SiC器件单粒子效应敏感性分析

论文摘要

新一代航天器需要使用耐高压、功率损耗低的第3代半导体SiC器件,为了给器件选用和抗辐射设计提供依据,以SiC MOSFET和SiC二极管为对象,进行单粒子效应敏感性分析。重离子试验发现,在较低电压下,重离子会在SiC器件内部产生永久损伤,引起漏电流增加,甚至单粒子烧毁。SiC MOSFET和SiC二极管试验结果类似。试验结果表明SiC器件抗单粒子能力弱,与器件类型关系不大,与SiC材料有关。为了满足空间应用需求,有必要进一步开展SiC器件辐射效应机理、试验方法和器件加固技术等研究。

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类型: 期刊论文

作者: 于庆奎,曹爽,张洪伟,梅博,孙毅,王贺,李晓亮,吕贺,李鹏伟,唐民

关键词: 碳化硅,空间,航天器,辐射效应,单粒子效应,单粒子烧毁

来源: 原子能科学技术 2019年10期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅱ辑,信息科技

专业: 航空航天科学与工程,无线电电子学

单位: 中国空间技术研究院,国防科技工业抗辐照应用技术创新中心

基金: 国家自然科学基金资助项目(11875068,11475256)

分类号: V443;TN386

页码: 2114-2119

总页数: 6

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标签：碳化硅论文;  空间论文;  航天器论文;  辐射效应论文;  单粒子效应论文;  单粒子烧毁论文;