基于铁电薄膜的Al/PVDF/SiO2/n-Si结构的负电容效应研究

基于铁电薄膜的Al/PVDF/SiO2/n-Si结构的负电容效应研究

论文摘要

采用旋涂法制备了基于铁电聚合物薄膜的Al/PVDF/SiO2/n-Si(MFIS)结构。通过测量MFIS结构的电容-频率特性和电容-电压特性,观察到负电容效应。测量频率越低,正向偏压越大,负电容效应越显著。在时域中,施加脉冲电压,出现瞬态电流随时间增大的电感现象。研究结果表明,MFIS结构中的负电容效应是一种电感现象。构建能带图分析MFIS结构中负电容效应的产生原因,是由于大量电子注入到界面中被捕获使得电流的相位落后于电压导致。基于铁电薄膜的负电容MFIS结构有望应用于低功耗器件中。

论文目录

  • 1 实验
  • 2 结果与讨论
  •   2.1 频域中的测量
  •   2.2 时域中的测量
  • 3 结论
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 麦满芳,朱传云,李矩明,马信洲

    关键词: 负电容,铁电薄膜,结构,电感

    来源: 电子元件与材料 2019年11期

    年度: 2019

    分类: 信息科技,工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑

    专业: 材料科学,工业通用技术及设备,电力工业

    单位: 佛山科学技术学院物理与光电工程学院,佛山科学技术学院材料科学与能源工程学院

    基金: 国家自然科学基金(11504242),佛山科学技术学院高层次人才科研启动项目(gg07049)

    分类号: TM55;TB383.2

    DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2019.11.002

    页码: 10-13

    总页数: 4

    文件大小: 2371K

    下载量: 112

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