波形对刻蚀槽剖面演化的影响。结果表明,特定的偏压波形能够有效地改善刻蚀槽的形貌,得到较理想的刻蚀剖面。(本文来源于《大连理工大学》期刊2017-05-01）
陈建美[7]（2017）在《基于原子力探针刻蚀技术聚合物表面图案化及应用》一文中研究指出纳米加工技术的进步是纳米科学发展的重要驱动力。越来越多的功能纳米材料,如等离子激元材料、有机-无机半导体、二维的石墨烯和硫化钼等,在纳米电子器件、光电子器件和生物医学等方面都展现出了巨大的应用前景。这些纳米材料的应用取决于纳米加工技术在纳米尺度上构筑具有独特光、电特性的纳米结构。随着高灵敏度、超快响应以及高度集成化器件的发展,对纳米结构尺寸和精度的要求也越来越高,对纳米加工技术提出了越来越大的挑战。传统表面图案化技术在加工结构的分辨率和成本等方面上存在诸多的局限性,限制了他们在纳米结构表面图案化中的应用,并催生新一代扫描探针加工技术的发展。作为新型的一种表面图案化加工技术,扫描探针加工技术利用微小的探针对材料进行加工,具有分辨率高、成本低、能进行即时在位成像、对材料的适用性好以及不需要掩模板等优点,是实现微纳尺度表面图案化的一类重要的技术手段。本文致力于原子力探针机械刻蚀技术对聚合物刻蚀剂材料体系的表面微纳结构制备和应用研究,主要的研究内容包括以下几个方面:1)通过优化加工参数,将探针机械刻蚀发展成为一种高精度、高效、可靠的表面纳米结构加工技术。以高分子聚合物膜聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为抗蚀剂,探讨了原子力针尖机械刻蚀技术中针尖形貌、悬臂梁作用力、探针运行速度、薄膜退火和聚合物分子量等工艺参数对PMMA薄膜图案化加工结果的影响。通过技术优化,成功在多种基底上面(如导电基底、绝缘基底和柔性基底)制备了高品质的聚合物图案。在此基础上,借助PMMA抗蚀剂,我们利用原子力机械刻蚀技术成功制备了纳米尺度的有机发光器件。2)利用探针刻蚀技术制备了一维的聚合物模板,同时结合理论模拟,研究胶体纳米粒子在凹槽结构中的组装行为。以此工作得到启示,利用电子束刻蚀方法制备相同的一维聚合物模板结构,对比分析粒子在两种结构中组装行为的不同,探究并揭示了沟道空间电势对一维胶体粒子结构可控组装的调控机理。最终发现空间电势调控作用的存在,使得小尺寸纳米粒子尤其是小于20纳米的胶体粒子可以在尺寸远大于它的模板中实现一维结构的组装,这大大的降低了对模板的尺寸要求,从而降低了对模板加工技术的要求,降低了制备成本。3)运用原子力针尖机械刻蚀技术,在PMMA的辅助下,发展了一种构筑多元化等离子结构的方法。在PMMA膜的作用下,我们利用原子力针尖刻蚀技术不仅可以直接实现纳米粒子的结构化,并且通过精确控制刻蚀过程中载荷力的大小,选择性刻蚀PMMA薄膜,实现尺寸大小不一的多元化等离子纳米结构的制备。通过这样简单有效的制备方法得到的多元化等离子结构表现出了多元化的拉曼增强响应信号,同时在有机发光器件中表现出了多元化的器件增强效果。(本文来源于《苏州大学》期刊2017-03-01）
[8]（2016）在《泛林集团推出电介质原子层刻蚀工艺支持先进逻辑器件制造》一文中研究指出最新Flex系统提供业界首创的电介质原子层刻蚀(ALE)生产工艺并已应用于量产。半导体设备制造商泛林集团公司推出了基于Flex电介质刻蚀系统的原子层刻蚀(ALE)技术,从而进一步扩大了其旗下的ALE产品家族。得益于泛林集团先进的混合模式脉冲(AMMP)技术,新型ALE工艺可在原子层面进行控制,以应对逻辑器件尺寸缩小至10nm及以下技术节点所面临的关键挑战。最新的Flex系统在业界率先使用等离子体增强的ALE技术进行电介质膜刻蚀,并已被用作逻辑器件大批量生产的标配设备。(本文来源于《半导体信息》期刊2016年05期）
