导读:本文包含了锰铜传感器论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:传感器,薄膜,高压,氧化铝,压力测试,磁控溅射,雷管。
锰铜传感器论文文献综述
叶建波[1]（2016）在《锰铜高压传感器的研究及温度补偿方法》一文中研究指出高压传感器是测量高压介质压力的必要手段,在静高压领域常采用机械式、压电式、压阻式、应变式高压传感器测量压力。基于压阻效应的锰铜传感器具有线性好、灵敏度高、压阻系数大的特点,很早就应用于高压测量,特别是动高压测量。为实现高温下静高压测量,本文研究了锰铜合金的压阻特性、温度特性,探究了锰铜合金应用于静高压测量的可行性及高温补偿方法。本文从传感器设计、实验研究、温度补偿等叁个方面展开对锰铜高压传感器的研究。设计了传感器敏感元件及总体结构,搭建了完备的实验系统对传感器的压阻特性、温度特性进行了深入研究,完成了传感器的标定及参数测算,并推导出简易有效的温度补偿模型。为提高补偿精度采用了基于RBF神经网络的温度补偿方法,并编写了基于Labview的软件补偿程序,实现了传感器在500MPa以内、120℃以下的自动补偿功能,平均相对误差为1.89%。本文主要的工作有:(1)根据国内外关于锰铜高压传感器的研究成果,分析了丝式结构锰铜传感器应用高温下静高压测量的可行性。对传感器结构进行了设计,其中包括壳体设计、强度设计与分析、密封设计、敏感元件的设计及工艺等,并对传感器结构进行了可靠性验证与改进。(2)搭建了静高压实验系统,其中包括压力系统、温度系统、数据采集系统,以开展传感器的压力、温度特性研究。充分考虑了压致升温、静压管道延迟效应对实验数据的影响,改进了实验装置使实验数据更加准确可靠。对传感器进行了常温下的压力标定实验,测算了传感器线性、灵敏度、精度误差等静态指标,并编写了基于Labview的虚拟仪器采集程序。(3)利用温度实验系统对传感器温度特性进行研究,探究了锰铜合金在压力、温度共同作用下的响应特性。采用了数学补偿模型及RBF神经网络补偿法对传感器进行温度补偿,结合Labview温度补偿软件程序,实现了传感器的在线自动补偿。(本文来源于《南京理工大学》期刊2016-12-01）
张延松,牟宗信,吴敏,丁昂,牟晓东[2]（2014）在《中频磁控溅射制备锰铜传感器用合金薄膜的工艺》一文中研究指出利用镀膜技术制作锰铜传感器,可以实现传感器的超薄化,提高传感器的灵敏度和线性度。改变溅射功率参数,采用中频磁控溅射技术在玻璃(SiO2)衬底上制备出一系列锰铜镍合金薄膜,重点研究沉积条件对薄膜式锰铜传感器薄膜结构、表面形貌等性能的影响。采用叁维形貌仪测试薄膜厚度和计算沉积速率;采用原子力显微镜(AFM)研究薄膜的表面特征;采用X射线衍射(XRD)分析了热处理前后薄膜的微观结构;并采用直读光谱仪(DRS)测试溅射靶材和薄膜的成分。研究结果表明:沉积速率随溅射功率增加而增加,溅射功率达到1 kW后沉积速率保持在100 nm·min-1;溅射功率也会明显的影响薄膜的表面形貌,薄膜的表面粗糙度RMS随溅射功率的增加而减小;XRD分析结果表明溅射功率对薄膜的微观结构影响不大,样品的微观结构在热处理前后没有显着变化,只是热处理后样品观察到了微弱的Mn微观结构取向;溅射功率变化对薄膜的成分影响较小,不同功率沉积的薄膜样品的成分相近。(本文来源于《稀有金属》期刊2014年03期）
袁人枢,李赵春[3]（2006）在《锰铜箔片弹性元件准静态高压传感器的设计研究》一文中研究指出该文以高压工程应用如人造水晶为背景,为解决析出结晶影响压力测量的问题,设计了以溅射式锰铜箔片为弹性元件的准静态高压传感器,较之线圈式锰铜压力传感器,该新型传感器具有响应可靠,适应环境能力强的优点。采用了筒紧加自紧处理的的筒体结构,提出了该结构的弹性强度计算公式,设计了引出导线的密封结构,研究确定了预灌装的承压介质,进行了该新型传感器的性能试验,得到了主要的静态性能指标。(本文来源于《南京理工大学学报(自然科学版)》期刊2006年03期）
崔红玲,杨邦朝,杜晓松,周鸿仁,滕林[4]（2005）在《箔式锰铜传感器的新进展》一文中研究指出箔式锰铜传感器主要应用于动高压的测试中,现有的箔式锰铜传感器采用有机物作为绝缘层,其测压上限为40GPa。而采用绝缘封装层为Al2O3薄膜的箔式传感器,可拓宽其测压上限。动高压测试结果表明,该传感器所承受的压力为55.32GPa,压阻系数为0.0272,传感器的延续时间可达2.5μm。(本文来源于《功能材料》期刊2005年12期）
