导读:本文包含了陶瓷电容器论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:电容器,陶瓷,电极,性能,机理,多层,高压。
陶瓷电容器论文文献综述
随辰[1]（2019）在《超高压电容器用电子陶瓷材料系列化的研究》一文中研究指出钛酸钡(BaTiO_3)陶瓷存在介电常数大、居里温度高(Tc=120℃)的特点,我们通过对其进行掺杂改性,研究了添加剂对材料性能的影响,制备得到介电常数为900、1500、1800、2300、5000、5500、6000、9000、15000、20000的无铅环保电子陶瓷材料,且具有损耗小、耐压高、绝缘电阻大、温度特性好的优点,从而实现超高压瓷料的系列化,并已满足工业化生产,年产量150吨,年产值达到1000多万元人民币左右。(本文来源于《广东化工》期刊2019年17期）
黄雪琛,陈文文,陈亚西,林文昌,佘培婷[2]（2019）在《中温烧结X9R型陶瓷电容器介质材料的研究》一文中研究指出用溶胶-凝胶法制备Li-Ba-B-Si(LBBS)助烧剂粉体,通过固相法制备LBBS助烧剂添加BaTiO_3-Na_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3-Nb_2O_5(BT-NBT-Nb)介质陶瓷,研究LBBS助烧剂含量对BT-NBT-Nb陶瓷的烧结性能、相结构、微观结构及介温温度稳定性的影响。随着LBBS助烧剂含量的增加,介质陶瓷的烧结温度逐渐降低,平均晶粒尺寸先增大后减小,所有的样品的介温曲线都出现了双峰结构,室温介电常数先增加后减小,介电损耗逐渐减小。结果表明,添加剂含量为1.0 wt%～1.5 wt%的陶瓷样品能满足X9R特性(在-55～200℃范围内ΔC/C_(25℃)≤±15%)。当LBBS助烧剂添加量为1.0 wt%时,介质陶瓷性能最佳,室温介电常数为1266,介电损耗为0.018,烧结温度为1100℃,有望用于多层陶瓷电容器的介质陶瓷。(本文来源于《中国陶瓷》期刊2019年09期）
王德诚[3]（2019）在《东洋纺增设陶瓷电容器用离型薄膜加工设备》一文中研究指出日本东洋纺公司,正在敦贺事业所建设陶瓷电容器用离型薄膜的涂层加工设备,预定2019年夏天1号机投产。最近,为了应对车载用陶瓷电容器需求的急增,以2021年春为目标增设2号机,寻求生产体制的强化。陶瓷电容器作为一边调整电流一边暂时积蓄电气的通用电子部件,搭载于各种电子回路。由于智能手机的高功能化和IoT及AI的普及·进展,市场扩大,2017年度约7 000亿日元的市场规模,预测2023年度将达到1兆4 000亿日元。(本文来源于《聚酯工业》期刊2019年04期）
卫昱星[4]（2019）在《钛酸锶钡/氧化锆陶瓷电容器的制备及其电性能研究》一文中研究指出电介质陶瓷电容器具有充放电速度快、功率密度高、安全可靠和抗循环老化能力强的特点,但是储能密度低、储能效率低限制着其应用性。本论文采用溶胶-凝胶法和草酸盐沉淀法制备了不同比例的钛酸锶钡(BST)/氧化锆(ZrO_2)复合粉体及陶瓷,n(BST)/n(ZrO_2)比分别为4/1、8/1、12/1、16/1、20/1和24/1,研究了BST粉体不同球磨时间对BST/ZrO_2陶瓷物相、形貌和介电性能的影响,对比研究了两步烧结法、传统烧结法和埋粉烧结法对不同组分BST/ZrO_2陶瓷的物相、形貌、介电和储能特性的影响。主要工作如下:首先,采用溶胶-凝胶法制备了钙钛矿相的BST粉体并利用球磨工艺进一步细化了BST粉体,研究了聚乙二醇400含量对BST颗粒在溶液中分散性的影响,确定了1.2wt%为最佳用量;采用草酸盐沉淀法制备了四方相的氧化锆粉体,采用改进的草酸盐沉淀法制备了不同n(BST)/n(ZrO_2)的BST/ZrO_2复合粉体,物相分析和EDS mapping分析结果表明复合粉体形成了BST@ZrO_2包覆结构。其次,研究了BST粉体不同的球磨时间对BST/ZrO_2(摩尔比4:1)陶瓷结构和介电性能的影响规律。结果表明,BST粉体球磨2h时,粒径大小及均匀度相对较好,此时BST/ZrO_2陶瓷的相对介电常数较高,室温下为1150,在-60℃—140℃范围内介电常数温度稳定性较好,容温变化率为-14%~10%,介电损耗较低,室温下为0.04。再次,系统研究了两步烧结、传统烧结和埋粉烧结叁种方法制备的不同组分BST/ZrO_2陶瓷物相、显微结构和电性能的变化规律,优化了烧结工艺和陶瓷性能。