[9]（2015）在《应用材料公司推出全新刻蚀系统实现原子级生产精度》一文中研究指出全新的CentrisTM Sym3TM刻蚀系统采用创新腔室架构,可使材料清除达到原子级精度该系统已成功安装于多家客户的主要生产线中,成为公司历史上应用率上升最快的蚀刻设备应用材料公司日前宣布推出下一代刻蚀设备Applied CentrisTM Sym3TM刻蚀系统。该系统设有全新的反应腔,可实现原子级精度工艺。为了克服芯片内部特征差异,Centris Sym3系统超越了现有的蚀刻技术,大幅改善了蚀刻的可控性和精准度,提(本文来源于《电子工业专用设备》期刊2015年07期）
李源,杨李茗,李莉,李晓蕾,巨新[10]（2014）在《HF酸刻蚀过程中熔石英亚表面划痕形貌的原子力显微原位跟踪检测》一文中研究指出熔石英元件广泛应用于各类激光装置,其紫外波段抗激光损伤的能力是提高大型激光器输出功率的关键因素。本征损伤和缺陷损伤致使熔石英元件抗激光损伤能力降低。缺陷损伤主要由表面加工产生的破碎性缺陷和污染性缺陷引起的光子吸收所导致。而破碎性缺陷的主要表现形式是划痕。目前的加工水平下,仅凭加工仍无法完全去除这类缺陷,特别是亚表面缺陷的控制更加隐性和困难。目前较为有效地处理方法是采用HF酸加兆声辅助的方法让亚表面缺陷爆出并刻蚀钝化至平滑状态。本文针对熔石英元件的亚表面划痕,利用原子力显微镜,采用原位跟踪检测的方法,检测熔其在HF酸刻蚀(静态和兆声辅助)过程中形貌的变(本文来源于《第十五届全国光学测试学术交流会论文摘要集》期刊2014-10-26）
原子刻蚀论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
近年来原子层刻蚀(Atomic Layer Etching,ALE)及原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD)技术的发展,使得半导体材料和器件的新功能和新应用成为可能。本文报告了利用ALE/ALD和高真空技术的结合对二类超晶格红外探测器进行表面钝化的尝试,在ALE逐层清理过的器件表面用ALD方法原位沉积钝化层,获得了优异的钝化效果。ALD技术是一种在衬底表面以单原子层为单位逐层生长薄膜的技术,这种技术与化学气相沉积(CVD)有相似之处,即将多种不同的化学前驱体源以气态通入反应腔,在一定的温度下发生化学反应,生成所需的薄膜材料。但其生长过程于CVD有明显区别,如图1所示,ALD生长过程是将参与反应的前驱体源交替通入反应腔,使其分别在基底表面发生自限制的化学反应,每通入一次前驱体源仅能在基底表面生长一层目标薄膜材料的原子。ALD技术的这种独特的生长机理,使其可以在大面积、复杂形貌的基底表面上生长出均匀、致密、无针孔、高随形性的薄膜,可以在原子层尺度上精确控制所需薄膜的厚度,并拥有较高的工艺稳定性和可重复性。基于这些特殊的优势,ALD技术迅速被工业界采用并成为了生长半导体材料钝化层、栅介质层和铜扩散阻挡层的主流工艺。ALE技术是将传统的连续刻蚀工艺结合ALD自限制逐层反应机理而形成的一种新兴的刻蚀技术。如图2所示,与ALD类似,ALE也是分步进行的,即先通入反应物与薄膜表面原子反应,弱化表面单层原子与薄膜之间的连接键,然后通入等离子体使表面的改性分子脱附,露出薄膜材料的下一层原子,两步循环进行,每个周期剥离表面的一层原子。ALE的反应机理具备ALD工艺的自限制性,即表面反应一旦饱和,反应将不会继续进行,这使其具有很多类似于ALD的优点,其刻蚀精度、平整度、随形性、工艺稳定性和可重复性远胜于连续刻蚀,并且ALE刻蚀之后的材料表面依然平整完好。