导读:本文包含了硅晶片论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:研磨机,驱动机构,多电机,单电机
硅晶片论文文献综述
谢鸿波,黄晋强,刘军,赖韶辉[1]（2019）在《硅晶片双面研磨机的单电机驱动机构设计》一文中研究指出文章介绍了硅晶片双面研磨机及其工艺,指出研磨机构采用多电机驱动的不足,设计了单电机驱动机构,以及相应的硬件和软件系统,通过分析试验,结果良好。(本文来源于《工程技术研究》期刊2019年15期）
侯保江,安亚青,水涌涛,孙向春[2]（2019）在《单晶硅晶片化学机械抛光基本特性研究》一文中研究指出实验中利用商业抛光机对单晶硅晶片进行化学机械抛光;实验结果显示:表面粗糙度随着抛光垫和抛光头的转速以及抛光载荷的增加而减小;抛光载荷是影响总厚度变化的主要因素,晶片的总厚度变化会随着抛光载荷的增加而相应地减少;材料去除率随着抛光垫转速,抛光头转速,以及抛光载荷的增加而增加,抛光载荷的变化对材料去除率的影响最明显。(本文来源于《兵器装备工程学报》期刊2019年06期）
李静坤,常耀辉,吕菲,刘娜[3]（2019）在《硅晶片激光标识工艺参数的研究》一文中研究指出介绍了应用于硅晶片激光标识的激光打标系统结构,并以光纤振镜式激光打标机为例,探索了不同打标工艺参数的选择对晶片激光标识效果的影响。采用单因素实验法分别研究了不同激光打标功率、打标速度和打标频率对硅片打标效果的影响,并分析了其影响其打标效果的原理。通过目检和金相显微镜对激光标识进行观察,确定了最佳的打标工艺,最终得到了优化的打标工艺即采用激光额定功率的45%,频率为25 kHz,打标速度为150 mm/s,可得到标识清楚、深浅一致、不损伤晶片特性的激光标识。(本文来源于《电子工业专用设备》期刊2019年03期）
原亚孟[4]（2019）在《基于深度学习的硅晶片瑕疵检测算法研究》一文中研究指出硅晶片是晶体管、太阳能电池和集成电路等产品的主要原料,对硅晶片进行快速准确的瑕疵检测具有重要的意义。基于机器视觉的瑕疵检测方法比传统的人工检测等方法检测精度高,成本低,因此逐步得到广泛的应用。特别是深度学习的发展,让目标(瑕疵)检测算法的精度和速度有了进一一步的提高。但是在硅晶片瑕疵检测过程中存在着瑕疵样本数据集较小、瑕疵样本数据不平衡、孔洞类微小瑕疵容易漏检等问题。本文针对上述问题进行了深入研究,主要研究内容包括:1、提出了基于生成式对抗网络的迁移预训练方法,解决瑕疵样本集较小的情况下检测模型容易过拟合的问题。首先使用生成式对抗网络对硅晶片数据集进行学习,利用生成模型制作一个预训练数据集。在预训练数据集上,对瑕疵检测网络进行迁移预训练,加快了网络的收敛并且提高了模型的检测效果。其次,采用数据增强的方法对瑕疵数据集进行扩增,并且对不同瑕疵样本数量进行平衡,使检测网络对于各种瑕疵都具有较好的检测效果,提高了网络的泛化能力。实验分析了生成式对抗网络和数据增强方法对瑕疵检测算法精度提高的效果。实验结果表明,本文方法得到的检测网络的mAPL比原始情况下提高了50%(0.44->0.66),特别是对于样本数较少的瑕疵类别的的检测精度,具有较明显的提升(孔洞AP由0.21提高到0.56)。2、构造了基于改进YOLO网络的小目标检测算法。改进网络首先采用构建特征金字塔模型的方法进行多尺度预测,从叁个不同尺度的特征图进行瑕疵目标的检测,提高对小目标的检测精度。其次使用残差网络对图像特征进行提取,加入SENet模块进行特征通道的标定。通过对卷积网络不同通道自适应地进行相关性标定,提高模型的检测效果,加速网络的收敛。经过实验验证,改进后的检测算法对瑕疵检测的mAP达到了0.94,在测试集上的检测准确率也达到了98.67%,而对于孔洞这样的微小瑕疵的AP达到0.91,相对于原网络提升了62%(由0.56提高到0.91)。(本文来源于《北方工业大学》期刊2019-05-20）
