硅铬共掺杂尖晶石长余辉材料Zn1+xGa2–2xSixO4:Cr3+中近红外余辉的增强及陷阱分布分析

论文摘要

本论文基于硅铬共掺杂,合成得到了一种尖晶石长余辉材料Zn1+xGa2–2xSixO4:Cr3+。实验采用高温固相法,按照设计的化学计量比精确称量ZnO、Ga2O3、SiO2和Cr2O3等原料,制备了一系列硅铬共掺杂的镓酸锌尖晶石长余辉材料,其化学式为Zn1+xGa2–2xSixO4:Cr3+（x=0, 0.1, 0.15, 0.2, 0.5, 1）。实验结果表明:采用硅铬共掺杂方式后,引入合适浓度的硅离子可有效改善余辉性能。当x=0.2时,样品余辉强度最佳,相比ZnGa2O4:Cr3+增强了3倍,并且余辉持续时间长达24 h。进一步的陷阱分布分析表明,在ZnGa2O4基质基础上引入硅掺杂,可有效调控不同陷阱深度的分布。即在丰富的反位缺陷基础上,硅的共掺杂可增加不等价替换缺陷和填隙缺陷等,并可调控禁带宽度及缺陷形成,从而实现改善余辉性能的目的。

论文目录

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 王锴,严丽萍,邵康,张聪,潘再法

关键词: 长余辉,不等价掺杂,陷阱分布

来源: 无机材料学报 2019年09期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅰ辑

专业: 有机化工

单位: 浙江工业大学化学工程学院

基金: 国家自然科学基金(10804099,21804119),浙江省自然科学基金重点项目(LZ18B050002)~~

分类号: TQ422

页码: 983-990

总页数: 8

文件大小: 1675K

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标签：长余辉论文;  不等价掺杂论文;  陷阱分布论文;