化学气相沉积法制备吸波型SiCN陶瓷的研究进展

化学气相沉积法制备吸波型SiCN陶瓷的研究进展

论文摘要

化学气相沉积法(chemical vapor deposition,CVD)是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术,具有制备温度低、所得材料均匀致密、可实现近尺寸成型等优点,是制备功能材料的常用方法之一。本文综述了几种常见的CVD方法,如常压化学气相沉积(atmospheric pressure chemical vapor deposition,APCVD)、低压化学气相沉积(low pressurechemicalvapordeposition, LPCVD)、等离子体增强化学气相沉积(plasmaenhancedchemicalvapor deposition,PECVD)以及激光辅助化学气相沉积(laser assisted chemical vapor deposition,LACVD);重点阐述了采用LPCVD在较低温度下制备SiCN陶瓷吸波剂的工艺参数,提出了LPCVD是制备新型吸波陶瓷的主要方法。

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文章来源

类型: 期刊论文

作者: 穆阳阳,涂建勇,薛继梅,叶昉,成来飞

关键词: 陶瓷,吸波剂,吸波性能

来源: 航空材料学报 2019年03期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅱ辑,工程科技Ⅰ辑

专业: 材料科学

单位: 西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室

基金: 国家杰出青年科学基金(51725205)

分类号: TB34

页码: 1-9

总页数: 9

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