论文摘要
采用自主研发的大弧源技术,复合中频磁控溅射石墨靶,避免H元素的引入,在锆合金表面快速沉积了致密、超厚（约20μm）的Ti–Al–C涂层。经过不同温度（550、650、750和850°C）和时间（1、2和3 h）的真空退火后发现,至少在650°C才能获得Ti2AlC结构,更高的温度会加速Ti2AlC的生成。高温沉积对制备Ti2AlC相涂层而言是必备的。
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文章来源
类型: 期刊论文
作者: 胡小刚,董闯,杨红艳,张瑞谦
关键词: 碳化铝钛,金属陶瓷,电弧离子镀,磁控溅射,真空退火,温度,微观结构
来源: 电镀与涂饰 2019年21期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅰ辑
专业: 金属学及金属工艺
单位: 三束材料改性教育部重点实验室大连理工大学材料科学与工程学院,反应堆燃料及材料重点实验室中国核动力研究设计院
分类号: TG174.4
DOI: 10.19289/j.1004-227x.2019.21.004
页码: 1160-1165
总页数: 6
文件大小: 1401K
下载量: 126
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