滕林,杨邦朝,杜晓松[5]（2005）在《阵列式薄膜锰铜传感器的研究》一文中研究指出采用薄膜工艺制备适合高压力测量的阵列式传感器,文中介绍了该传感器的制造工艺、工作原理。动态加载实验表明,传感器阵列的压阻一致性好,无高压旁路效应,响应时间低于30ns,验证了薄膜锰铜传感器高压测试的准确性和可靠性。(本文来源于《电子测量与仪器学报》期刊2005年04期）
韩秀凤,严楠,蔡瑞娇[6]（2004）在《锰铜传感器保护介质对雷管输出记录波形的影响》一文中研究指出提出在锰铜传感器前方加保护介质测试有底壳爆炸元件的轴向输出.采用有机玻璃板和Mylar膜作为保护介质,测试1号电雷管的底部输出;运用流体力学理论对所得波形进行分析;结果表明,锰铜压阻法测试有破片产生的爆炸元件时,加1mm厚有机玻璃板优于加0.05～0.10mm的Mylar膜.(本文来源于《北京理工大学学报》期刊2004年05期）
段建华,杨邦朝,杜晓松,周鸿仁[7]（2003）在《阵列化锰铜高压传感器的研制》一文中研究指出通过传感器的结构设计、敏感材料和封装材料的研制以及采用新的传感器制备工艺,制作了一种新型的薄膜式锰铜传感器。采用熔融石英材料作为绝缘基板。在绝缘基板上沉积锰铜敏感薄膜。并在敏感薄膜的上面沉积SiO2封装层薄膜。根据"后置"式传感器由阻抗匹配原则,计算出铝靶板中的最高压力为51.68GPa,SiO2封装材料中的压力为35.396GPa。(本文来源于《传感器技术》期刊2003年10期）
段建华[8]（2003）在《阵列化锰铜薄膜超高压力传感器的研究》一文中研究指出锰铜计是一种特种传感器，主要用于测量冲击波产生的超高压力。其量程上限可达50GPa，是现有传感器中测压量程最高的。为满足国防工程的特殊需要，须进一步提高传感器的量程上限及缩短传感器的响应时间。本文通过敏感材料和封装材料的研制、传感器的结构设计以及采用新的传感器制备工艺，研制了一种新型的阵列化的锰铜传感器，所得到的主要结论及创新性的结果可归纳如下：首次采用熔融石英材料作为传感器的绝缘基板。在绝缘基板上沉积锰铜敏感薄膜。并在敏感薄膜的上面沉积SiO2绝缘封装层薄膜。上述技术的主要优点在于可以采用高压绝缘性能更好的无机物作为绝缘封装材料，如本研究中所采用的SiO2，而代替在箔式锰铜计中所使用的PTFE；并可实现敏感元件“清洁”地无机固态封装，即将整个敏感元件是包封在无机物中，而不与高压力下绝缘性能相对较差的有机物，如粘接剂、树脂等直接接触，从而在根本上消除了高压旁路效应。首次采用以半导体光刻的方法来刻蚀锰铜敏感薄膜和铜电极薄膜的图形。克服了利用掩模工艺易出现薄膜边缘衍射的问题。光刻线条均匀、一致，可以有效控制图形。根据“后置”式传感器的阻抗匹配原则，可将待测材料中的压力外推至100GPa以上。本试验铝靶中实测的最高压力为51.68GPa，SiO2材料中的压力为35.396 GPa。输出信号前沿为30ns，延迟时间为400ns。从现有的测试结果分析，该种结构的传感器还能测试更高的压力。锰铜计的输出具有信号波形完整，压阻信号的平台持续时间长，无明显的旁路存在等特点。(本文来源于《电子科技大学》期刊2003-02-01）
杜晓松[9]（2003）在《锰铜薄膜超高压力传感器研究》一文中研究指出锰铜计是一种特种传感器,主要用于测量冲击波产生的超高压力。其量程上限可达50GPa,是现有传感器中最高的。为满足国防工程的特殊需要,须进一步提高传感器的量程上限及缩短传感器的响应时间。笔者通过传感器的结构设计、敏感材料和封装材料的研制以及采用新的传感器制备工艺,制作了一种新型的薄膜化的锰铜传感器,所得到的主要结论及创新性的结果可归纳如下:(本文来源于《电子元件与材料》期刊2003年01期）
杜晓松[10]（2002）在《锰铜薄膜超高压力传感器研究》一文中研究指出锰铜计是一种特种传感器，主要用于测量冲击波产生的超高压力。其量程上限可达50GPa，是现有传感器中最高的。为满足国防工程的特殊需要，须进一步提高传感器的量程上限及缩短传感器的响应时间。本文通过传感器的结构设计、敏感材料和封装材料的研制以及采用新的传感器制备工艺，制作了一种新型的薄膜化的锰铜传感器，所得到的主要结论及创新性的结果可归纳如下： 1．首次采用全薄膜化工艺制作气炮用锰铜超高压力传感器，即首先在绝缘基板上沉积锰铜敏感薄膜，然后再在敏感膜的上面沉积绝缘封装薄膜。实验采用高压绝缘性能优良的Al_2O_3作为锰铜敏感元件的封装材料，首次实现了敏感元件“清洁”的无机固态封装，从根本上消除了高压旁路电阻效应。