导读:本文包含了低驱动电压论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:调制器,电压,光学,器件,电光,波导,布里。
低驱动电压论文文献综述
王森,孙玉宝[1]（2016）在《低驱动电压和快速响应的共面转换液晶显示器》一文中研究指出共面转换液晶显示器(IPS-LCD)由于其优异的视角特性和色彩还原能力在TFT-LCD中得到了广泛应用,然而响应速度慢的缺点始终限制着其在高端液晶显示器中的发展。本文中提出一种凸起电极结构的共面转换液晶显示器,并采用TechWiz软件模拟了该结构的电光特性。与传统IPS-LCD相比,我们提出的新结构IPS-LCD的驱动电压降低了2.3V。在响应时间方面,尽管驱动电压降低了,但是由于凸起电极改变液晶层中的电场状况,因此上升响应速度得到了一定提高。此外,凸起结构减小了液晶层的等效盒厚,因为下降时间正比于液晶盒厚的平方,所以下降响应速度也得到了明显提高,该结构的整体响应速度相比传统结构提高了大约38%。(本文来源于《液晶与显示》期刊2016年07期）
黄强盛[2]（2016）在《新型低驱动电压硅基光调制器的研究》一文中研究指出硅基平台不仅在传统半导体电子领域中有广泛运用,在微纳光子系统中也被广泛采用。硅基平台成为了实现微纳光电子集成芯片的理想平台。光电子集成芯片中的光通信模块,能提高芯片间的通信速度,降低通信功耗。硅基光通信模块也给传统的半导体设计和制作带来新的挑战。因此,硅基光通信模块有着巨大的研究和实用价值。光调制器做为光通信模块中不可缺少的一环,一直是该领域关注的重点。其中低驱动电压的光调制器由于其驱动电路简单,能耗低,在光电子集成芯片中受到越来越多的关注。本论文的研究包含了硅基平台上实现低驱动电压光调制器的两种新型方案。第一个创新方案,采用混合集成技术,将直接带隙的Ⅲ-Ⅴ多量子阱材料直接键合到硅基光波导上面,利用Ⅲ-Ⅴ多量子阱材料的能带填充效应实现低驱动电压的电吸收光调制器。在这种硅基混合平台上,本文创新地设计了叁段锥形耦合结构,从而抑制Ⅲ-Ⅴ波导中高阶模的激发,缩短了纯硅波导和混合集成Ⅲ-Ⅴ波导之间的耦合长度。该耦合结构长度只有8μm,就能实现95%以上能量的耦合。凭借这种设计思路,本文制作和测试了硅基混合集成的Ⅲ-Ⅴ电吸收光调制器。利用Ⅲ-Ⅴ材料高选择性腐蚀比的特性,我们摸索出全湿法制作Ⅲ-Ⅴ波导的工艺,简化了传统Ⅲ-Ⅴ波导的制作流程。我们首次展示了基于能带填充效应的低驱动电压电吸收光调制器。该调制器的长度有80μm,驱动电压值只有50 mV,动态消光达到6.3 dB,动态能耗只有0.29 fJ/bit,与此同时调制速率有1.25 Gbps。这是目前报道中驱动电压最低的光调制器之一。基于能带填充效应的电吸收光调制器提供了一种实现低驱动电压,低功耗,小尺寸光调制器的新思路。借助于电吸收光调制器在反偏电压下具有双工作状态的特点,我们测试了其作为光探测器的性能。我们验证了电吸收光调制器也可以作为高速的光探测器。它在-3 V的偏压下有0.86 A/W的响应度,并且它的探测速度能达到20 Gbps。利用这个特点,我们首次展示了集成级联的两个阵列波导光栅,6个高速光调制器,6个高速光探测器的单片硅基混合集成的光收发模块。借助于能带填充效应下,电吸收光调制器高消光比的特点,我们克服了级联阵列波导光栅的高插入损耗。当单个信道的收发传输速率在1.5 Gbps时,我们在光探测器端观测到了清晰的睁开的眼图。第二个创新方案,利用低损耗微环对内部反射敏感的特点,我们设计了新型的基于可调反射镜和微环结构的纯硅基光调制器。这种硅基可调反射镜的微环光调制器,既比微环光调制器结构有更大的光学带宽,也比马赫-曾德尔光调制器的结构紧凑。我们设计的光调制器相位调制区域有200 μm时,理论预测的驱动电压只需要0.5 V,也能实现8 dB的消光比。接着,我们首次分析了调制微环内部反射率时,微环内光子寿命对调制带宽的影响。我发现此光调制器的调制带宽受到光子寿命的限制。(本文来源于《浙江大学》期刊2016-04-18）