结果表明采用两步法制备陶瓷,获得n(BST)/n(ZrO_2)为24/1的复合陶瓷较为致密,介电常数为812,介电损耗为0.01,可释放的能量密度为150×10~(-3)J/cm~3,储能效率为85%。利用传统烧结法烧结陶瓷,当烧结温度为1325℃时,陶瓷的介电常数最大,介电损耗较小,其中,n(BST)/n(ZrO_2)为12/1的复合陶瓷室温下介电常数为634,介电损耗为0.020,储能特性较好,可释放的能量密度为113×10~(-3)J/cm~3,储能效率为70%。采用埋粉烧结法制备陶瓷,n(BST)/n(ZrO_2)为12/1的复合陶瓷介电性能较好,室温介电常数为730,介电损耗仅为0.0004,可释放的能量密度为25.8×10~(-3)J/cm~3,储能效率为83%。叁种烧结方法研究结果均表明,少量复合ZrO_2可以有效提高BST陶瓷的储能密度和储能效率。(本文来源于《西北大学》期刊2019-06-01）
贺凡[5]（2019）在《SrTiO_3晶界层陶瓷电容器直流偏压下性能退化及晶界层结构研究》一文中研究指出钛酸锶晶界层陶瓷电容器介电常数高,高频特性好、耐压高,具有优良的电容特性和微波特性,广泛应用于微波通讯线路、振荡电路、定时或延时电路、耦合电路、平衡滤波电路、抑制高频噪声电路、射频旁路以及微波集成电路中,适合微组装的键合工艺,在很多应用中是难以替代的。但该产品目前存在某些服役可靠性问题,长期工作下会产生对可靠性不利的电性能劣化。因此研究其老化试验下的性能变化特征,对提高其可靠性具有重要的意义。本论文采用两步烧结法制备SrTiO_3晶界层陶瓷电容器,比较了SrTiO_3半导陶瓷基片与SrTiO_3晶界层陶瓷基片的性能差异。SrTiO_3半导陶瓷基片涂覆氧化铋于空气中氧化后密度提高,电阻率提升超过8个数量级,频率-电容特性变得稳定。Bi仅存在于晶界区域。论文研究了直流偏压电场对SrTiO_3晶界层陶瓷电容器电性能的退化影响。随着在直流偏压下老化时间的延长,电阻率呈现持续降低的趋势,并且电阻率退化行为存在着方向性。测量电场方向与老化电场方向一致(正测)时测得电阻率降低幅度小于测量电场方向与老化电场方向相反(反测)所测电阻率降低幅度。即顺老化电场方向的电阻率退化程度低于逆电场方向的电阻率退化程度。扫描微波阻抗显微镜测试直接观察到了老化后样品晶界两侧的载流子浓度差异。直流老化时接正极一侧的晶界处载流子浓度相对接负极一侧的浓度高,晶界两侧载流子浓度的差异造成晶界两侧势垒不对称,导致了老化后正测电阻率与反测电阻率的差异。论文采用透射电子显微镜及电子能量损失谱观察分析了SrTiO_3半导陶瓷基片及晶界渗Bi氧化后晶界层陶瓷基片的晶界区域微结构。SrTiO_3陶瓷基片具有多种形态的晶界,晶界宽度从几纳米到数百纳米不等。Bi元素在不同晶界的分布存在差异性。有的晶界区域仅晶界中心区存在Bi;有的晶界区域除了晶界中心区存在高浓度的Bi,晶界两侧的晶粒内还存在一定宽度的Bi扩散区。Bi扩散区内还存在Sr空位区,Sr空位区范围小于Bi扩散区。晶界区的几何形式、杂质元素及空位缺陷的分布情况与晶界势垒的形成及分布有直接关系,晶界层电容器的性能及老化性能都与之有关。(本文来源于《华南理工大学》期刊2019-05-31）
[6]（2019）在《问:3种常见的陶瓷电容器及其特点有哪些?》一文中研究指出答:陶瓷电容器是以陶瓷材料为介质的电容器总称,品种繁多,外形尺寸相差甚大。按使用电压可分为高压、中压、低压3种陶瓷电容器。按温度系数、介电常数不同又可分为负温度系数、正温度系数、零温度系数、高介电常数、低介电常数5种陶瓷电容器。一般陶瓷电(本文来源于《陶瓷》期刊2019年05期）
蒋悦清,毛喜平,秦英德,卫冬娟,袁平[7]（2019）在《银钯内电极浆料对片式多层陶瓷电容器性能的影响》一文中研究指出分别制备了叁种不同烧结收缩特性,以及两种由不同粒径无机添加剂组成的电极浆料。研究了电极浆料与介质烧结收缩匹配性、电极厚度、无机添加剂粒径对多层陶瓷电容器(MLCC)性能的影响。结果显示电极浆料与介质的烧结收缩越接近,产品无损检测缺陷越少。电极越厚产品耐焊后越容易出现瓷体裂纹;而电极越薄电压处理后越容易出现电容量精度偏差超标。无机添加剂粒径过大会造成产品电容量变小。(本文来源于《科学技术与工程》期刊2019年01期）
