论文摘要
氮化铌(NbN)由于其较高的超导转变温度、较窄的转变宽度以及良好的稳定性一直被广泛地应用于低温超导器件中.因此,生长高质量的超导Nb N薄膜是制备高性能薄膜超导器件的关键及难点.本文主要介绍了利用磁控溅射法在氧化镁(MgO)<100>基底上生长厚度为5 nm的超薄超导外延NbN薄膜,并系统分析了溅射参数对薄膜性能的影响.实验结果表明,在合适的氮氩比或功率下,高真空、高溅射温度、低工作气压与NbN薄膜超导转变温度成正相关.采用综合物性测量系统(physical property measurement system, PPMS)进行电学分析,所制备的NbN薄膜超导最高转变温度为12.5 K.该工作为进一步研究超薄NbN薄膜的生长提供了理论指导,也为后期在其他基底上制备NbN超导器件提供了基础.
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 汪潇涵,何倩眉,芦政,金韬,郑分刚,熊杰,邹贵付
关键词: 磁控溅射,外延生长,超薄薄膜,超导,氮化铌
来源: 科学通报 2019年20期
年度: 2019
分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑
专业: 物理学,无机化工,材料科学,工业通用技术及设备,电力工业
单位: 苏州大学物理与科学技术学院,苏州大学能源学院,电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,山东大学(威海)空间科学与物理学院
基金: 国家重点基础研究发展计划(2015CB358600),国家自然科学基金(21671141),江苏高校优势学科建设工程项目(PAPD),苏州纳米科技协同创新中心,江苏省碳基功能材料与器件重点实验室开放项目资助
分类号: TM26;TQ135.12;TB383.2
页码: 2127-2133
总页数: 7
文件大小: 16313K
下载量: 149
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