伍文昌,胡宜芬[3]（2015）在《低驱动电压RF MEMS开关设计过程中的有限元分析》一文中研究指出介绍了RF MEMS开关的工作原理和基本结构,给出采用Ansys有限元分析方法仿真RF MEMS开关的流程及方案。对一种新型的低驱动电压RF MEMS开关,使用Ansys有限元软件进行分析:静态分析求解开关的下拉电压,动态分析得到开关时间,并给出该开关的应用实例。(本文来源于《新乡学院学报》期刊2015年09期）
田文超,贾建援[4]（2012）在《硅基大位移低驱动电压静电微驱动器变形分析》一文中研究指出针对目前横向加载单向变形静电微驱动器存在的位移过小或驱动电压过大的问题,提出一种基于纵横弯曲变形原理的硅基大位移低电压静电微驱动器模型,将弹性力由传统意义的恢复力改变为驱动力,推导出微驱动器挠度变形的控制方程.通过仿真发现,该驱动器的驱动位移高达145μm,远大于目前微驱动器的变形量;驱动电压仅为5V,远低于目前微驱动器的驱动电压值.(本文来源于《西安电子科技大学学报》期刊2012年04期）
付博,张大勇,罗飞,骆永全,沈志学[5]（2012）在《一种低驱动电压的电光开关设计》一文中研究指出介绍了一种基于法布里-珀罗标准具的电光开关,对开关的工作原理进行了分析,并对开关的结构进行了设计。以铌酸锂晶体为例,计算了开关透过特性随驱动电压、激光波长的变化规律。结果表明,在晶体参数相同的情况下,这种法布里-珀罗标准具开关与采用正交偏振片的电光开关相比,可以大幅降低电光晶体的驱动电压,同时还具有较好的选模能力。(本文来源于《强激光与粒子束》期刊2012年02期）
付博,张大勇,骆永全,罗飞,沈志学[6]（2012）在《低驱动电压的铌酸锂电光开关研究》一文中研究指出为了降低电光开关的驱动电压,采用将铌酸锂晶体置于法布里-珀罗腔内的方法进行了实验研究,得到了电光开关透过特性随驱动电压的变化关系。结果表明,与采用正交偏振片的电光开关相比,法布里-珀罗电光开关的驱动电压大幅降低,由约2.1kV下降到约580V,产生光脉冲的上升沿明显缩短,由284μs减少至128μs。理论计算了法布里-珀罗电光开关透过特性随驱动电压的变化关系,计算结果与实验结果符合得较好。(本文来源于《激光技术》期刊2012年01期）
李俊慧,陈开鑫[7]（2011）在《低驱动电压X切铌酸锂长周期波导光栅》一文中研究指出研究了在X切铌酸锂基底上制作沿Y方向传输光的电光长周期波导光栅的理论模型。利用有效折射率法和射线法进行理论分析获取波导的各项参数。针对所建议的波导光栅结构,将调谐电极置于波导两侧,无需跨过波导就可获得最大的电光调制。该结构的电极间距小(小于10μm),使得在较小的驱动电压(1.6V)下就可以实现阻带幅度高达28dB的长周期波导光栅。对该光栅模型的研究为开发低驱动电压的高速电光长周期光栅提供了理论依据。(本文来源于《半导体光电》期刊2011年06期）
