导读:本文包含了静电损伤论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:静电,损伤,脊髓,纺丝,神经,器件,光刻。
静电损伤论文文献综述
余双奇,孔维健,潘肃[1]（2019）在《芬戈莫德静电纺丝膜(PLGA/FTY720)联合神经干细胞(NSC)促进脊髓损伤功能恢复》一文中研究指出目的脊髓损伤可以导致损伤水平以下严重的感觉和运动功能障碍。芬戈莫德(FTY720)可能在脊髓损伤修复中具有一定效果,但全身应用芬戈莫德会引起粒细胞减少等不良反应。为了减少全身应用芬戈莫德导致的不良反应,本实验对芬戈莫德对神经干细胞(NSC)增殖分化的影响和局部应用FTY720联合NSC治疗脊髓损伤的效果进行了探究。方法本研究通过静电纺丝技术制备了PLGA/FTY720静电纺丝膜,同时通过MTT和RT-PCR等方法探究了载药纺丝膜对神经干细胞增殖分化的影响。通过构建大鼠脊髓损伤全切模型,探究了PLGA/FTY720联合神经干细胞对脊髓损伤恢复的效果。结果实验结果表明,PLGA/FTY720静电纺丝膜能够促进神经干细胞的增殖与分化,同时PLGA/FTY720联合神经干细胞对治疗脊髓损伤具有更好的恢复效果。结论本研究表明,FTY720可以很好地与PLGA相结合,搭载神经干细胞的PLGA/FTY720静电纺丝膜作为一种生物支架在治疗脊髓损伤上有一定的应用前景。(本文来源于《中国实验诊断学》期刊2019年10期）
项永金,崔斌,王奎,陈明轩,戴银燕[2]（2018）在《POWER开关电源芯片应用静电损伤失效可靠性研究与提升》一文中研究指出商用多联机变频空调用控制器在实际应用一段时间后出现主板失效问题,数据统计分析及实际主板复核分析是开关电源电路中开关芯片失效,芯片损伤点集中在弱电控制脚受损失效,问题长期存在没有得到有效解决方案,本文从器件应用、开关电源电路静电放电设计、 PCB走线设计进行全面验证分析,最终确定是电路PCB走线设计存在缺陷,通过优化电路PCB走线设计有效解决问题。(本文来源于《电子产品世界》期刊2018年11期）
杨嗣帅[3]（2018）在《浅析微电子器件静电损伤的测试》一文中研究指出随着现代科学技术的发展,电子、通讯等高新技术产业也在迅速崛起,电子仪器和电子设备正在朝着小型化、智能化、多功能化方面发展,而微电子器件成为当下电子产品实现小型化、智能化、多功能的必要原件。这种微电子器件具有外部结构简单、集成度高、功率低的特点,这些特点导致了这种微电子器件对静电比较敏感。本文立足于微电子器件特征和静电放电特点,通过实验分析出静电放电对微电子器件的影响,并提出相应的防护措施。(本文来源于《现代信息科技》期刊2018年08期）
罗军超[4]（2018）在《负载CD80单克隆抗体微溶胶静电纺丝支架的构建及其促进大鼠半横断脊髓损伤修复的研究》一文中研究指出目的:通过微溶胶电纺技术将生物材料负载免疫分子,营造一个促进急性脊髓损伤(SCI)修复的局部微环境,该环境既能控制SCI继发炎症,同时又有桥连损伤神经的生物材料,协同促进SCI修复。方法:1.用微溶胶静电纺丝技术制备负载CD80mAb的左旋聚乳酸(PLLA)静电纺丝纤维支架后:(1)比较PLLA,PLLA-IgG,PLLA-CD80mAb叁组支架的理化性能及生物相容性:使用透射电镜(TEM)检测纤维支架的内部结构,使用扫描电子显微镜(SEM)检测纤维支架的形貌特征,使用力学拉伸测试纤维支架的应变力。(2)检测CD80mAb在PLLA支架的负载情况,以及释放效率。(3)CCK-8法比较PLLA,PLLA-IgG,PLLA-CD80mAb纤维支架浸出液对细胞增殖的影响,检测纤维的生物相容性。2.建立SD大鼠胸椎第9节段(T9)右侧脊髓半横断损伤模型:34只健康雄性6周龄SD大鼠G根据手术情况随机分为4组:1,假手术组(n=7);2,SCI组(n=10);3,PLLA移植组(n=7);4,PLLA-CD80mAb移植组(n=10)后:(1)在术后8周内统计大鼠死亡率,每周进行一次BBB评分评价神经功能恢复情况。(2)术后8周行组织学检查及免疫组化:抗胶质纤维酸性蛋白(anti-GFAP)、抗神经丝蛋白200(anti-NF-200)、抗诱导型一氧化氮合酶(anti-i NOS)、抗白介素1β(anti-IL-1β)、抗白介素6(anti-IL-6)等检查。