闫新宇[5]（2019）在《低相干光扫描干涉技术在硅晶片几何特征测量中的应用》一文中研究指出低相干光扫描干涉技术在表面形貌测量中有着广泛的应用。硅晶片在半导体制造行业中有着重要的作用,对硅晶片的几何特征测量越发重要,目前常见的表面形貌测量方法不能满足同时测量硅晶片前后表面,且不能测量出硅晶片的光学厚度。本文针对硅晶片几何特征的测量设计了一套扫描干涉测量系统。本文的主要工作如下:(1).本文分析与总结了各种表面形貌的测量方法,比较了它们的优缺点。对硅晶片几何特征量的测量理论基础进行了分析,从而选择适用于硅晶片几何特征测量的方法。(2).搭建了以迈克尔逊干涉为基础的近红外低相干光扫描干涉测量系统,针对掺杂硅晶片的特性,对系统装置进行了优化与改进。对光源、CCD相机、步进电机、光学元器件进行了分析与选择。对测量系统的组成:光学系统、驱动及控制系统、图像采集及数据处理系统进行了详细的介绍。(3).对多种表面叁维形貌重构算法进行了分析,最终在重心法的基础上加以改进和优化,使用了加权递归质心算法重构表面叁维形貌。测量了叁种掺杂浓度硅晶片的前后表面形貌,并进行了分析。(4).测量硅晶片光学厚度时,使用低相干扫描干涉方法测量,同时使用了SRI方法测量单点的光学厚度,两种结果做了对比,验证了本系统具有较高的精度。最后测量了掺杂硅晶片的折射率。(5).低相干扫描干涉系统在实际测量中可以被很好的应用,但是其依然有着限制测量精度的误差源,本测量系统中误差源包含系统内部、算法、环境等。对这些误差源进行了简单的分析。(本文来源于《合肥工业大学》期刊2019-04-01）
杨飚,原亚孟[6]（2019）在《基于嵌入式的硅晶片瑕疵检测》一文中研究指出针对目前硅晶片瑕疵具有大小差异较大,与背景相似性高,存在大量细小瑕疵,检测算法具有较高复杂度的特点,结合当前先进的目标检测技术与嵌入式技术,提出了基于嵌入式的硅晶片瑕疵检测方法。利用现在流行的YOLOv3算法,通过改进网络结构,并融合了数据扩增等方法训练目标检测网络,使得算法更适合于硅晶片的瑕疵检测任务,并采用模块化设计在Linux嵌入式系统下实现了图像采集、处理、存储与输出。实验表明,在较小的样本下,该方法实现了对硅晶片瑕疵的快速、准确的检测。(本文来源于《工业控制计算机》期刊2019年03期）
刘闯,武琳[7]（2019）在《某硅晶片洁净厂房的湿度控制方案》一文中研究指出散湿量相对较大,房间露点温度要求相对较低且湿度要求相对较严格的洁净房间,可以采用MAU+FFU+DCC+RDU(转轮除湿机组)的洁净空调方式,部分新风进行转轮除湿处理,以满足个别洁净房间的湿度要求。(本文来源于《洁净与空调技术》期刊2019年01期）
秦伟亮,常耀辉,戚红英,窦连水[8]（2018）在《硅晶片电阻率测量技术的研究》一文中研究指出分析了硅晶片电阻率测试的重要性并介绍了国内外常用的电阻率测试方法,并对使用最广泛的工艺检测手段-四探针技术的原理、测准条件及发展状况进行了详细的介绍。(本文来源于《电子工业专用设备》期刊2018年05期）
于颖[9]（2018）在《半导体硅晶片超精密加工研究》一文中研究指出"非常精密加工"作为一种极其精密的加工技术逐渐显现出来,这种加工方法结合了极其精确的硅片切割,磨削和磨削加工,分析了硅片超精密加工的研究现状,并探讨了硅片的发展趋势。预测硅晶片的加工和未来的研究工作。对超精密加工方法的研究为集成电路更高层次的集成打下了基础。(本文来源于《内燃机与配件》期刊2018年12期）