伍文昌[8]（2011）在《低驱动电压RF MEMS电容式开关设计及分析》一文中研究指出伴随着微机电(Micro Electro Mechanical Systems)技术的逐步成熟,其微型化、低功耗、高品质因数的优良特性得以展现。同时,RF MEMS技术在汽车安全、电子通信、测试设备、航天航空及国防等重要领域的应用及广阔的发展前景,也使RF MEMS技术变的越来越重要。RF MEMS电容开关是微机电系统中最重要的器件之一,也是目前技术最成熟,应用最广泛的微机电系统器件之一,本文主要工作即为设计低驱动电压RF MEMS电容开关,分析其机电特性。本文的主要工作有:1.分析出下拉效应出现的原因,推导出下拉电压求解公式。2.设计出了具有低驱动电压的RF MEMS电容式开关。3.对设计出的RF MEMS电容式开关进行了详细的机电分析。4.推导出RF MEMS等效电路模型(F-V类比方法),求解出模型中参数值给出将其应用于开关设计的方法。在本文中,首先介绍了RF MEMS开关的优缺点,给出它的重要参数,然后给出了详细的低驱动电压RF MEMS开关设计流程,并设计出低驱动电压(小于35V),低插损(-0.32dB)的MEMS开关,并对开关系统的机电特性做了认真分析,最后给出了将等效电路模型应用于开关设计的方法以及在开关设计中如何考虑残余应力和介质平坦度等有关工艺的问题。(本文来源于《电子科技大学》期刊2011-11-01）
谢国华[9]（2011）在《低驱动电压有机电致发光器件的研究》一文中研究指出有机电致发光器件具有低工作电压、高亮度、高效率、高对比度、厚度薄、重量轻、可视视角宽、工作温度范围宽、工艺简单、可制作在柔性衬底上等诸多优点,在新一代的显示和照明产品上有着广泛的应用前景。经过二十多年的快速发展,该类器件已经从单纯基础研究,逐渐转变到了大力开发产品的阶段。为了适应下一代平板显示器和白光照明面板的长寿命、高效率、低成本的开发要求,需要对有机电致发光器件的性能进行更深层次的优化。本论文从改善有机电致发光器件的性能以满足实用化需求的角度出发,探索制备低驱动电压发光器件的方法,满足发光器件与有源显示驱动电路工作条件和制备工艺相兼容的迫切要求；研究载流子传输和激子限制作用对白光有机电致发光器件的影响,分别设计和制备低驱动电压、高效率的底发射和顶发射结构的白光有机电致发光器件。主要研究成果包括以下几个方面：1.结合有机半导体p型电学掺杂的结构,分析不同电子传输层结构的电子传输和空穴阻挡能力对底发射有机电致发光器件的驱动电压、发光效率等性能的影响,’研究荧光染料C545T在主体材料Alq3中的载流子陷阱行为,结合软件模拟计算,得出了不同弱微腔结构中发光层的偶极子分布的简化模型。同时利用p型电学掺杂层厚度变化对器件的电学特性不敏感的特性,优化了适合有源显示器的发光器件结构,将低驱动电压的底发射有机电致发光器件成功地移植到基于低温多晶硅薄膜晶体管技术、分辨率为128×96×3的有源显示发光屏上,实现全屏的均匀发光。2.利用前面得出的偶极子分布的模型,对顶发射结构的有机电致发光器件的不同光学模式分布进行模拟,从应用到直视型器件的角度出发,最大程度地提高正向光耦合输出效率,结合p型电学掺杂技术,利用高效的荧光染料,制备了应用于有机电致发光微显示器的低工作电压(4.0和4.9 V下的亮度分别达到2500和10000 cd/rn2)、高效率(1000cd/m2亮度下的功率效率为28.8 lm/W)的单色荧光顶发射器件,同时研究了有机：无机电学掺杂层的热稳定性。从器件集成个工艺整合的角度出发,研究芯片表面Ag金属层的形貌对微显示器性能的影响,结合上述研究成果和相关的微电子电路技术,我们成功地开发了我国第一款QVGA硅上有机微显示器原型样机。3.通过在蓝色(mCP:FIrpic)和黄色(mCP:(F-BT)2Ir(acac))磷光发光层中间插入不同界面层的方法,仔细研究了白色有机电致发光器件中发光层内部的载流子传输特性和激子扩散行为,分析了p型导电的mCP、n型导电BPhen、双极传输型的mCP:BPhen等叁种中间界面层结构对器件工作电压、发光特性的影响,比较NPB/mCP和Ir(ppz)3两种叁线态激子阻挡结构的激子扩散、器件工作电压和发光特性的影响,结合p型电学掺杂技术制备了可用于白光照明的低驱动电压(4V下的亮度达到1333cd/m2)、高效率(100cd/m2亮度下的功率效率约为40lm/W)的结构简单的全磷光器件。