实验中铜靶板上的最大压力达到了107GPa，氧化铝封装中的压力也达70GPa以上，薄膜式锰铜计输出的信号波形完整，压阻信号的平台持续时间长，无明显的旁路存在。 2．首次采用以氧化铝材料为基的“后置式”结构，该结构将“后置式”传感器的适用范围的上限压力从原有的～20GPa扩展到100GPa以上，使得传感器在高GPa段也具有快速的频响特性。实验中所得响应时间最短的仅为19ns。 3．对传感器在30～70GPa间进行了初步的标定，标定曲线近似为一条直线，压阻系数为0.0201±0.0002GPa~(-1)。传感器的灵敏度高，约为其他单位研制的薄膜锰铜计的1倍，而与现用的低GPa的箔式锰铜计的灵敏度相近。根据阻抗匹配原则，首次使“后置式”传感器的有效量程达到了100GPa以上，比现有传感器的量程上限提高了1倍多。并且传感器表现出精度高，重复性和一致性好，线性好的特点，首次在高GPa段实现了相对误差≤±2％。 4．在实验的初期，本文还研究了“在位式”的锰铜薄膜传感器，即首先在陶瓷或微晶玻璃基板上沉积锰铜敏感元件，然后用粘贴PTFE薄膜的方法完成传感器的封装。实验发现该传感器的响应时间与安装方式有关，当基板正对飞片时，响应慢；而PTFE薄膜正对飞片时，响应快。 5．首次采用磁控溅射法沉积了低电阻温度系数的锰铜薄膜，研究了在不同 电子科技大学博士学位论文沉积及热处理条件下薄膜TCR的变化。发现磁控溅射法可以沉积得到与靶材组分一致的锰铜薄膜，沉积的最佳温度为150～200’C，并且阴极靶的温度对薄膜TCR有很大的影响。由优化的溅射工艺参数原位沉积的锰铜薄膜的TCR。20X 10‘／”C，200～350’C热处理会使 TCR升高，而 400C热处理 1小时后，TCR降至10X 10“‘／℃＊的TCR保证了锰铜传感器仅对压力敏感，而对温度不敏感，保证了传感器的测试精度。 以上第l～3创新点及第5创新点已经分别申请了两项中国发明专利：“薄膜式锰铜超高压力传感器”和“低电阻温度系数锰铜薄膜的制备方法”。(本文来源于《电子科技大学》期刊2002-04-01）
锰铜传感器论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
利用镀膜技术制作锰铜传感器,可以实现传感器的超薄化,提高传感器的灵敏度和线性度。改变溅射功率参数,采用中频磁控溅射技术在玻璃(SiO2)衬底上制备出一系列锰铜镍合金薄膜,重点研究沉积条件对薄膜式锰铜传感器薄膜结构、表面形貌等性能的影响。采用叁维形貌仪测试薄膜厚度和计算沉积速率;采用原子力显微镜(AFM)研究薄膜的表面特征;采用X射线衍射(XRD)分析了热处理前后薄膜的微观结构;并采用直读光谱仪(DRS)测试溅射靶材和薄膜的成分。研究结果表明:沉积速率随溅射功率增加而增加,溅射功率达到1 kW后沉积速率保持在100 nm·min-1;溅射功率也会明显的影响薄膜的表面形貌,薄膜的表面粗糙度RMS随溅射功率的增加而减小;XRD分析结果表明溅射功率对薄膜的微观结构影响不大,样品的微观结构在热处理前后没有显着变化,只是热处理后样品观察到了微弱的Mn微观结构取向;溅射功率变化对薄膜的成分影响较小,不同功率沉积的薄膜样品的成分相近。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
锰铜传感器论文参考文献
[1].叶建波.锰铜高压传感器的研究及温度补偿方法[D].南京理工大学.2016
[2].张延松,牟宗信,吴敏,丁昂,牟晓东.中频磁控溅射制备锰铜传感器用合金薄膜的工艺[J].稀有金属.2014
[3].袁人枢,李赵春.锰铜箔片弹性元件准静态高压传感器的设计研究[J].南京理工大学学报(自然科学版).2006
[4].崔红玲,杨邦朝,杜晓松,周鸿仁,滕林.箔式锰铜传感器的新进展[J].功能材料.2005
[5].滕林,杨邦朝,杜晓松.阵列式薄膜锰铜传感器的研究[J].电子测量与仪器学报.2005
[6].韩秀凤,严楠,蔡瑞娇.锰铜传感器保护介质对雷管输出记录波形的影响[J].北京理工大学学报.2004
[7].段建华,杨邦朝,杜晓松,周鸿仁.阵列化锰铜高压传感器的研制[J].传感器技术.2003
[8].段建华.阵列化锰铜薄膜超高压力传感器的研究[D].电子科技大学.2003
[9].杜晓松.锰铜薄膜超高压力传感器研究[J].电子元件与材料.2003
[10].杜晓松.锰铜薄膜超高压力传感器研究[D].电子科技大学.2002
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