何立文[10]（2018）在《准分子激光微加工Al_2O_3陶瓷和硅晶片的实验研究》一文中研究指出准分子激光具有波长短、重复频率高、单脉冲能量大和能量分布均匀等特点,在高效微加工领域有着独特的优势,因此准分子激光微加工技术具有很大的实用价值。针对激光参数在准分子激光微加工过程中的作用,本文的研究能够提供有价值的参考。本文选用193nmArF准分子激光、248nmKrF准分子激光和308nmXeCl准分子激光叁种典型的准分子激光,对Al_2O_3陶瓷和硅晶片进行微孔加工。研究了不同波长情况下,激光能量、脉冲重复频率和脉冲数量对Al_2O_3陶瓷和硅晶片微孔加工的影响,归纳总结了准分子激光微加工Al_2O_3陶瓷和硅晶片的特性与规律。研究结果表明:不同波长准分子激光的脉冲重复频率对于Al_2O_3陶瓷和硅晶片的微孔加工结果没有影响;193nm、248nm和308nm准分子激光的能量密度分别超过3.0J/cm~2、9.2J/cm~2和2.8J/cm~2时,Al_2O_3陶瓷的微孔宽度不再明显增加;193nm、248nm和308nm准分子激光的能量密度分别为6.4J/cm~2、6.8 J/cm~2和2.8 J/cm~2时硅晶片微孔宽度随后不再发生改变;激光脉冲数量的影响规律是开始阶段随着脉冲数量的增加微孔宽度迅速变大,随后变化平缓,在达到某一值后,不再随脉冲数量的增加而变化。叁种波长的准分子激光与Al_2O_3陶瓷相互作用时都出现小的熔融斑和小麻点群的损伤样貌,表明叁种波长准分子激光与Al_2O_3陶瓷相互作用在实验过程均是以热效应机制为主。193nm准分子激光微加工硅晶片表面的热影响区小,周期性的条纹结构表明其加工机制主要以光化学作用为主。248nm和308nm准分子激光与硅的相互作用区域轮廓清晰说明热量传导范围很小,呈现“冷”加工的效果,辐照区域内部出现裂纹和熔融区,因而是光化学作用和光热作用共同作用的结果。最后,提出了本文实验过程中的优点和不足之处,分析下一步工作需要完善的环节,对今后的工作和实验做了展望。(本文来源于《合肥工业大学》期刊2018-03-01）
硅晶片论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
实验中利用商业抛光机对单晶硅晶片进行化学机械抛光;实验结果显示:表面粗糙度随着抛光垫和抛光头的转速以及抛光载荷的增加而减小;抛光载荷是影响总厚度变化的主要因素,晶片的总厚度变化会随着抛光载荷的增加而相应地减少;材料去除率随着抛光垫转速,抛光头转速,以及抛光载荷的增加而增加,抛光载荷的变化对材料去除率的影响最明显。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
硅晶片论文参考文献
[1].谢鸿波,黄晋强,刘军,赖韶辉.硅晶片双面研磨机的单电机驱动机构设计[J].工程技术研究.2019
[2].侯保江,安亚青,水涌涛,孙向春.单晶硅晶片化学机械抛光基本特性研究[J].兵器装备工程学报.2019
[3].李静坤,常耀辉,吕菲,刘娜.硅晶片激光标识工艺参数的研究[J].电子工业专用设备.2019
[4].原亚孟.基于深度学习的硅晶片瑕疵检测算法研究[D].北方工业大学.2019
[5].闫新宇.低相干光扫描干涉技术在硅晶片几何特征测量中的应用[D].合肥工业大学.2019
[6].杨飚,原亚孟.基于嵌入式的硅晶片瑕疵检测[J].工业控制计算机.2019
[7].刘闯,武琳.某硅晶片洁净厂房的湿度控制方案[J].洁净与空调技术.2019
[8].秦伟亮,常耀辉,戚红英,窦连水.硅晶片电阻率测量技术的研究[J].电子工业专用设备.2018
[9].于颖.半导体硅晶片超精密加工研究[J].内燃机与配件.2018
[10].何立文.准分子激光微加工Al_2O_3陶瓷和硅晶片的实验研究[D].合肥工业大学.2018