结果:(1)PLLA,PLLA-IgG,PLLA-CD80mAb之间的形貌基本一致,直径变化不明显,透射电镜示负载抗体后有明显的核壳结构,力学拉伸实验证明负载抗体前后,不改变纤维支架的力学性能。(2)通过荧光染色技术,验证PLLA成功的负载CD80mAb,释放曲线表明PLLA-CD80mAb可以有效的缓慢释放CD80mAb。(3)CCK-8法显示PLLA,PLLA-IgG,PLLA-CD80mAb各组之间增殖无统计学差异,显示良好的生物相容性。(4)4只老鼠因不完全半横断而被淘汰(SCI组2,PLLA组1只,PLLA-CD80mAb组1只),最后留30只老鼠。左下肢术后PLLA-CD80mAb组第2和3周的评分明显高于SCI组,右下肢术后PLLA-CD80mAb组BBB评分略高于PLLA-IgG组,明显高于SCI组,PLLA-CD80mAb组的生存率高于PLLA-IgG组,远高于SCI组。(5)免疫组化显示:PLLA-CD80mAb组的GFAP表达要明显少于SCI组和PLLA-IgG组,而其NF-200表达则明显高于SCI组。PLLA-IgG组的NF-200表达要高于SCI组。同时SCI组的IL-1β,IL-6,i NOS的表达均明显高于PLLA-CD80mAb组,PLLA-IgG组的IL-1β,IL-6,i NOS的表达也高于PLLA-CD80mAb组。结论:通过微溶胶法实现静电纺丝纤维负载CD80mAb的方法,获得具有生物学活性的免疫调节功能支架,并可通过抑制炎症因子,调节脊髓损伤后的局部炎症环境,协同纤维支架的物理桥梁作用共同促进脊髓损伤的恢复。(本文来源于《苏州大学》期刊2018-05-01）
何胜宗,季启政,胡凛,王有亮,梁晓思[5]（2018）在《基于失效特征的静电损伤分析研究》一文中研究指出静电放电损伤失效分析是电子制造企业分析产品质量问题和提高产品质量可靠性的难点和关键技术之一。总结梳理生产制造过程中常见的静电源和释放通路,研究元器件静电放电损伤的敏感结构,研究静电放电损伤的失效机理及其典型形貌特征,探讨静电损伤(ESD)、过电损伤(EOS)和缺陷诱发失效的鉴别方法。最后将这些方法应用在具体的失效案例中,为企业开展静电放电失效分析工作提供一种有效的鉴别分析方法。(本文来源于《电子元件与材料》期刊2018年04期）
方玉胡[6]（2017）在《关于如何规避PCB测试点对半导体器件静电损伤的隐患》一文中研究指出本文主要对控制器在静电损伤故障中,关于设计方面,如何规避静电损伤问题,从PCB的特殊部位入手,通过设计上的改进,规避控制器因半导体器件的布局不合理,进而导致主板半导体失效的问题。从PCB设计着手,通过结合生产流程、安装流程、设备工装等影响因素,从实际出发,大幅减少控制器制造过程中的ESD和EOS问题。(本文来源于《电子产品世界》期刊2017年12期）
席善斌,裴选,刘玮,高兆丰,彭浩[7]（2017）在《多模计数器静电放电损伤的失效分析》一文中研究指出静电放电(ESD)损伤会降低半导体器件和集成电路的可靠性并导致其性能退化。针对一款国产2-32型多模计数器的失效现象,通过分析该计数器的电路结构,利用X射线成像、显微红外热成像、光束感生电阻变化以及钝化层、金属化层去除等技术对计数器进行了失效分析,将失效点准确定位至输出端口逻辑单元电路的2只晶体管上。分析结果表明,多模计数器的ESD损伤使输出端口驱动晶体管以及为负载晶体管提供栅偏置的前级电路晶体管同时受损,导致计数器端口高、低电平输出均失效而丧失计数功能。对相关的失效机理展开了讨论,同时提出了在电路研制和使用过程中的ESD防护措施。(本文来源于《半导体技术》期刊2017年10期）
赵智超,吴铁峰[8]（2017）在《CMOS器件受静电损伤的机理及保护》一文中研究指出延迟失效是CMOS器件静电损伤中90%的现象,大大地影响了机器使用过程中的准确程度,因此对CMOS器件采取防静电措施的实施是十分重要的。文章对CMOS器件的保护措施进行了说明,同时讲述了导致CMOS器件受静电损伤的原因,并找出多种抗静电的方法且让设计人员加以使用,以此防止CMOS器件损伤。(本文来源于《科技创业月刊》期刊2017年10期）
沈今楷,刘春玲,王星杰[9]（2017）在《一种降低光刻工艺中静电损伤的方法》一文中研究指出集成电路光刻工艺中,由于静电造成晶圆缺陷、电学失效或者低良率的情况时有发生。这是一种低成本的工艺方法(低功率等离子体轰击),释放积聚在晶圆表面的静电,主要研究了静电产生的机制、降低静电损伤的效果和内在机制。(本文来源于《集成电路应用》期刊2017年03期）