除了能够提供精准刻蚀的光滑表面之外,ALE还有一项重要优势:若采用各向同性的改性和脱附步骤,ALE方法能够实现各向同性刻蚀,可对复杂形貌的材料表面执行均匀、一致的刻蚀。二类超晶格红外探测器材料是由InAs、GaSb等多种材料的纳米级薄层周期性堆迭而成的,在制作探测器器件时,需要将生长好的超晶格外延片刻蚀成分立的台面,此时台面的侧壁成为了裸露在环境中的新的表面。二类超晶格材料由于有效禁带宽度很小(小于0.3 eV,有的甚至小于0.03 ev),在台面侧壁的表面由于界面的存在能带将会弯曲,弯曲的能带很容易在窄禁带材料表面产生载流子的势阱,进而形成表面导电层;同时,InAs、GaSb两种材料都容易被氧化,再加上台面刻蚀过程中形成的半金属As和和金属Sb残留于台面侧壁,这些因素都使侧壁表面粗糙,引入表面态,增加表面非辐射复合并增加侧壁漏电。由于二类超晶格红外探测器件的探测性能显着受制于器件台面侧壁的漏电,所以该类器件表面钝化的关键在于增加台面侧向电阻率。高真空下的ALE可有效去除二类超晶格器件台面侧壁的刻蚀杂质及氧化产物,降低侧壁粗糙度、减少表面态,从而降低台面侧壁漏电。ALE完成器件表面的刻蚀之后,原位采用ALD技术沉积钝化层,即可得到高质量的钝化界面,而且ALE/ALD工艺过程采用的温度均低于300℃,不会对超品格材料造成损伤。本报告中的结果显示,对于截止波长为12.3微米的分立器件,采用ALE/ALD钝化工艺后,各样品的周长面积比P/A与R_0A值的拟合得到的器件台面侧向电阻率Psurface由未钝化时的10.5 kΩ·cm提高到了137 kΩ·cm,提高了一个数量级以上(如图3所示)。此结果表明高真空ALE/ALD钝化工艺可能成为提高超晶格红外探测器焦平面阵列性能的最有效的手段之一。本文结果显示初步的ALE/ALD结合的表面钝化技术已经能够大幅提高二类超晶格器件性能,我们有理由期待经过优化的ALE/ALD钝化工艺将有可能彻底解决类似器件的表面钝化需求;同时,由于ALE/ALD的随形性、自限制性和大面积均匀性,使得该项技术易于实现大尺寸产业化。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
原子刻蚀论文参考文献
[1].卢红亮,马宏平,袁光杰,张卫.原子层刻蚀技术研究进展[J].微纳电子与智能制造.2019
[2].陈意桥,陈超,张国祯.原子层刻蚀及原子层沉积技术在半导体器件表面钝化中的应用[C].粤港澳大湾区真空科技创新发展论坛暨2018年广东省真空学会学术年会论文集.2018
[3].杨雪.CF_4/Ar感性耦合等离子体增强准原子层刻蚀SiO_2多尺度研究[D].大连理工大学.2018
[4].程旭阳,张涛,史成东.耐原子氧刻蚀有机硅改性环氧树脂的开发[J].有机硅材料.2018
[5].陈意桥,陈超.原子层刻蚀及原子层沉积技术在半导体器件表面钝化中的应用[C].粤港澳大湾区真空科技与宽禁带半导体应用高峰论坛暨2017年广东省真空学会学术年会论文集.2017
[6].麻晓琴.氯氩感应耦合等离子体脉冲调制射频偏压对原子层刻蚀影响的研究[D].大连理工大学.2017
[7].陈建美.基于原子力探针刻蚀技术聚合物表面图案化及应用[D].苏州大学.2017
[8]..泛林集团推出电介质原子层刻蚀工艺支持先进逻辑器件制造[J].半导体信息.2016
[9]..应用材料公司推出全新刻蚀系统实现原子级生产精度[J].电子工业专用设备.2015
[10].李源,杨李茗,李莉,李晓蕾,巨新.HF酸刻蚀过程中熔石英亚表面划痕形貌的原子力显微原位跟踪检测[C].第十五届全国光学测试学术交流会论文摘要集.2014
论文知识图