4.从工艺实现路线和生产成本的角度考量,详细讨论了Cu电极在研制全彩色硅上有机微显示器应用上的必要性和可行性。在底发射白光器件结构设计的基础上,利用软件模拟的方法,优化顶发射白光器件的结构,分析顶发射结构中顶部光学覆盖层与白光耦合输出效率、光谱特性和对比度的关系。首次报道了基于Cu电极的低驱动电压(4.4V下的亮度达到1000cd/m2)、高效率(10mA/cm2的电流密度下,电流效率达到27.7cd/A,功率效率达到17.6lm/W)的顶发射白光有机电致发光器件。通过采用有机：无机p型电学掺杂技术,结合软件进行理论模拟,优化器件结构设计,在本论文中提供了解决有机电致发光器件在有源显示和白光照明应用方面的一些方法,同时对有机电致发光器件的光学特性和电学特性分别进行了细致的分析。本论文的主要创新点包括：1)合理地利用了稳定而且低成本的有机：无机(m-MTDATA:MoOx) p型电学掺杂技术,研究制备低驱动电压、高效率的有机电致发光器件的方法；2)通过实验对载流子阻挡和陷阱作用的表征,结合对有机电致发光器件的光学模式分布规律的模拟,得出对应于不同载流子阻挡和陷阱结构的偶极子分布规律,该结果对我们优化器件发光耦合输出特性有着重要的指导意义；3)将上述研究成果分别成功地应用到基于低温多晶硅薄膜晶体管技术的底发射结构有源驱动显示屏和我国第一款单色QVGA有机微显示器的研制中；4)采用简单的mCP、BPhen、mCP:BPhen等中间界面层的结构,用实验和理论相结合的方法揭示了互补双发光层白光器件内部的光子、载流子和激子行为随不同界面层变化的特点；5)首次报道了基于Cu电极的低驱动电压、高效率的顶发射白光有机电致发光器件,研究了m-MTDATA光学覆盖层对顶发射白光器件的耦合输出效率和光谱分布特性的影响,为下一步开发全彩色、低成本、高稳定性的有机微显示器提供了一种可靠的方案。(本文来源于《吉林大学》期刊2011-06-01）
刘国强,纪文宇,谢文法,张汉壮[10]（2011）在《利用NPB/MoO_3/NPB作为空穴传输层的低驱动电压的有机发光器件》一文中研究指出通过引入(NPB/MoO3)x/NPB作为空穴传输层,获得了低驱动电压的有机电致发光器件(OLEDs),(NPB/MoO3)x为多层结构(x为0,1和2)。通过对比发现,在相同亮度下,x=1对应的器件具有最低的工作电压。这是由于在NPB和MoO3之间产生了电荷转移复合物(charge transfer,CT),这将会降低器件的空穴注入势垒,从而降低其工作电压。文中所研究器件为基于8-羟基喹啉铝(tris(8-hydroxyquino-line)aluminum,Alq3)的绿光器件。与x=0时的普通器件相比,在亮度为1 000 cd.m-2时,x=1时的工作电压降低了0.8 V。(本文来源于《光谱学与光谱分析》期刊2011年04期）
低驱动电压论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
