论文摘要
利用异靛蓝、丙烯二氧噻吩、噻吩单元组成的供体-受体类型半导体聚合物IPDT构建了有机电子器件Al/IPDT/ITO,该器件具有明显的忆阻特性,开/关电压为8 V/-7.5 V,高低电阻比达到了102以上。研究了不同波长激光的照射对器件忆阻性能的影响,结果表明:波长为632 nm、功率为3 mW的激光对忆阻性能的影响显著;照射60 s后,器件电流的走向发生了反转,开/关电压降低到-2.2 V/1.3 V,高低电阻比提高到104,电流降低了一个量级,且电流-电压曲线的涨落减小,有效降低了器件的功耗;稳定性循环测试次数由未经激光照射时的2000提高到3500,提高了数据读取的准确性和稳定性。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 袁帅,董瑞新,刘汝新,闫循领
关键词: 材料,供体受体聚合物,忆阻器,激光调控
来源: 中国激光 2019年05期
年度: 2019
分类: 基础科学,信息科技
专业: 物理学,无线电电子学,计算机硬件技术
单位: 聊城大学物理科学与信息工程学院,山东省光通信科学与技术重点实验室
基金: 国家自然科学基金(61574071),山东省泰山学者专项建设项目基金
分类号: TP333;TN249
页码: 351-356
总页数: 6
文件大小: 1296K
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