高压下Si4Ge4合金声子谱的演化

高压下Si4Ge4合金声子谱的演化

论文摘要

利用基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究Si4Ge4合金的声子谱随着压力变化的规律,探讨压力对Si4Ge4合金声子谱的作用机制.计算结果显示,外界压力对Si4Ge4合金的声子谱有非常明显的调制作用.随着外界压力的增加,Si4Ge4合金的声子谱表现出3个基本特征:声学支频率范围展宽,光学支频率蓝移,频率禁区变宽.

论文目录

  • 0 引言
  • 1 计算方法
  • 2 计算结果与分析
  • 3 结论
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 杨晓翠,马宏源,林宏宇

    关键词: 高压,合金,声子谱

    来源: 白城师范学院学报 2019年06期

    年度: 2019

    分类: 社会科学Ⅱ辑,工程科技Ⅰ辑

    专业: 金属学及金属工艺

    单位: 白城师范学院物理与电子信息学院

    基金: 吉林省教育厅“十三五”科学技术研究项目(吉教科合字[2016]第35号)

    分类号: TG131

    页码: 1-4

    总页数: 4

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