硅基平台不仅在传统半导体电子领域中有广泛运用,在微纳光子系统中也被广泛采用。硅基平台成为了实现微纳光电子集成芯片的理想平台。光电子集成芯片中的光通信模块,能提高芯片间的通信速度,降低通信功耗。硅基光通信模块也给传统的半导体设计和制作带来新的挑战。因此,硅基光通信模块有着巨大的研究和实用价值。光调制器做为光通信模块中不可缺少的一环,一直是该领域关注的重点。其中低驱动电压的光调制器由于其驱动电路简单,能耗低,在光电子集成芯片中受到越来越多的关注。本论文的研究包含了硅基平台上实现低驱动电压光调制器的两种新型方案。第一个创新方案,采用混合集成技术,将直接带隙的Ⅲ-Ⅴ多量子阱材料直接键合到硅基光波导上面,利用Ⅲ-Ⅴ多量子阱材料的能带填充效应实现低驱动电压的电吸收光调制器。在这种硅基混合平台上,本文创新地设计了叁段锥形耦合结构,从而抑制Ⅲ-Ⅴ波导中高阶模的激发,缩短了纯硅波导和混合集成Ⅲ-Ⅴ波导之间的耦合长度。该耦合结构长度只有8μm,就能实现95%以上能量的耦合。凭借这种设计思路,本文制作和测试了硅基混合集成的Ⅲ-Ⅴ电吸收光调制器。利用Ⅲ-Ⅴ材料高选择性腐蚀比的特性,我们摸索出全湿法制作Ⅲ-Ⅴ波导的工艺,简化了传统Ⅲ-Ⅴ波导的制作流程。我们首次展示了基于能带填充效应的低驱动电压电吸收光调制器。该调制器的长度有80μm,驱动电压值只有50 mV,动态消光达到6.3 dB,动态能耗只有0.29 fJ/bit,与此同时调制速率有1.25 Gbps。这是目前报道中驱动电压最低的光调制器之一。基于能带填充效应的电吸收光调制器提供了一种实现低驱动电压,低功耗,小尺寸光调制器的新思路。借助于电吸收光调制器在反偏电压下具有双工作状态的特点,我们测试了其作为光探测器的性能。我们验证了电吸收光调制器也可以作为高速的光探测器。它在-3 V的偏压下有0.86 A/W的响应度,并且它的探测速度能达到20 Gbps。利用这个特点,我们首次展示了集成级联的两个阵列波导光栅,6个高速光调制器,6个高速光探测器的单片硅基混合集成的光收发模块。借助于能带填充效应下,电吸收光调制器高消光比的特点,我们克服了级联阵列波导光栅的高插入损耗。当单个信道的收发传输速率在1.5 Gbps时,我们在光探测器端观测到了清晰的睁开的眼图。第二个创新方案,利用低损耗微环对内部反射敏感的特点,我们设计了新型的基于可调反射镜和微环结构的纯硅基光调制器。这种硅基可调反射镜的微环光调制器,既比微环光调制器结构有更大的光学带宽,也比马赫-曾德尔光调制器的结构紧凑。我们设计的光调制器相位调制区域有200 μm时,理论预测的驱动电压只需要0.5 V,也能实现8 dB的消光比。接着,我们首次分析了调制微环内部反射率时,微环内光子寿命对调制带宽的影响。我发现此光调制器的调制带宽受到光子寿命的限制。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
低驱动电压论文参考文献
[1].王森,孙玉宝.低驱动电压和快速响应的共面转换液晶显示器[J].液晶与显示.2016
[2].黄强盛.新型低驱动电压硅基光调制器的研究[D].浙江大学.2016
[3].伍文昌,胡宜芬.低驱动电压RFMEMS开关设计过程中的有限元分析[J].新乡学院学报.2015
[4].田文超,贾建援.硅基大位移低驱动电压静电微驱动器变形分析[J].西安电子科技大学学报.2012
[5].付博,张大勇,罗飞,骆永全,沈志学.一种低驱动电压的电光开关设计[J].强激光与粒子束.2012
[6].付博,张大勇,骆永全,罗飞,沈志学.低驱动电压的铌酸锂电光开关研究[J].激光技术.2012
[7].李俊慧,陈开鑫.低驱动电压X切铌酸锂长周期波导光栅[J].半导体光电.2011
[8].伍文昌.低驱动电压RFMEMS电容式开关设计及分析[D].电子科技大学.2011
[9].谢国华.低驱动电压有机电致发光器件的研究[D].吉林大学.2011
[10].刘国强,纪文宇,谢文法,张汉壮.利用NPB/MoO_3/NPB作为空穴传输层的低驱动电压的有机发光器件[J].光谱学与光谱分析.2011
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