景易彪[10]（2016）在《静电纺丝PHBV/PLA+COL联合星形胶质细胞移植修复大鼠脊髓损伤的研究》一文中研究指出目的：研究静电纺丝PHBV/PLA+COL联合星形胶质细胞(AC)移植对脊髓损伤大鼠神经再生和功能恢复的作用。方法：扫描电镜及免疫荧光观察AC在静电纺丝PHBV/PLA+COL膜上的生长粘附情况,逆转录-聚合酶链反应(RT-PCR)检测AC在材料上生长7天,14天后BLBP, GLT-1,CSPG,S100-βmRNA的基因表达变化。建立大鼠左侧T10脊髓半横断模型：32只SD大鼠随机分成4组：G1对照组,仅横切；G2 AC移植组；G3PHBV/PLA+COL移植组；G4 PHBV/PLA+COL联合AC移植组。术后每周采用BBB评分评价大鼠后肢运动功能恢复情况。术后8周处死大鼠,行HE染色,神经丝蛋白-200(neuroflament-200,NF-200)和胶原纤维酸性蛋白(glial fibrillary acidic protein,GFAP)的免疫荧光染色。结果：扫描电镜及荧光显微镜可见星形胶质细胞在材料上生长粘附良好；q-PCR显示PHBV/PLA+COL使AC在7天及14天后BLBP、GLT-1、S100-β的表达量明显增高。术后8周,G4组BBB评分最高,G3组BBB评分高于G1,G2。HE染色显示,G4组脊髓仅少量较小的空洞,低于其余各组,且损伤边缘的正常脊髓实质较其余各组完整,G1组可见多个较大的空腔,远大于其余3组；GFAP及NF的免疫荧光染色显示,4组损伤边界均有不同程度的胶质疤痕形成,G1及G2组最严重,G3程度较前两者轻,G4组明显低于其余3组；G4组损伤边界有较多的NF-200阳性的神经纤维发出,G3组其次,而G1及G2组仅可见少量的神经纤维。结论：静电纺丝PHBV/PLA+COL支架具有良好生物相容性。植入载有AC的静电纺丝PHBV/PLA+COL支架可减轻脊髓半横断大鼠的损伤区域的炎症反应,减少脊髓空洞的形成及减轻损伤边界脊髓实质的二次伤害,减轻胶质疤痕的形成,促进神经元再生,从而促进后肢运动功能恢复。(本文来源于《浙江大学》期刊2016-04-01）
静电损伤论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
商用多联机变频空调用控制器在实际应用一段时间后出现主板失效问题,数据统计分析及实际主板复核分析是开关电源电路中开关芯片失效,芯片损伤点集中在弱电控制脚受损失效,问题长期存在没有得到有效解决方案,本文从器件应用、开关电源电路静电放电设计、 PCB走线设计进行全面验证分析,最终确定是电路PCB走线设计存在缺陷,通过优化电路PCB走线设计有效解决问题。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
静电损伤论文参考文献
[1].余双奇,孔维健,潘肃.芬戈莫德静电纺丝膜(PLGA/FTY720)联合神经干细胞(NSC)促进脊髓损伤功能恢复[J].中国实验诊断学.2019
[2].项永金,崔斌,王奎,陈明轩,戴银燕.POWER开关电源芯片应用静电损伤失效可靠性研究与提升[J].电子产品世界.2018
[3].杨嗣帅.浅析微电子器件静电损伤的测试[J].现代信息科技.2018
[4].罗军超.负载CD80单克隆抗体微溶胶静电纺丝支架的构建及其促进大鼠半横断脊髓损伤修复的研究[D].苏州大学.2018
[5].何胜宗,季启政,胡凛,王有亮,梁晓思.基于失效特征的静电损伤分析研究[J].电子元件与材料.2018
[6].方玉胡.关于如何规避PCB测试点对半导体器件静电损伤的隐患[J].电子产品世界.2017
[7].席善斌,裴选,刘玮,高兆丰,彭浩.多模计数器静电放电损伤的失效分析[J].半导体技术.2017
[8].赵智超,吴铁峰.CMOS器件受静电损伤的机理及保护[J].科技创业月刊.2017
[9].沈今楷,刘春玲,王星杰.一种降低光刻工艺中静电损伤的方法[J].集成电路应用.2017
[10].景易彪.静电纺丝PHBV/PLA+COL联合星形胶质细胞移植修复大鼠脊髓损伤的研究[D].浙江大学.2016
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