赵冰清,解伟,李文涛,顾岳峰,冯体艳[8]（2018）在《片式多层陶瓷电容器失效分析》一文中研究指出本文通过对片式多层陶瓷电容器失效原因进行模拟、验证,总结出片式多层陶瓷电容器的各种失效机理,并将其失效机理应用于过程排查,从而锁定产生不良的最终原因,进而消除隐患,使电容器正常运行。(本文来源于《河南科技》期刊2018年35期）
丁卫东,申赛康,闫家启,段玮,王鹏程[9]（2019）在《高压陶瓷电容器在重复频率脉冲下的性能测试及改善》一文中研究指出为研究高压陶瓷电容器在重复频率充放电过程中的性能变化情况,搭建了一台基于两级磁压缩和脉冲变压器的重复频率高压脉冲电源,并在25 Hz的频率下对高压陶瓷电容器的性能进行测试。主要研究了电容器寿命随脉冲电场强度的变化情况,电容器的失效模式,以及改善电容器性能的措施。结果表明:高压陶瓷电容器的寿命随电场强度的增加而下降;电容器在重复频率下的失效模式有陶瓷介质的内部击穿、陶瓷-环氧界面击穿和铜电极端子的脱落叁类。因此,可通过增加环氧包封韧性来缓冲陶瓷-环氧界面的电-热应力,改善铜电极端子结构来减低接触面的烧蚀,从而改善高压陶瓷电容器在重频下的性能。(本文来源于《高电压技术》期刊2019年12期）
辛凤,张效华,陈义川,曾仁芬,帅伟强[10]（2018）在《BaTiO_3基Y5V型多层陶瓷电容器的介电与储能特性分析》一文中研究指出多层陶瓷电容器(MLCC)是电子信息技术的基础元件,在电子工业中被广泛应用。其中Ba Ti O_3基Y5V型MLCC拥有高的介电性能,好的温度稳定特性,市场需求较大,备受关注。本文以其为研究对象,分析单层厚度超薄的Y5V型Ba Ti O_3基MLCC的介电特性与储能特性,借助于介电频谱和温谱分析其介电极化对外场的响应特点。研究结果表明:Y5V型MLCC的介电常数被直流偏压所抑制,谐振频率随偏压的增加向高频方向移动,其静电储能密度达到了1.76 J/cm~3,储能效率随外电场的增加逐渐降低。(本文来源于《陶瓷学报》期刊2018年03期）
陶瓷电容器论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
用溶胶-凝胶法制备Li-Ba-B-Si(LBBS)助烧剂粉体,通过固相法制备LBBS助烧剂添加BaTiO_3-Na_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3-Nb_2O_5(BT-NBT-Nb)介质陶瓷,研究LBBS助烧剂含量对BT-NBT-Nb陶瓷的烧结性能、相结构、微观结构及介温温度稳定性的影响。随着LBBS助烧剂含量的增加,介质陶瓷的烧结温度逐渐降低,平均晶粒尺寸先增大后减小,所有的样品的介温曲线都出现了双峰结构,室温介电常数先增加后减小,介电损耗逐渐减小。结果表明,添加剂含量为1.0 wt%～1.5 wt%的陶瓷样品能满足X9R特性(在-55～200℃范围内ΔC/C_(25℃)≤±15%)。当LBBS助烧剂添加量为1.0 wt%时,介质陶瓷性能最佳,室温介电常数为1266,介电损耗为0.018,烧结温度为1100℃,有望用于多层陶瓷电容器的介质陶瓷。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
陶瓷电容器论文参考文献
[1].随辰.超高压电容器用电子陶瓷材料系列化的研究[J].广东化工.2019
[2].黄雪琛,陈文文,陈亚西,林文昌,佘培婷.中温烧结X9R型陶瓷电容器介质材料的研究[J].中国陶瓷.2019
[3].王德诚.东洋纺增设陶瓷电容器用离型薄膜加工设备[J].聚酯工业.2019
[4].卫昱星.钛酸锶钡/氧化锆陶瓷电容器的制备及其电性能研究[D].西北大学.2019
[5].贺凡.SrTiO_3晶界层陶瓷电容器直流偏压下性能退化及晶界层结构研究[D].华南理工大学.2019
[6]..问:3种常见的陶瓷电容器及其特点有哪些?[J].陶瓷.2019
[7].蒋悦清,毛喜平,秦英德,卫冬娟,袁平.银钯内电极浆料对片式多层陶瓷电容器性能的影响[J].科学技术与工程.2019
[8].赵冰清,解伟,李文涛,顾岳峰,冯体艳.片式多层陶瓷电容器失效分析[J].河南科技.2018
[9].丁卫东,申赛康,闫家启,段玮,王鹏程.高压陶瓷电容器在重复频率脉冲下的性能测试及改善[J].高电压技术.2019
[10].辛凤,张效华,陈义川,曾仁芬,帅伟强.BaTiO_3基Y5V型多层陶瓷电容器的介电与储能特性分析[J].陶瓷学报.2018
论文知识图
